【技术实现步骤摘要】
本技术属于机械设计
，涉及一种LVDT新型的线圈绕制结构。
技术介绍
通常LVDT线位移传感器线性范围较小，线圈常规绕制结构磁场线性范围较小，因此为了得到较大的量程范围往往需要几十倍的线圈长度。在实际应用过程中，不能满足线位移传感器小型化、高精化的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的:提出一种结构简单、线性范围大、可靠性高的LVDT新型的线圈绕制结构。本专利技术的技术方案:一种LVDT新型的线圈绕制结构，其特征为:所述结构包括线圈组件、壳体4、底盖8、铁芯5、连杆6 ;线圈组件包括骨架3、初级线圈2、次级线圈I 1、次级线圈II 7组成；初级线圈2均匀分布在骨架3每个线槽内；次级线圈I 1、次级线圈II 7绕制在初级线圈2上，且次级线圈I 1、次级线圈II 7以骨架3轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；壳体4通过两端挤压变形的收口方式与底盖8、骨架3紧固；铁芯5通过螺纹与连杆(6)连接，可在骨架3中心孔内自由移动。本专利技术的优点:本技术通过阶梯递增线圈绕制结构使LVDT线位移传感器磁路均匀，线性范围更大，这样在相同外部尺寸条件下具有更大的量程。其结构简单可靠、性能优良。【附图说明】:图1是本技术一种LVDT新型的线圈绕制结构【具体实施方式】的剖视图；其中，1-次级线圈1、2_初级线圈、3-骨架、4-壳体、5-铁芯、6-连杆、7-次级线圈I1、8_底盖。【具体实施方式】:下面结合附图对本技术的【具体实施方式】做进一步详细说明。参见图1，其为本技术一种LVDT新型的线圈绕制结构的一种【具体实施方式】。所述结构包括线圈组...
【技术保护点】
一种LVDT新型的线圈绕制结构，其特征为：所述结构包括线圈组件、壳体(4)、底盖(8)、铁芯(5)、连杆(6)；线圈组件包括骨架(3)、初级线圈(2)、次级线圈Ⅰ(1)、次级线圈Ⅱ(7)组成；初级线圈(2)均匀分布在骨架(3)每个线槽内；次级线圈Ⅰ(1)、次级线圈Ⅱ(7)绕制在初级线圈(2)上，且次级线圈Ⅰ(1)、次级线圈Ⅱ(7)以骨架(3)轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；壳体(4)通过两端挤压变形的收口方式与底盖(8)、骨架(3)紧固；铁芯(5)通过螺纹与连杆(6)连接，可在骨架(3)中心孔内自由移动。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘彦君，肖岸飞，梁国栋，王鲲鹏，
申请(专利权)人：武汉航空仪表有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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