一种电性失效分析方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电性失效分析方法，利用存储单元的电流拼图进行一种直观性，准确性和高效性的电性分析测试，电流高低不同的存储单元会以深浅不一的颜色显示出来，而不是像比特拼图只能表示存储单元是处于‘0’还是‘1’状态，可以清楚地知道失效地址是硬失效还是边缘失效，因此发现一些比特拼图不能发现电性失效图案对应的物理位置，给后续物理失效分析指明确切的分析方向，从而提高分析效率和失效案例的命中率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电性失效分析方法，其特征在于，应用于对失效芯片的存储单元进行失效分析，所述方法包括：步骤S1、对所述失效芯片进行读操作，以获取所述存储单元的失效地址和比特拼图；步骤S2、测量所述失效地址中的物性/电性扇区内的所有存储单元的电流，并获取测量结果的物性地址；步骤S3、根据所述测量结果的物性地址生成一电流拼图和一电流分布趋势图；步骤S4、根据所述电流分布趋势图获取失效的物性地址位于所述电流拼图中的物理位置；步骤S5、根据所述失效的物性地址的物理位置和所述比特拼图对所述失效芯片的存储单元进行失效分析。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周第廷，陆磊，张顺勇，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42