本实用新型专利技术公开了一种衰减器适配器，包括长方形的介质基板，还包括两同轴转接头，位于介质基板两条短边的重点，两转接头与介质基板物理连接；两微带线，位于介质基板的同一侧表面，两微带线的宽度小于两转接头的宽度，两微带线的长度小于介质基板长边长度的一半，两微带线均与介质基板的长边平行并位于用一条直线上，两微带线与两同轴转接头分别电性连接；两接地孔，位于介质基板的中间位置、两微带线之间，两接地孔中心相连所形成的直线与两微带线所在的直线相垂直。本实用新型专利技术允许矢量网络分析仪通过衰减器适配器分析非同轴类衰减器的工作参数。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及衰减器，特别地，涉及一种衰减器适配器。
技术介绍
现有技术中，通常使用矢量网络分析仪测试衰减器的衰减量、阻抗、保相保偏特性等参数。矢量网络分析仪由于使用了对称的引脚，只能用于测量同轴类衰减器，而对于非同轴类衰减器则无法直接测量。针对现有非同轴类衰减器无法直接由矢量网络分析仪测量的问题，目前尚未有有效的解决方案。
技术实现思路
针对现有非同轴类衰减器无法直接由矢量网络分析仪测量的问题，本技术的目的在于提出一种衰减器适配器，使衰减器适配器能够提供矢量网络分析仪可用的同轴类器件的转接头，允许矢量网络分析仪通过衰减器适配器分析非同轴类衰减器的电性能参数。基于上述目的，本技术提供的技术方案如下:根据本技术的一个方面，提供了一种衰减器适配器。根据本技术提供的衰减器适配器包括长方形的介质基板，还包括:两同轴转接头，位于介质基板两条短边的中点，两转接头与介质基板物理连接；两微带线，位于介质基板的同一侧表面，两微带线的宽度小于两转接头的宽度，两微带线各自的长度均小于介质基板长边长度的一半，两微带线均与介质基板的长边平行并位于同一条直线上，两微带线与两同轴转接头分别电性连接；两接地孔，位于介质基板的中间位置、两微带线之间。在一些实施方式中，微带线与同轴转接头的连接部分阻抗为50欧。在一些实施方式中，两同轴转接头均为N型KFD转接头。在一些实施方式中，两微带线均为长方形的表贴薄膜，且两微带线的长度与宽度均相等。在一些实施方式中，两接地孔为尺寸相同的圆孔，且二者中心相连所形成的直线与两微带线所在的直线相垂直。在一些实施方式中，两微带线与两接地孔分别连接至待测非同轴类衰减器的输入端、输出端与两个接地端，其中，非同轴类衰减器为薄膜衰减器。从上面所述可以看出，本技术提供的技术方案通过使用两个同轴的转接头与微带线将非同轴类衰减器与矢量网络分析并行连接，并使用两微带线传递非同轴类衰减器的电磁波信号给两同轴转接头，使衰减器适配器提供了矢量网络分析仪可用的同轴类器件的转接头，允许矢量网络分析仪通过衰减器适配器分析非同轴类衰减器的工作参数。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为根据本技术实施例的衰减器适配器的结构正视图。【具体实施方式】为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进一步进行清楚、完整、详细地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。根据本技术的实施例，提供了一种衰减器适配器，包括长方形的介质基板O。如图1所示，根据本技术的实施例提供的衰减器适配器还包括:两同轴转接头1，两同轴转接头I位于介质基板O两条短边的中点，两同轴转接头I与介质基板O物理连接；两微带线2，两微带线2位于介质基板O的同一侧表面，两微带线2的宽度小于两同轴转接头I的宽度，两微带线2各自的长度均小于介质基板O长边的一半，两微带线2均与介质基板O的长边平行并位于同一条直线上，两微带线2与两同轴转接头I分别电性连接;两接地孔3，两接地孔3位于介质基板O的中间位置、两微带线2之间，且两接地孔3中心相连所形成的直线与两微带线2所在的直线相垂直。在本实施例中，两同轴转接头用于连接矢量网络分析仪(未示出)，矢量网络分析仪能且只能与同轴转接头连接；两微带线用于连接非同轴类衰减器(未示出)的输入端与输出端，通过输入端接触微带线接收矢量网络分析仪发出的探测微波信号并进行衰减，再由输出端将衰减后的微波信号输出到微带线反馈给分析仪。