一种阵列基板及制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及制作方法、显示装置，用以在不增加现有工艺难度的条件下，降低阵列基板显示区和非显示区之间的电压降，提高显示质量。所述阵列基板，包括衬底基板，衬底基板划分为显示区和非显示区，衬底基板上设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管上设置有平坦层，平坦层上设置有有机发光层，阵列基板还包括设置在有机发光层上的上电极，其中至少部分位于非显示区的上电极的厚度大于位于显示区的上电极的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光显示
，尤其涉及一种阵列基板及制作方法、显示装置。
技术介绍
现有技术作为以薄膜晶体管为控制元件，有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)为光发射介质的显示技术具有高清晰度、广视角、易实现弯曲柔性化显示等优势得到广泛的应用。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板及制作方法、显示装置，用以在不增加现有工艺难度的条件下，降低阵列基板显示区和非显示区之间的电压降，提高显示质量。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区和非显示区，所述衬底基板上设置有薄膜晶体管、有机发光层及设置于所述有机发光层之上的上电极，其中至少部分位于所述非显示区的所述上电极的厚度大于位于所述显示区的所述上电极的厚度。由本专利技术实施例提供的阵列基板，由于阵列基板包括设置在有机发光层上的上电极，其中至少部分位于所述非显示区的所述上电极的厚度大于位于所述显示区的所述上电极的厚度，即本专利技术实施例采用分区设置上电极层的厚度，在保证显示区的透光率的情况下，有效地降低非显示区的上电极的电阻率，减小电学接触区接触不良情况的产生，从而能够提高显示的均匀度与产品的制作良率。较佳地，所述薄膜晶体管包括：依次位于所述衬底基板上的半导体有源层、栅极绝缘层、栅极、绝缘层、源极和漏极；或，所述薄膜晶体管包括：依次位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极和漏极。这样，薄膜晶体管可以采用顶栅型结构，也可以采用底栅型结构，在实际生产中更加灵活、方便。较佳地，所述衬底基板和所述薄膜晶体管之间设置有缓冲层。这样，缓冲层的设置能够起到平坦衬底基板的作用，同时能够防止衬底基板中的杂质原子扩散到薄膜晶体管中。较佳地，还包括设置在衬底基板上的平坦层和像素电极，所述平坦层位于所述薄膜晶体管和有机发光层之间，所述像素电极位于所述平坦层上，且通过在平坦层上的过孔与薄膜晶体管暴露出的源极或漏极连接，所述有机发光层位于所述像素电极上。较佳地，还包括辅助电极，所述辅助电极位于衬底基板的非显示区，与所述像素电极位于同一层，所述上电极位于所述辅助电极上并与所述辅助电极电连接，位于所述辅助电极上的上电极的厚度大于位于所述像素电极上方的上电极的厚度。这样，辅助电极的设置能够进一步降低上电极的电阻率。较佳地，上电极为阳极，或所述上电极为阴极。这样，既可以对上电极施加正的电压，也可以对上电极施加负的电压，在实际工艺过程中更加方便、简单。较佳地，所述上电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌的单层膜，或为氧化铟锡和氧化铟锌的复合膜。这样，上电极的材料选择更加方便、简单。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板。由于本专利技术实施例的显示装置包括上述的阵列基板，因此本专利技术实施例的显示装置的显示均匀度较好。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括薄膜晶体管的制作、有机发光层的制作及上电极的制作，在所述上电极的制作中，通过构图工艺使至少部分位于阵列基板非显示区的所述上电极的厚度大于位于阵列基板显示区的所述上电极的厚度。由本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，由于该制作方法制作得到的上电极至少部分位于阵列基板非显示区的厚度大于位于阵列基板显示区的厚度，因此本专利技术实施例制作得到的上电极在保证显示区的透光率的情况下，能够有效地降低非显示区的上电极的电阻率，减小电学接触区接触不良情况的产生，从而能够提高阵列基板显示的均匀度与产品的制作良率。较佳地，所述构图工艺采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板制作所述上电极，具体包括：在有机发光层上形成透明导电薄膜；在所述透明导电薄膜上形成光刻胶，通过半色调掩膜板或灰色调掩膜板进行曝光、显影，形成光刻胶完全覆盖区、光刻胶部分覆盖区和无光刻胶覆盖区，其中，所述光刻胶完全覆盖区对应阵列基板的非显示区，光刻胶部分覆盖区对应阵列基板的显示区；通过刻蚀，去除无光刻胶覆盖区的所述透明导电薄膜，并去除光刻胶部分覆盖区的光刻胶，暴露出光刻胶部分覆盖区的透明导电薄膜；通过刻蚀，去除暴露出的部分厚度的所述透明导电薄膜，形成位于阵列基板显示区的上电极；去除剩余光刻胶，形成位于阵列基板非显示区的上电极，位于所述非显示区的上电极的厚度大于位于所述显示区的上电极的厚度。