本实用新型专利技术公开了一种气密性单芯铠装电缆插头，所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套 、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装电缆；所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔，所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道，所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构。采用本实用新型专利技术能达到的有益效果是：整体气密性≤1.0×10-10Pa.m3/S；常温绝缘电阻≥1000MΩ(5V直流)；温度冲击性能（室温～300℃，循环10次）；耐压≥500V（DC）。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电缆插头，尤其涉及一种单芯电缆插头。
技术介绍
核聚变是由两个较轻的原子核聚合为一个较重的原子核，并释放出能量的过程。而人类要从核聚变过程获取能量，就必须使此过程受控，磁约束受控核聚变是当前开发聚变能源中最有希望的途径。在磁约束受控核聚变装置中，相关参数的测量与等离子体控制、装置安全等方面密切相关，如磁场、磁通和电流等信息，并且很多测量系统需要布置在装置真空室内部。为了满足磁约束聚变装置真空室内部工作环境要求，主要包括高真空、较高的烘烤温度和环境温度等，通常采用铠装电缆作为信号测量和传输导线。铠装电缆是由矿物质材料氧化镁或者氧化铝粉作为绝缘材料的铜芯金属护套电缆。该电缆具有耐高温、低出气率(真空性能)以及良好的绝缘性能等。由于信号探测器多采用单芯铠装电缆绕制，在一些高真空、较高的烘烤温度和环境温度等测试环境下，单芯铠装电缆必须装配耐高温、高真空、低损耗的电缆接插头，以便能够进行测试，这也是在高真空、较高的烘烤温度和环境温度等这样的测试环境下实现信号测量的必备环节，也是解决真空室内部的信号测量面临问题的关键组件。
技术实现思路
本技术的目的在于提供了一种具有气密性的耐高温、高真空、低损耗单芯电缆插头。本技术的技术方案是:一种气密性单芯铠装电缆插头，所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装铠装电缆；所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔，绝缘氧化铝陶瓷管封接在下可伐套的另一端内腔中，所述插针封接在绝缘氧化铝陶瓷管未与下可伐套封接的另一端内腔中，插针未与下可伐套封接的另一端内腔封接过渡套，所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道，所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构。所述的气密性单芯铠装电缆插头，所述绝缘氧化铝陶瓷管可以是由A-95氧化铝陶瓷或者A-97氧化铝陶瓷或者A-99氧化铝陶瓷制成。所述的气密性单芯铠装电缆插头，所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构是激光自熔的封接结构。所述的气密性单芯铠装电缆插头，所述过渡套可以是无氧铜制成。采用本技术能达到的有益效果是:1、整体气密性彡 1.0X KTiciPa.m3/S ；2、常温绝缘电阻彡1000M Ω (5V直流)；3、温度冲击性能(室温?300°C，循环10次)；4、耐压彡 500V (DC)。【附图说明】图1本技术的结构示意图；图2下可伐套图；图3绝缘氧化铝陶瓷管图；图4插针图；图5过渡套图。上述附图中，附图标记对应的部件名称如下:1-下可伐套、2-绝缘氧化铝陶瓷管、3-插针、4-过渡套、5-铠装电缆、6_金属熔封结构。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明，本技术的实施方式包括但不限于下列实施例。实施例一本技术实施例一的气密性单芯铠装电缆插头，所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装铠装电缆；所述绝缘氧化铝陶瓷管是A-95氧化铝陶瓷制成，所述过渡套是无氧铜制成；所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔，绝缘氧化铝陶瓷管封接在下可伐套的另一端内腔中，所述插针封接在绝缘氧化铝陶瓷管未与下可伐套封接的另一端内腔中，插针未与下可伐套封接的另一端内腔封接过渡套，所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道，所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构，所述耐高温的金属熔封结构是激光自熔的封接结构。实施例二本技术实施例二的气密性单芯铠装电缆插头，所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装电缆；所述绝缘氧化铝陶瓷管是A-99氧化铝陶瓷制成，所述过渡套是无氧铜制成；所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔，绝缘氧化铝陶瓷管封接在下可伐套的另一端内腔中，所述插针封接在绝缘氧化铝陶瓷管未与下可伐套封接的另一端内腔中，插针未与下可伐套封接的另一端内腔封接过渡套，所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道，所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构，所述耐高温的金属熔封结构是激光自熔的封接结构。采用本技术实施例能达到的有益效果是:1、整体气密性彡 1.0X KTiciPa.m3/S ；2、常温绝缘电阻彡1000M Ω (5V直流)；3、温度冲击性能(室温?300°C，循环10次)；4、耐压彡 500V (DC)。上述实施例仅为本技术的优选实施例，并非对本技术保护范围的限制，但凡采用本技术的设计原理，以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化，均应属于本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种气密性单芯铠装电缆插头，其特征在于，所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装电缆；所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔，绝缘氧化铝陶瓷管封接在下可伐套的另一端内腔中，所述插针封接在绝缘氧化铝陶瓷管未与下可伐套封接的另一端内腔中，插针未与下可伐套封接的另一端内腔封接过渡套，所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道，所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构。2.如权利要求1所述的气密性单芯铠装电缆插头，其特征在于，所述绝缘氧化铝陶瓷管可以是由A-95氧化铝陶瓷或者A-97氧化铝陶瓷或者A-99氧化铝陶瓷制成。3.如权利要求2所述的气密性单芯铠装电缆插头，其特征在于，所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构是激光自熔的封接结构。4.如权利要求1至3任一权利要求所述的气密性单芯铠装电缆插头，其特征在于，所述过渡套可以是无氧铜制成。【专利摘要】本技术公开了一种气密性单芯铠装电缆插头，所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套 、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装电缆；所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔，所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道，所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构。采用本技术能达到的有益效果是：整体气密性≤1.0×10-10Pa.m3/S；常温绝缘电阻≥1000MΩ(5V直流)；温度冲击性能（室温～300℃，循环10次）；耐压≥500V（DC）。【IPC分类】H01R13-04, H01R13-502, H01R13-5本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种气密性单芯铠装电缆插头，其特征在于，所述气密性单芯铠装电缆插头包括下可伐套 、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套、铠装电缆；所述下可伐套、绝缘氧化铝陶瓷管、插针、过渡套均设有中空的内腔，绝缘氧化铝陶瓷管封接在下可伐套的另一端内腔中，所述插针封接在绝缘氧化铝陶瓷管未与下可伐套封接的另一端内腔中，插针未与下可伐套封接的另一端内腔封接过渡套，所述下可伐套的内腔、封接在下可套筒中的绝缘氧化铝陶瓷管的内腔、封接在绝缘氧化铝陶瓷管中的插针内腔和封接在插针中的过渡套的内腔形成铠装电缆通过的通道，所述铠装电缆进入下可伐套的一端和铠装电缆从过渡套出来的一端是耐高温的金属熔封结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：季小全，高华英，刘时，
申请(专利权)人：成都国光电气股份有限公司，核工业西南物理研究院，
类型：新型
国别省市：四川;51
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