【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
Ka频段基板集成磁耦合近场探针，其特征是，本探针包括第一电路基板和第二电路基板、第一金属结构件、第二金属结构件和连接器；第一电路基板为T形双层金属介质板，T形双层金属介质板正面的竖直段从馈电面至耦合面蚀刻出导线，导线从上到下依次为带状线、共面波导、过渡节、窄馈线以及金属化耦合通孔，T形双层金属介质板正面导线两侧的金属部分为导线的地；在耦合面上方的T形双层金属介质板反面上蚀刻出T形终端，T形终端的最下端为金属化耦合通孔，T形双层金属介质板反面T形终端上方的金属部分为导线的地；导线在T形双层金属介质板正面的地和T形双层金属介质板反面的地通过导线两侧的两排金属化接地通孔连通；第二电路基板为矩形双层金属介质板，矩形双层金属介质板的大小与T形双层金属介质板水平段一致，矩形双层金属介质板正面左右两侧蚀刻为第一电路基板导线的地；矩形双层金属介质板反面为第一电路基板导线的地，矩形双层金属介质板正面的地和矩形双层金属介质板反面的地通过导线两侧的两排金属化接地通孔连通；矩形双层金属介质板正面覆盖于T形双层金属介质板水平段的正面，第一金属结构件压合在矩形双层金属介质板反面，第二金属结构件压合在T形双层金属介...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晖，王小军，聂翀，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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