一种CIGS基薄膜太阳电池及其制备方法技术

技术编号:11439384 阅读:68 留言:0更新日期:2015-05-13 08:50
一种CIGS基薄膜太阳电池及其制备方法,该制备方法如下:在玻璃基板上形成一含有Li、K中至少一种元素的碱过滤层、在碱过滤层上形成一背电极层、在背电极上形成一光吸收层、在光吸收层上形成一缓冲层、在缓冲层上形成一n型透明导电层,其特征在于具有一定厚度的碱过滤层允许一部分碱金属离子从玻璃基板扩散进入CIGS基光吸收层中,更进一步在CIGS基光吸收层的外侧添加一定量的碱金属。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,该制备方法包括如下步骤:在玻璃基板上形成一含有Li、K中至少一种元素的碱过滤层、在碱过滤层上形成一金属背电极层、在金属背电极层上形成CIGS基光吸收层、在光吸收层上形成一缓冲层、在缓冲层上形成一n型透明导电膜层,其中,所述的碱过滤层厚度为1–15nm,且允许玻璃基板中的一部分碱金属离子通过热扩散进入到CIGS光吸收层中,此外,所述的光吸收层中的碱金属离子单从玻璃基板中的碱金属离子扩散进入光吸收层,或从玻璃基板中的碱金属离子和含有碱金属离子的铜铟镓金属预制层中的碱金属离子一同扩散进入光吸收层;所述CIGS基光吸收层由铜铟镓金属预制层或含有碱金属离子的铜铟镓金属预制层进行硒化和/或硫化热处理后获得。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李艺明田宏波
申请(专利权)人:厦门神科太阳能有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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