【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低功耗短路保护电路，其特征在于：包括MOS管Q2、运算放大器IC1A、可控硅Q1、二极管D1和电阻R‑R4；MOS管Q2的漏极连接可控硅Q1阳极及连接电阻R2的一端、电阻R1的一端，电阻R2的另一端连接可控硅Q1阴极、运算发达器IC1A的正输入端、取样电阻RA的一端和接地GND，取样电阻RA的另一端连接二极管D1的负极，二极管D1的正极连接运算发达器IC1A的负输入端及通过电阻R4连接电源VCC，电阻R1的另一端连接电源VCC；MOS管Q2的栅极接地GND，MOS管Q2的源极连接输出端OUT‑GND；运算放大器IC1A的输出端通过电阻R3连接可控硅Q1的门极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姚长标，黄祖好，林建和，
申请(专利权)人：广东瑞德智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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