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本发明公开了一种大功率电力电子器件芯片的切割方法,该方法对宽禁带半导体材料做成器件的衬底背面进行激光划片后,再根据背面划痕使用裂片机进行正面裂片。背面划痕的深度约为芯片厚度的1/10至1/4。本发明是使用激光束聚焦切割的方法,采取背划进行激...该专利属于国家电网公司;国网智能电网研究院所有,仅供学习研究参考,未经过国家电网公司;国网智能电网研究院授权不得商用。
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本发明公开了一种大功率电力电子器件芯片的切割方法,该方法对宽禁带半导体材料做成器件的衬底背面进行激光划片后,再根据背面划痕使用裂片机进行正面裂片。背面划痕的深度约为芯片厚度的1/10至1/4。本发明是使用激光束聚焦切割的方法,采取背划进行激...