一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器制造技术

本发明专利技术公开了一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器，主空气腔的内底面设置有介质基板，介质基板上设置有耦合探针、共面波导传输线、本振匹配线、微带线结构，共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线、第一横向传输线、本振低通滤波匹配线，微带线结构包括从左到右依次连接的第二横向传输线、第三横向传输线、第四横向传输线、中频低通滤波匹配线；共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线两侧的接地线，2个接地线都与主空气腔的内壁连接；还包括平面肖特基反向并联混频二极管，其中一个混频二极管的欧姆接触层与匹配线远离介质基板的正面连接，另外一个混频二极管的欧姆接触层与接地线远离介质基板的正面连接。

【技术实现步骤摘要】
一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器
本专利技术涉及太赫兹
，具体是指一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器。
技术介绍
在近乎所有的太赫兹技术应用系统中，太赫兹接收前端是系统中最核心技术，它完成了太赫兹信号的频率变换。太赫兹分谐波混频器是太赫兹接收前端的关键部件。目前，在仅有的几类可工作于太赫兹频段的混频器中，只有基于平面肖特基二极管的太赫兹分谐波混频器可工作于室温，因此分谐波混频器作为频率变换器件在太赫兹应用领域中具有很重要的地位。在现有技术中，分谐波混频器在射频过渡端通过微带线和上腔体充分接触实现射频和直流的接地，这样不仅增加了装配难度降低电路精度，并且中频及本振信号只能实现虚拟接地。因此一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器可有效解决上述问题。太赫兹（THz）科学技术是近二十年来迅速发展的一个新兴交叉学科和研究热点，涉及电磁学、光电子学、光学、半导体物理学、材料科学、生物、医学等多门科学。太赫兹频段覆盖电磁频谱的0.1THz~10THz频率范围，是一个蕴含着丰富物理内涵的宽频段电磁辐射区域。它是电磁频谱家族中的重要成员，介于红外光波和微波之间，长波段与毫米波亚毫米波相重合，短波段与红外线相重合，其基础理论、研究方法和技术也与微波、光波两个学科领域相互衔接和兼容，是上世纪末和本世纪初迅速发展起来而形成的一门综合性学科分支。THz波可广泛应用于许多领域，主要包括：雷达探测、遥感及大气与环境监测、安全监控与反恐、高速实时高保密度数据通信与传输、生物技术以及医学诊断等。太赫兹科学技术已成为对现代科学技术、国民经济、国防军事有重要影响的非常活跃的前沿学科，给技术创新、国民经济发展和国家安全提供了一个非常诱人的机遇。目前，美国、欧洲、亚洲、澳大利亚等国家和地区政府、社会组织、企业、大学和研究机构投入了相当可观的人力、物力和财力到太赫兹科学技术的基础理论研究和工程应用技术开发之中。近年来，太赫兹技术作为重要的研究领域，在国内外已经受到越来越广泛的关注。无论太赫兹波应用于哪个方面以及哪个频段，都离不开对太赫兹波的接收，对于最为常用的基于超外差体制的接收机来说，实现频率下变频作用的混频器是其中的一个关键部件。在固态太赫兹雷达和通信等系统中，由于缺少低噪声放大器，混频器就成为了接收端的第一级，它的指标直接影响着整体系统的性能。由于同频段高性能本振源实现难度大，采用分谐波混频技术是解决此问题的有效途径。在仅有的几类可工作于太赫兹频段的混频器中，只有基于平面肖特基二极管的太赫兹分谐波混频器可工作于室温，无需提供如液氦等以实现苛刻的低温环境。目前基于平面封装的GaAs肖特基二极管的太赫兹分谐波混频器主要采用悬置微带的主流电路结构，无源电路由射频端口过渡、本振低通滤波器、本振中频双工器（包括本振端口过渡和中频低通滤波器）两部分组成。在射频过渡端通过微带线和上腔体充分接触实现射频和直流的接地。射频和本振信号分别从各自端口馈入，经过渡到悬置微带并经相应匹配网络后加载到混频二极管上，由于本振信号频率低于射频端口波导截止频率，所以本振信号不会从射频端口处泄漏，而射频信号由于本振低通滤波器（通本振频率、阻射频频率）的存在而不会从本振端口泄漏，从而实现这两个端口间的隔离；混频产生的中频信号从本振端通过一个微带低通滤波器输出。现有的技术中，分谐波混频器在射频过渡端通过微带线和上腔体充分接触实现射频和直流的接地，这样不仅增加了装配难度降低电路精度，并且中频及本振信号只能实现虚拟接地。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器，本专利技术采用共面波导传输线，将二极管直接搭在腔体壁的一边，从而实现信号接地，电路结构简单易于装配。