具有金属填充物的线圈布置制造技术

提供装置、方法以及制造装置，它们涉及在半导体衬底（10）上构造线圈（11）。在线圈（11）内部，布置金属填充物（12），例如以小于20%的密度。

【技术实现步骤摘要】
具有金属填充物的线圈布置
本申请涉及例如在芯片上构造的线圈，尤其是用于无线电频率应用的线圈。在制造半导体构件时，出于不同目的，将金属线圈构造在芯片上，例如，作为用于发送和/接收电路、例如用于无线通信的无线电频率线圈（RF线圈，英语“RadioFrequency”）。用于无线通信的示例包括WLAN、蓝牙或者经由移动无线电网络的通信。出于其他目的也需要线圈，例如，用于变压器或者平衡至非平衡转换器，在一些应用情况下也称为“平衡到非平衡转换器”。这类线圈通常在金属化工艺中制造，其中，一个金属层或者典型情况下多个金属层施加在用于制造芯片的半导体晶圆上或者其他衬底上。如果所制造的线圈内部没有金属，则在后续的工艺中，这可能导致问题。与之相反，通过形成涡流，金属填充物能够例如在无线电频率应用中影响线圈的效用，因而，常规上不使用金属填充物。
技术实现思路
本专利技术的第一方面在于一种装置，包括：半导体衬底，构造在所述半导体衬底上的线圈，以及在所述线圈内的金属填充物，其中，所述线圈是无线电频率发送和/或接收装置的线圈。本专利技术的第二方面在于一种方法，包括：在半导体衬底上构造线圈，其中，所述线圈是无线电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：半导体衬底（10），构造在所述半导体衬底（10）上的线圈，以及在所述线圈（11，42）内的金属填充物（12，40），其中，所述线圈（11，42）是无线电频率发送和/或接收装置的线圈。

【技术特征摘要】
2013.11.06 DE 102013112220.51.一种无线电频率线圈装置，包括：半导体衬底（10），构造在所述半导体衬底（10）上的线圈，以及在所述线圈（11，42）内的金属填充物（12，40），其中，所述线圈（11，42）是无线电频率发送和/或接收装置的线圈，其中，所述金属填充物具有多个金属层（M1-M6），其中在所述多个金属层中每个金属层中的密度小于20%，以及其中，所述多个金属层（M1-M6）之一的金属化区域与所述多个金属层（M1-M6）中的其他金属层的金属化区域错开布置。2.如权利要求1所述的无线电频率线圈装置，其中，所述金属填充物的密度小于20%。3.如权利要求1或2所述的无线电频率线圈装置，其中，所述密度在10%与15%之间。4.如权利要求1所述的无线电频率线圈装置，其中，所述金属填充物在至少一个金属层（M1-M6）中具有由金属化区域构成的图案。5.如权利要求4所述的无线电频率线圈装置，其中，所述图案的每个金属化区域的大小在0.5微米×0.5微米与5微米×5微米之间。6.如权利要求4或5所述的无线电频率线圈装置，其中，所述图案的每个金属化区域的面积在对于用于制造相应金属层的半导体工艺而言可能的最小大小的100%-200%之间。7.如权利要求4所述的无线电频率线圈装置，其中，所述图案的金属化区域的大小在0.2平方微米与10平方微米之间。8.如权利要求1所述的无线电频率线圈装置，其中，所述金属填充物（12；40）在至少一个金属层（M1-M6）中的密度小于20...

【专利技术属性】
技术研发人员：B秋丁，A马拉克，
申请(专利权)人：领特德国有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE