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本发明涉及一种低功耗短路保护电路，其特征在于：包括MOS管Q2、运算放大器IC1A、可控硅Q1、二极管D1和电阻R-R4；MOS管Q2的漏极连接可控硅Q1阳极及连接电阻R2的一端、电阻R1的一端，电阻R2的另一端连接可控硅Q1阴极、运算发达...
该专利属于广东瑞德智能科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东瑞德智能科技股份有限公司授权不得商用。

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