本专利技术的实现方案如下：一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器，包括一个主空气腔、主空气腔的内底面设置有介质基板，介质基板上设置有耦合探针、共面波导传输线、本振匹配线、微带线结构，共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线、第一横向传输线、本振低通滤波匹配线，耦合探针的右端与匹配线的左端连接，本振低通滤波匹配线的右端与本振匹配线的左端连接，微带线结构包括从左到右依次连接的第二横向传输线、第三横向传输线、第四横向传输线、中频低通滤波匹配线，第二横向传输线的左端与本振匹配线的右端连接；还包括2个第一纵向传输线，一个第一纵向传输线连接在第一横向传输线与匹配线之间，另一个第一纵向传输线连接在第一横向传输线与本振低通滤波匹配线之间，第一横向传输线的两侧还各自设置有第一支路横向传输线，2个第一支路横向传输线以第一横向传输线的左右向轴线对称设置，2个第一支路横向传输线都通过第一支路纵向传输线与第一横向传输线连接，2个第一支路横向传输线的左右向的两端都弯曲指向第一横向传输线，第一横向传输线的长度方向与第一纵向传输线的长度方向垂直；还包括2个“工”字型传输线，“工”字型传输线包括2个互相平行的横向支路传输线和连接在2个横向支路传输线之间的纵向支路传输线构成，其中一个“工”字型传输线的纵向支路传输线连接在第二横向传输线与第三横向传输线之间，另一个“工”字型传输线的纵向支路传输线连接在第三横向传输线与第四横向传输线之间；共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线两侧的接地线，2个接地线都与主空气腔的内壁连接；还包括平面肖特基反向并联混频二极管，平面肖特基反向并联混频二极管为2个并联的混频二极管的组合结构，2个混频二极管的正面为欧姆接触层，其中一个混频二极管的欧姆接触层与匹配线远离介质基板的正面连接，另外一个混频二极管的欧姆接触层与接地线远离介质基板的正面连接；还包括与主空气腔交叉连接的射频输入过渡波导和与主空气腔交叉连接的本振端口过渡波导，射频输入过渡波导与主空气腔的重合区域为区域M，耦合探针延穿过射频输入过渡波导延伸到区域M内，本振端口过渡波导与主空气腔的重合区域为区域N，本振端口匹配线位于区域N内；第一横向传输线和第一纵向传输线、第一支路纵向传输线、第一支路横向传输线构成本振低通滤波器，第三横向传输线和“工”字型传输线、第四横向传输线、第二横向传输线构成中频低通滤波器。上述结构的工作原理为：本振端口过渡波导和中频低通滤波器构成一个本振中频双工器，本振端口过渡波导为标准波导WR-4，本振端口过渡波导作为本振输入端输入本振信号，射频输入过渡波导为标准波导WR-2.2，射频输入过渡波导作为射频输入端输入射频信号，本振信号和射频信号通过平面肖特基反向并联混频二极管时，将产生丰富的谐波信号，中频信号经由本振低通滤波器和中频低通滤波器筛选后输出；射频信号和本振信号分别从各自端口馈入，经过渡到共面波导传输线并经相应匹配网络后加载到平面肖特基反向并联混频二极管上，由于本振信号频率低于射频端口波导截止频率，所以本振信号不会从射频端口处泄漏，而射频信号由于本振低通滤波器（通本振频率、阻射频频率）的存在而不会从本振端口泄漏，从而实现这两个端口间的隔离；射频信号和本振信号在平面肖特基反向并联混频二极管处循环利用使所需中频信号能量足够大，混频产生的中频信号从本振端通过一个中频低通滤波器输出，匹配电路用来匹配混频二极管的阻抗使信号更好的传输。其中平面肖特基反向并联混频二极管通过倒扣形式用导电胶经过高温烘烤粘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器，其特征在于：包括一个主空气腔（1）、主空气腔（1）的内底面设置有介质基板（2），介质基板（2）上设置有耦合探针（4）、共面波导传输线、本振匹配线（10）、微带线结构，共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线（5）、第一横向传输线（7）、本振低通滤波匹配线（13），耦合探针（4）的右端与匹配线（5）的左端连接，本振低通滤波匹配线（13）的右端与本振匹配线（10）的左端连接，微带线结构包括从左到右依次连接的第二横向传输线（9）、第三横向传输线（93）、第四横向传输线（94）、中频低通滤波匹配线（92），第二横向传输线（9）的左端与本振匹配线（10）的右端连接；还包括2个第一纵向传输线（71），一个第一纵向传输线（71）连接在第一横向传输线（7）与匹配线（5）之间，另一个第一纵向传输线（71）连接在第一横向传输线（7）与本振低通滤波匹配线（13）之间，第一横向传输线（7）的两侧还各自设置有第一支路横向传输线（73），2个第一支路横向传输线（73）以