两接地孔用于连接非同轴类衰减器的地线，两接地孔位于两微带线之间使得待测非同轴类衰减器与介质基板二者在接地端相连。其中，微带线2与同轴转接头I的连接部分阻抗为50欧。50欧的阻抗为保持矢量网络分析仪与待测非同轴类衰减器的阻抗匹配。其中，两同轴转接头I均为N型KFD转接头。N型KFD转接头为标准的矢量网络分析仪可用接头，同时使用两个N型KFD转接头即可保证衰减器适配器能作为同轴类器件与矢量网络分析仪正常连接并工作。其中，两微带线均为长方形的表贴薄膜，且两微带线的长度与宽度均相等。两微带线的对称结构方便衰减器适配器的特性阻抗设计，同时也推高了实际生产中表贴薄膜的便利性。其中，两接地孔为尺寸相同的圆孔，且二者中心相连所形成的直线与两微带线所在的直线相垂直。这种设计方案提高了接地孔的接地效果，并能在物理上与非同轴类衰减器的两个接地端更方便连接。其中，两微带线与两接地孔分别连接至待测非同轴类衰减器的输入端、输出端与两个接地端，其中，非同轴类衰减器为薄膜衰减器。综上所述，借助于本技术的上述技术方案，通过使用两个同轴的转接头与微带线将非同轴类衰减器与矢量网络分析并行连接，并使用两微带线传递非同轴类衰减器的电磁波信号给衰减器适配器提供的同轴类器件的转接头，允许矢量网络分析仪通过衰减器适配器分析非同轴类衰减器的工作参数。所属领域的普通技术人员应当理解:以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本技术的保护范围内。【主权项】1.一种衰减器适配器，包括长方形的介质基板(O)，其特征在于，还包括: 两同轴转接头(I)，所述两同轴转接头(I)位于介质基板(O)两条短边的中点，两同轴转接头(I)与介质基板(O)物理连接； 两微带线(2)，所述两微带线(2)位于介质基板(O)的同一侧表面，两微带线(2)的宽度小于两同轴转接头(I)的宽度，两微带线(2)各自的长度均小于介质基板(O)长边的一半，所述两微带线(2)均与介质基板(O)的长边平行并位于同一条直线上，两微带线(2)与两同轴转接头(I)分别电性连接； 两接地孔(3)，所述两接地孔(3)位于介质基板(O)的中间位置、两微带线(2)之间。2.根据权利要求1所述的一种衰减器适配器，其特征在于，所述微带线(2)与同轴转接头(I)的连接部分阻抗为50欧。3.根据权利要求1所述的一种衰减器适配器，其特征在于，所述两同轴转接头(I)均为N型KFD转接头。4.根据权利要求1所述的一种衰减器适配器，其特征在于，所述的两微带线(2)均为长方形的表贴薄膜，且两微带线(2)的长度与宽度均相等。5.根据权利要求1所述的一种衰减器适配器，其特征在于，两接地孔(3)为尺寸相同的圆孔，且二者中心相连所形成的直线与两微带线(2)所在的直线相垂直。6.根据权利要求1所述的一种衰减器适配器，其特征在于，两微带线(2)与两接地孔(3)分别连接至待测非同轴类衰减器的输入端、输出端与两个接地端，其中，所述非同轴类衰减器为薄膜衰减器。【专利摘要】本技术公开了一种衰减器适配器，包括长方形的介质基板，还包括两同轴转接头，位于介质基板两条短边的重点，两转接头与介质基板物理连本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种衰减器适配器，包括长方形的介质基板(0)，其特征在于，还包括：两同轴转接头(1)，所述两同轴转接头(1)位于介质基板(0)两条短边的中点，两同轴转接头(1)与介质基板(0)物理连接；两微带线(2)，所述两微带线(2)位于介质基板(0)的同一侧表面，两微带线(2)的宽度小于两同轴转接头(1)的宽度，两微带线(2)各自的长度均小于介质基板(0)长边的一半，所述两微带线(2)均与介质基板(0)的长边平行并位于同一条直线上，两微带线(2)与两同轴转接头(1)分别电性连接；两接地孔(3)，所述两接地孔(3)位于介质基板(0)的中间位置、两微带线(2)之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李静，
申请(专利权)人：航天科工防御技术研究试验中心，
类型：新型
国别省市：北京;11
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