与针对两级存储器系统的读取和写入窗口预算相关联的技术技术方案

针对与针对两级存储器（2LM）系统的读取和写入窗口预算相关联的技术的示例被公开。在一些示例中，可以建立针对包括第一级存储器和第二级存储器的2LM系统的读取和写入窗口预算。建立的读取和写入窗口预算可以包括第二级存储器的第一组存储器地址和第二组存储器地址的组合。第一组存储器地址可以与相比于针对与第二组存储器地址相关联的非易失性存储器单元的单元阈值电压分布而言具有更宽的单元阈值电压分布的非易失性存储器单元相关联。根据一些示例，建立的读取和写入窗口预算可以是当履行去往第二级存储器的读取或写入请求时满足针对给定量的存储器的完成时间阈值以及针对给定量的存储器的可接受的错误率阈值二者的策略的一部分。描述和要求保护其它示例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】与针对两级存储器系统的读取和写入窗口预算相关联的技术
技术介绍
计算设备可以使用两级存储器（2LM）系统作为主存储器的形式。2LM系统的第一级可以被称为“近存储器”而第二级可以被称为“远存储器”。相比于第二级存储器，第一级存储器一般具有较小的存储器容量。与包括在第二级存储器中的存储器的类型相比，第一级存储器可以包括具有更快的写入和/或读取完成时间的存储器类型。因而，在2LM系统中，第一级存储器可以用作针对第二级存储器的写入和/或读取高速缓存。当确定每一级的相对容量以及包括在每一级中的存储器的类型二者时，使用存储器的两级的总写入/读取完成时间是重要的考虑。附图说明图1图示了示例性两级存储器（2LM）系统。图2图示了示例性单元阈值电压（Vt）分布。图3图示了示例性前台写入过程。图4图示了示例性后台写入过程。图5图示了示例性第一写入冲突过程。图6图示了示例性第二写入冲突过程。图7图示了示例性读取冲突过程。图8图示示例性装置。图9图示了示例性逻辑流。图10图示了示例性储存介质。图11图示了示例性计算平台。具体实施方式如在本公开中所预计的，当确定每一级的相对容量以及包括在每一级中的存储器的类型二者时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：建立针对包括第一级存储器和第二级存储器的两级存储器（2LM）系统的读取和写入窗口预算，读取和写入窗口预算包括第二级存储器的第一组存储器地址和第二组存储器地址的组合，第一组存储器地址与相比于针对与第二组存储器地址相关联的非易失性存储器单元的单元阈值电压分布而言具有更宽的单元阈值电压分布的非易失性存储器单元相关联；接收向2LM系统写入数据的写入请求；以及基于读取和写入窗口预算而使数据被写入到第二级存储器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.26 US 13/6273801.一种用于读取和写入窗口预算的方法，包括：建立针对包括第一级存储器和第二级存储器的两级存储器2LM系统的读取和写入窗口预算，读取和写入窗口预算包括第二级存储器的第一组存储器地址和第二组存储器地址的组合，第一组存储器地址与相比于针对与第二组存储器地址相关联的非易失性存储器单元的单元阈值电压分布而言具有更宽的单元阈值电压分布的非易失性存储器单元相关联；接收向2LM系统写入数据的写入请求；以及基于读取和写入窗口预算而使数据被写入到第二级存储器。2.根据权利要求1的方法，包括与第一组存储器地址相关联的非易失性存储器单元经由不包括错误校正的前台写入过程的使用来存储数据。3.根据权利要求2的方法，包括与第二组存储器地址相关联的非易失性存储器单元经由后台写入过程的使用来存储至少一部分数据，所述后台写入过程包括：实现针对经由前台写入过程的使用而写入到与第二组存储器地址相关联的非易失性存储器单元的至少一部分数据的错误校正码（ECC）方案；在ECC方案的实现之后使至少一部分数据被存储在与第二级存储器分离的写入高速缓存中；以及通过使用多脉冲验证算法来使至少一部分数据被写回到与第二组存储器地址相关联的非易失性存储器单元，所述多脉冲验证算法能够相比于针对与第一组存储器地址相关联的非易失性存储器单元的单元阈值电压分布而收窄针对与第二组存储器地址相关联的存储器单元的单元阈值电压分布。4.根据权利要求3的方法，包括：接收写入附加数据的后续写入请求；以及使附加数据基于读取和写入窗口预算而被写入到第二级存储器，使附加数据经由前台写入过程的使用而被写入到与第三组存储器地址相关联的非易失性存储器单元，以及使附加数据中的至少一些经由后台写入过程的使用而被写入到与第四组存储器地址相关联的非易失性存储器单元。5.根据权利要求4的方法，包括第二组存储器地址不同于第四组存储器地址。6.根据权利要求4的方法，包括第三组存储器地址与第二组存储器地址包括至少一个共同的存储器地址，并且向与至少一个共同的存储器地址相关联的非易失性存储器单元写入附加数据包括：确定用于写入与之前接收到的写入请求相关联的数据到非易失性存储器单元的后台写入过程的状态；以及使附加数据基于后台写入过程的状态而被写入到第二级存储器。7.根据权利要求6的方法，包括后台写入过程的状态指示后台写入过程的完成，并且使附加数据被写入到第二级存储器包括通过使用前台写入过程而向非易失性存储器单元写入附加数据。8.根据权利要求6的方法，包括后台写入过程的状态指示后台写入过程的部分完成，并且使附加数据被写入到第二级存储器包括：使附加数据更新作为部分完成的后台写入过程的结果而被写入到写入高速缓存的、与之前接收到的写入请求相关联的数据；调度经更新的数据以被写入到第二级存储器中的非易失性存储器单元；以及使用前台写入过程或后台写入过程以使经更新的数据被写入到第二级存储器中的非易失性存储器单元。9.根据权利要求3的方法，包括：接收从包括在第二组存储器地址中的存储器地址读取数据的读取请求；确定用于向与存储器地址相关联的非易失性存储器单元写入与接收到的写入请求相关联的数据的后台写入过程的状态；以及使数据基于后台写入过程的状态而被读取。10.根据权利要求9的方法，包括后台写入过程的状态指示后台写入过程的完成，并且使数据被读取包括使数据从与存储器地址相关联的非易失性存储器单元被读取。11.根据权利要求9的方法，包括后台写入过程的状态指示后台写入过程的部分完成，并且使数据被读取包括使数据从写入高速缓存被读取，所述写入高速缓存被用来至少部分地完成针对存储在与存储器地址相关联的非易失性存储器单元处的数据的后台写入过程。12.根据权利要求3的方法，包括基于当履行去往第二级存储器的读取或写入请求时满足针对给定量的存储器的完成时间阈值以及针对给定量的存储器的可接受的错误率阈值二者来建立读取和写入窗口预算，前台写入过程相比于后台写入过程具有更快的完成时间，后台写入过程相比于前台写入过程具有更低的错误。13.一种用于读取和写...

【专利技术属性】
技术研发人员：K潘加尔，P丹勒，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US