一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜制造技术

本发明专利技术涉及一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜，所述钝化减反射多层膜底层为SiOx层，SiOx层折射率为1.48-1.8，厚度为2-20nm；多层钝化减反射膜中间层为SiNx层，SiNx层可以是单层SiN，也可以是不同折射率的多层SiN，折射率范围是1.9-2.20，厚度为30-70nm；钝化减反射多层膜顶层为SiOxNy层，SiOxNy层折射率为1.6-1.95，厚度为20-60nm；钝化减反射多层膜的总膜厚为80-140um，折射率1.9-2.1。该高效黑太阳电池的多层钝化减反射膜既可以降低电池片表面界面态，提高钝化效果，又可以降低电池片表面反射率，提高短路电流，同时还具有较好的抗PID衰减特性，且制备的黑电池层压后颜色较暗、均匀、无色差。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜，其特征在于：包括在硅片表面依次沉积的SiOx层、单层SiNx或双层SiNx层和SiOxNy层；所述的SiOx层、单层或双层SiNx层和SiOxNy层的总膜厚为80～140nm，折射率为1.9～2.1；所述的SiOx层、单层或双层SiNx层和SiOxNy层中，SiOx层为底层；所述的底层SiOx层的膜厚为2～20nm，折射率为1.48～1.8；所述的SiOx层、单层或双层SiNx层和SiOxNy层中，单层或多层SiNx层为中间层；所述的中间层的总膜厚为30～70nm，折射率为1.9～2.2；所述的SiOx层、单层或双层SiNx层和SiOxNy层中，SiOxNy层为顶层；所述的顶层SiOxNy层的膜厚为20～60nm，折射率为1.6～1.95。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：瞿辉，徐春，曹玉甲，张一源，
申请(专利权)人：江苏顺风光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32