第一横向传输线（7）的左右向轴线对称设置，2个第一支路横向传输线（73）都通过第一支路纵向传输线（72）与第一横向传输线（7）连接，2个第一支路横向传输线（73）的左右向的两端都弯曲指向第一横向传输线（7），第一横向传输线（7）的长度方向与第一纵向传输线（71）的长度方向垂直；还包括2个“工”字型传输线（91）， “工”字型传输线（91）包括2个互相平行的横向支路传输线和连接在2个横向支路传输线之间的纵向支路传输线构成，其中一个“工”字型传输线（91）的纵向支路传输线连接在第二横向传输线（9）与第三横向传输线（93）之间，另一个“工”字型传输线（91）的纵向支路传输线连接在第三横向传输线（93）与第四横向传输线（94）之间；共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线（5）两侧的接地线（6），2个接地线（6）都与主空气腔的内壁连接；还包括平面肖特基反向并联混频二极管（11），平面肖特基反向并联混频二极管（11）为2个并联的混频二极管的组合结构，2个混频二极管的正面为欧姆接触层（21），其中一个混频二极管的欧姆接触层（21）与匹配线（5）远离介质基板（2）的正面连接，另外一个混频二极管的欧姆接触层（21）与接地线（6）远离介质基板（2）的正面连接；还包括与主空气腔交叉连接的射频输入过渡波导（3）和与主空气腔交叉连接的本振端口过渡波导（8），射频输入过渡波导（3）与主空气腔的重合区域为区域M，耦合探针延穿过射频输入过渡波导（3）延伸到区域M内，本振端口过渡波导（8）与主空气腔的重合区域为区域N，本振端口匹配线位于区域N内；第一横向传输线（7）和第一纵向传输线（71）、第一支路纵向传输线（72）、第一支路横向传输线（73）构成本振低通滤波器，第三横向传输线（93）和“工”字型传输线（91）、第四横向传输线（94）、第二横向传输线（9）构成中频低通滤波器。...

【技术特征摘要】
1.一种改进型基于共面波导传输线的分谐波混频器，其特征在于：包括一个主空气腔（1）、主空气腔（1）的内底面设置有介质基板（2），介质基板（2）上设置有耦合探针（4）、共面波导传输线、本振匹配线（10）、微带线结构，共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线（5）、第一横向传输线（7）、本振低通滤波匹配线（13），耦合探针（4）的右端与匹配线（5）的左端连接，本振低通滤波匹配线（13）的右端与本振匹配线（10）的左端连接，微带线结构包括从左到右依次连接的第二横向传输线（9）、第三横向传输线（93）、第四横向传输线（94）、中频低通滤波匹配线（92），第二横向传输线（9）的左端与本振匹配线（10）的右端连接；还包括2个第一纵向传输线（71），一个第一纵向传输线（71）连接在第一横向传输线（7）与匹配线（5）之间，另一个第一纵向传输线（71）连接在第一横向传输线（7）与本振低通滤波匹配线（13）之间，第一横向传输线（7）的两侧还各自设置有第一支路横向传输线（73），2个第一支路横向传输线（73）以第一横向传输线（7）的左右向轴线对称设置，2个第一支路横向传输线（73）都通过第一支路纵向传输线（72）与第一横向传输线（7）连接，2个第一支路横向传输线（73）的左右向的两端都弯曲指向第一横向传输线（7），第一横向传输线（7）的长度方向与第一纵向传输线（71）的长度方向垂直；还包括2个“工”字型传输线（91），“工”字型传输线（91）包括2个互相平行的横向支路传输线和连接在2个横向支路传输线之间的纵向支路传输线构成，其中一个“工”字型传输线（91）的纵向支路传输线连接在第二横向传输线（9）与第三横向传输线（93）之间，另一个“工”字型传输线（91）的纵向支路传输线连接在第三横向传输线（93）与第四横向传输线（94）之间；共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线（5）两侧的接地线（6），2个接地线（6）都与主空气腔的内壁连接；还包括平面肖特基反向并联混频二极管（11），平面肖特基反向并联混频二极管（11）为2个并联的混频二极管的组合结构，2个混频二极管的正面为欧姆接触层（21），其中一个混频二极管的欧姆接触层（21）与匹配线（5）的正面连接，匹配线（5）的正面为远离介质基板（2）的面，另外一个混频二极管的欧姆接触层（21）与接地线（6）的正面连接，接地线（6）的正面为远离介质基板（2）的面；还包括与主空气腔交叉连接的射频输入过渡波导（3）和与主空气腔交叉连接的本振端口过渡波导（8），射频输入过渡波导（3）与主空气腔的重合区域为区域M，耦合探针延穿过射频输入过渡波导...

【专利技术属性】
技术研发人员：张波，刘戈，杨益林，纪东峰，牛中乾，闵应存，高欣，司梦姣，钱骏，樊勇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51