阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝。本发明专利技术实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，通过在黑矩阵下方的电极进行镂空去除，使得黑矩阵下方电场强度减弱，从而使液晶转动幅度降低，减小斜视穿透率，能够有效地降低由于显示面板的上下基板对位发生偏差而形成的混色色偏。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示装置
本专利技术涉及平板显示技术，特别涉及一种阵列基板，及包括该阵列基板的显示面板，以及包括该显示面板的显示装置。
技术介绍
显示面板目前被广泛的应用于手机、掌上电脑(PersonalDigitalAssistant,PDA)等便携式电子产品中，例如：薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)、有机发光二级管显示器(OrganicLightEmittingDiode,OLED)、低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)显示器以及等离子体显示器(PlasmaDisplayPanel,PDP)等。在市场竞争的推动下，更轻便、显示效果更优越、价格更低的显示装置受到了越来越多的追捧。在显示装置中，像素电极与公共电极之间能够形成电场，该电场驱动液晶分子转动来进行画面的显示；在显示面板的分辨率相对较低时，像素电极与黑矩阵之间的距离相对较远，则黑矩阵下方的电场强度较弱，液晶分子转动幅度较小，斜视透过率低，不易发生挤压色偏；但是随着高分辨率产品的需求，同时为了保证较高的穿透率，像素电极与黑矩阵之间的距离越来越小，黑矩阵下方的电场强度会变强，从而液晶分子转动幅度增大，会使得斜视透过率高，出现混色色偏的概率增加。现有高分辨率产品中，像素大小越来越小，像素电极与黑矩阵之间的距离越来越小，另外产品尺寸越来越大，厚度越来越薄，均容易因为挤压等外力的作用使得局部对位有偏移，由此发生混色色偏。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝。本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对向基板，所述阵列基板上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝；所述对向基板上设置有黑矩阵，所述黑矩阵围绕成的开口区域与所述像素单元一一对应，所述黑矩阵与所述第一刻缝在所述黑矩阵上的垂直投影区域至少部分交叠。本专利技术实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的显示面板。本专利技术实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，通过在黑矩阵下方的电极进行镂空去除，使得黑矩阵下方电场强度减弱，从而使液晶转动幅度降低，减小斜视穿透率，能够有效地降低由于显示面板的上下基板对位发生偏差而形成的混色色偏。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图2是图1中沿A-A’的剖视图；图3是本专利技术实施例提供的公共电极的一种局部示意图；图4是本专利技术实施例提供的公共电极的另一种局部示意图；图5是本专利技术实施例提供的公共电极的第三种局部示意图；图6是本专利技术实施例提供的显示面板的剖视图；图7是本专利技术实施例提供的黑矩阵的结构示意图；图8a为本专利技术实施例提供的对位偏差为0的液晶分子Theta角的仿真测试结果示意图；图8b为本专利技术实施例提供的对位偏差为+1.5的液晶分子Theta角的仿真测试结果示意图；图8c为本专利技术实施例提供的对位偏差为-1.5的液晶分子Theta角的仿真测试结果示意图；图9a为本专利技术实施例提供的对位偏差为0的液晶分子Phi角的仿真测试结果示意图；图9b为本专利技术实施例提供的对位偏差为+1.5的液晶分子Phi角的仿真测试结果示意图；图9c为本专利技术实施例提供的对位偏差为-1.5的液晶分子Phi角的仿真测试结果示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板，具体地，可以参考图1，所述阵列基板包括衬底1，所述衬底1上设置有多条栅极线2和多条数据线3，所述栅极线2和所述数据线3彼此绝缘交叉限定出多个像素单元4，所述像素单元4包括层叠设置的第一电极5和第二电极6，所述第二电极6具有至少一个支电极7，所述第一电极5在所述像素单元4之间沿所述数据线3延伸方向8上设置有至少一条第一刻缝9。图2是图1中沿A-A’的剖视图，从图2可以看出，所述第一电极5与第二电极的支电极7之间设置有绝缘层10，所述第一电极设置在所述绝缘层与所述衬底之间。其中，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。公共电极5与数据线3之间设置有绝缘层11，所述数据线3和所述第一刻缝9在所述数据线上的垂直投影区域至少部分交叠。在本专利技术实施例中，公共电极连接为一个整体，即公共电极可以镂空设置。所述公共电极包括主体部和第一连接部，所述第一连接部电连接相邻所述主体部，所述第一刻缝设置在相邻所述主体部之间。具体地，如图3所示，图中阴影部分为公共电极5，其中，公共电极5连接为一个整体，公共电极5上设置有第一刻缝9，所述公共电极5包括两个主体部12和一个第一连接部13，所述第一连接部13设置在相邻主体部12之间，并且将相邻主体部12电连接，所述第一刻缝9设置在所述主体部12之间。以上仅为本专利技术实施例的一种实施方式，本专利技术实施例的实施方式还可以为，所述公共电极的相邻主体部之间设置有两个所述第一连接部，两个所述第一连接部分别位于所述主体部的两端。如图4所示，图中阴影部分为公共电极5，其中，公共电极5连接为一个整体，公共电极5上设置有第一刻缝9，所述公共电极5包括两个主体部12和两个第一连接部13，两个所述第一连接部13分别位于所述主体部的两端。所述第一连接部13与所述主体部12电连接，所述第一刻缝9设置在所述主体部12之间。以上仅为本专利技术实施例的一种实施方式，在本专利技术的实施例中，公共电极连接为一个整体，所述公共电极可以包含以上两种实施方式中公共电极的结构。即所述公共电极包括两个主体部和三个第一连接部，所述第一连接部电连接相邻所述主体部，所述第一刻缝设置在相邻所述主体部之间；其中，两个所述第一连接部分别位于所述主体部的两端。具体地，如图5所示，图中阴影部分为公共电极5，其中，公共电极5连接为一个整体，公共电极5上设置有第一刻缝9，所述公共电极5包括两个主体部12和三个第一连接部13，所述第一连接部13设置在相邻主体部12之间，并且将相邻主体部12电连接，所述第一刻缝9设置在所述主体部12之间，其中有两个第一连接部13分别位于所述主体部的两端。以上仅为本专利技术实施例的一种实施方式，公共电极可以包括多个主体部，只要在相邻主体部之间设置第一连接部，将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对向基板，所述阵列基板包括衬底，所述衬底上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝；所述第一电极与所述第二电极的支电极之间设置有绝缘层，所述第一电极设置在所述绝缘层与所述衬底之间，所述第二电极设置在所述绝缘层背离所述衬底的一侧；所述对向基板上设置有黑矩阵，所述黑矩阵围绕成的开口区域与所述像素单元一一对应，所述黑矩阵与所述第一刻缝在所述黑矩阵上的垂直投影区域至少部分交叠；所述黑矩阵下方的所述第一电极进行整条挖槽去除；所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；在任一所述像素单元内，所述第一电极为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李静，周婷，沈柏平，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35