一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法技术

本发明专利技术公开了一种大功率电力电子器件芯片的切割方法，该方法对宽禁带半导体材料做成器件的衬底背面进行激光划片后，再根据背面划痕使用裂片机进行正面裂片。背面划痕的深度约为芯片厚度的1/10至1/4。本发明专利技术是使用激光束聚焦切割的方法，采取背划进行激光束切割大功率器件，最大限度地保证芯片正面的有源区，不破坏正面区域，得到边缘整齐的器件，对大面积芯片的可靠性和产能都有一个很大提升。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法
本专利技术涉及一种半导体功率器件制备工艺，具体讲涉及一种大功率电力电子器件制备过程中将大功率器件晶圆分割成单颗芯片的工艺。
技术介绍
随着光电产业的迅猛发展，对高集成和高性能的半导体晶圆需求也越来越大，为适应高频、大功率、耐高温、抗辐照等特殊环境而发展起来的第三代半导体材料-宽禁带半导体材料(例如碳化硅、氮化镓等)具有热导率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点，从而开启了半导体产业的新局面，使得电力电子器件技术和产业迎来了一个新的发展机遇。为了大幅度节约成本和提高制作效率，在大批量生产中往往在晶圆上沉积集成电路芯片或电路元件结构，然后再分割成各个单元，最后再进行封装和焊接。因此，晶圆的切割技术对提高成品率和封装效率有着重要影响。传统晶圆切割技术主要有金刚石切割法和化学蚀刻法；金刚石切割存在切槽宽(50μm～100μm)、晶圆利用率低；加工脆性和高强度材料难度大，易产生裂纹、碎片和分层；刀具易磨损，需要消耗大量去离子水，生产成本大等问题；化学蚀刻法亦存在如刻蚀速度慢、污染环境和不适用于化学稳定的材料等不足。从此而产生的激光切割本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法，其特征在于对所述晶圆的N面采用激光束聚焦对准后进行激光束划片，再根据N面划痕进行正面裂片；所述激光束光源的波长190‑400nm，所述激光束功率：3‑10W，激光束距离晶圆N面的聚焦距离：330‑500μm，激光束移动速率：5‑50mm/s。

【技术特征摘要】
1.一种大功率电力电子器件晶圆激光切割方法，其特征在于对所述晶圆的N面采用激光束聚焦对准后进行激光束划片，再根据N面划痕进行正面裂片；所述激光束波长为248nm，激光束划痕的沟槽深20μm，激光束划痕的沟槽宽12μm，激光束功率5W，聚焦距离400μm，激光切割速度10mm/s。2.根据权利要求1所述的激光切割方法，其特征在于所述方法包...

【专利技术属性】
技术研发人员：田亮，杨霏，
申请(专利权)人：国家电网公司，国网智能电网研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11