这样，采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板制作上电极，在实际制作过程中更加方便、简单。附图说明图1为一种阵列基板的截面结构示意图；图2为另一种降低上电极电阻率的阵列基板的截面结构示意图；图3为又一种降低上电极电阻率的阵列基板的截面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的截面结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的设置有辅助电极的阵列基板的截面结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种阵列基板制作上电极的方法流程图；图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板沉积透明导电薄膜后的截面结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的对图8沉积的透明导电薄膜进行光刻处理工艺时的截面结构示意图。具体实施方式如图1所示，阵列基板的主要结构包括：衬底基板10，设置在衬底基板10上的缓冲层11，设置在缓冲层11上的半导体有源层12，设置在半导体有源层12上的栅极绝缘层13，设置在栅极绝缘层13上的栅极14，设置在栅极14上的绝缘层15，设置在绝缘层15上的源极16和漏极17，设置在源极16和漏极17上的平坦层18，设置在平坦层18上的像素电极19，设置在像素电极19上的有机发光限定层110，设置在有机发光限定层110上的有机发光层111，设置在有机发光层111上的上电极112。现有技术为了提高有机发光层111的光利用率，上电极112通常采用透明导电材料，而透明导电材料一般比单一导电金属材料具有更高的电阻率；此外，为了提高射出显示屏的显示亮度，还需要增加透明导电材料的透光率，透光率的增加则通常采用减薄透明导电层的方式来实现。透明导电层厚度的减小进一步增大了其电阻率，在大尺寸的显示屏中，显示区和非显示区之间会发生较大的电压降，影响发光层的发射电流注入，造成显示质量劣化。如图2所示，为了降低阵列基板的显示区和非显示区之间的电压降，在非显示区增加一层金属走线层20，金属走线层20与上电极112电连接，达到减小电阻，进而降低显示区和非显示区之间的电压降的目的。另外，如图3所示，采用导电油墨30与上电极112相连接的方式减小电阻，进而降低显示区和非显示区之间的电压降。综上所述，阵列基板显示区和非显示区之间会发生较大的电压降，影响发光层的发光，造成显示质量劣化；目前，降低显示区和非显示区之间的电压时，需要新增加导电金属走线层和导电油墨，增加了制作工艺步骤，提高了制作工艺难度，同时，由于新增加的导电金属走线层会占据显示区域，降低了显示的开口率，不利于高质量显示屏的制作。本专利技术实施例提供了一种阵列基板及制作方法、显示装置，用以在不增加现有工艺难度的条件下，降低阵列基板显示区和非显示区之间的电压降，提高显示质量。为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区和非显示区，所述衬底基板上设置有薄膜晶体管、有机发光层及设置于所述有机发光层之上的上电极，其特征在于，其中至少部分位于所述非显示区的所述上电极的厚度大于位于所述显示区的所述上电极的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区和非显示区，所述衬底基板上设置有薄膜晶体管、有机发光层及设置于所述有机发光层之上的上电极，其特征在于，其中至少部分位于所述非显示区的所述上电极的厚度大于位于所述显示区的所述上电极的厚度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：依次位于所述衬底基板上的半导体有源层、栅极绝缘层、栅极、绝缘层、源极和漏极；或，所述薄膜晶体管包括：依次位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极和漏极。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板和所述薄膜晶体管之间设置有缓冲层。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置在衬底基板上的平坦层和像素电极，所述平坦层位于所述薄膜晶体管和有机发光层之间，所述像素电极位于所述平坦层上，且通过在平坦层上的过孔与薄膜晶体管暴露出的源极或漏极连接，所述有机发光层位于所述像素电极上。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括辅助电极，所述辅助电极位于衬底基板的非显示区，与所述像素电极位于同一层，所述上电极位于所述辅助电极上并与所述辅助电极电连接，位于所述辅助电极上的上电极的厚度大于位于所述像素电极上方的上电极的厚度。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述上电极为阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11