本实用新型专利技术公开了一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，它包括位于底面的Al电极，Al电极上表面为Si-Al合金层，Si-Al合金层上表面为P型硅层，P型硅层上表面为N型硅层，N型硅层上表面为减反层，减反层上表面为石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层上还成型有一层复合PVB胶片层，复合PVB胶片层为双层PVB胶片层结构，且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO3S4颗粒。本实用新型专利技术提供了一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，该晶硅电池采用石墨烯透明导电膜为电池正面电极，实现无遮光，增加电池有效受光面积，提高电池转换效率、降低电极成本，使用PVB复合胶片层对石墨烯薄膜层进行保护，克有效防止石墨烯剥离。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种晶硅电池，特别是一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池。
技术介绍
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面片状结构的新材料，具有优异的载流子迀移率(常温下电子迀移率超过15000 cm2/V.s,远远超过电子在一般导体中的运动速度)且厚度很薄，在理论上有望避开高透明性与高导电性是互为相反的性质，成为最优的透明导电膜，被认为是目前商业广泛应用的ITO薄膜的替代材料。采用化学气相沉积技术可通过气体、气压、温度、衬底等参量的调控制备不同形态、层数的石墨烯薄膜并后续进行各类后续处理调节其表面性质，生产出高质量的石墨烯透明导电膜。溶液剥离技术是一种非破坏性的薄膜剥离技术，通过PMMA材料将薄膜固定后续经过溶液腐蚀衬底可以将石墨烯从衬底剥离转移到任意基底上，成品率高，安全可控。而目前商业化的常规太阳能电池的发射区和发射区电极均位于电池正面，由于电极栅线阻挡了部分阳光，使电池有效受光面积降低。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，该晶硅电池采用石墨烯透明导电膜为电池正面电极，实现无遮光，增加电池有效受光面积，提高电池转换效率、降低电极成本，使用PVB复合胶片层对石墨烯薄膜层进行保护，克有效防止石墨烯剥离。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，它包括位于底面的Al电极，Al电极上表面为S1-Al合金层，S1-Al合金层上表面为P型硅层，P型硅层上表面为N型硅层，N型硅层上表面为减反层，减反层上表面为石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层上成型有一层复合PVB胶片层，复合PVB胶片层为双层PVB胶片层结构，且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO3S4颗粒。所述的复合PVB胶片层厚度为9mm。所述的石墨烯薄膜层的原子层数为6层。所述的减反层为SiNx薄膜。本技术的有益效果是:本技术提供了一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，该晶硅电池采用石墨烯透明导电膜为电池正面电极，实现无遮光，增加电池有效受光面积，提高电池转换效率、降低电极成本，使用PVB复合胶片层对石墨烯薄膜层进行保护，克有效防止石墨烯剥离。【附图说明】图1为本技术的结构示意图；图中，1_A1电极，2_Si_Al合金层，3_P型娃层，4_N型娃层，5_减反层，6_石墨稀薄膜层，7-C03S4颗粒，8-复合PVB胶片层。【具体实施方式】下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，轻量型抗剥离石墨稀晶娃电池，它包括位于底面的Al电极1，A1电极I上表面为S1-Al合金层2，S1-Al合金层2上表面为P型硅层3，P型硅层3上表面为N型硅层4，N型硅层4上表面为减反层5，减反层5上表面为石墨烯薄膜层6，石墨烯薄膜层6上成型有一层复合PVB胶片层8，复合PVB胶片层8为双层PVB胶片层结构，且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO3S4颗粒7。所述的复合PVB胶片层8厚度为9mm。所述的石墨烯薄膜层6的原子层数为6层。所述的减反层5为SiNx薄膜。【主权项】1.轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，其特征在于:它包括位于底面的Al电极(1)，Al电极(I)上表面为S1-Al合金层(2)，S1-Al合金层(2)上表面为P型硅层(3)，P型硅层(3)上表面为N型硅层(4)，N型硅层(4)上表面为减反层(5)，减反层(5)上表面为石墨烯薄膜层(6)，石墨烯薄膜层(6)上还成型有一层复合PVB胶片层(8)，复合PVB胶片层(8)为双层PVB胶片层结构，且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO3S4颗粒(7)。2.根据权利要求1所述的轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，其特征在于:所述的复合PVB胶片层(8)厚度为9mm。3.根据权利要求1所述的轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，其特征在于:所述的石墨烯薄膜层(6)的原子层数为6层。4.根据权利要求1所述的轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，其特征在于:所述的减反层(5)为SiNx薄膜。【专利摘要】本技术公开了一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，它包括位于底面的Al电极，Al电极上表面为Si-Al合金层，Si-Al合金层上表面为P型硅层，P型硅层上表面为N型硅层，N型硅层上表面为减反层，减反层上表面为石墨烯薄膜层，石墨烯薄膜层上还成型有一层复合PVB胶片层，复合PVB胶片层为双层PVB胶片层结构，且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO3S4颗粒。本技术提供了一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，该晶硅电池采用石墨烯透明导电膜为电池正面电极，实现无遮光，增加电池有效受光面积，提高电池转换效率、降低电极成本，使用PVB复合胶片层对石墨烯薄膜层进行保护，克有效防止石墨烯剥离。【IPC分类】H01L31-0224, H01L31-0216【公开号】CN204375766【申请号】CN201520100744【专利技术人】刘兴翀, 魏欣, 魏泽忠 【申请人】成都格莱飞科技股份有限公司【公开日】2015年6月3日【申请日】2015年2月12日本文档来自技高网...
【技术保护点】
轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池，其特征在于：它包括位于底面的Al电极（1），Al电极（1）上表面为Si‑Al合金层（2），Si‑Al合金层（2）上表面为P型硅层（3），P型硅层（3）上表面为N型硅层（4），N型硅层（4）上表面为减反层（5），减反层（5）上表面为石墨烯薄膜层（6），石墨烯薄膜层（6）上还成型有一层复合PVB胶片层（8），复合PVB胶片层（8）为双层PVB胶片层结构，且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO3S4颗粒（7）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴翀，魏欣，魏泽忠，
申请(专利权)人：成都格莱飞科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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