数据读写方法、非接触芯片生产方法和芯片卡生产方法技术

本发明专利技术实施例提供一种非接触存储单元数据读写方法、非接触芯片生产方法、以及非接触芯片卡生产方法，上述非接触存储单元数据读写方法包括：对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接；通过所述物理连接进行所述非接触存储单元与所述非接触读卡器之间的数据传输。通过本发明专利技术实施例提供的数据读写方法，在实现非接触芯片的量产时，各个非接触存储单元之间不会互相干扰，能够保证数据读写的稳定性和可靠性，提高产品的合格率，从而降低生产成本并提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
数据读写方法、非接触芯片生产方法和芯片卡生产方法
本专利技术涉及非接触芯片卡
，特别涉及一种非接触存储单元数据读写方法、非接触芯片生产方法和非接触芯片卡生产方法。
技术介绍
非接触芯片卡是一种便携的存储介质，广泛使用于银行卡、二代身份证、居民健康卡等应用的信息识别。非接触芯片卡的数据读写是通过非接触读卡器实现的。非接触读卡器和非接触芯片卡中均设置有射频电路，射频电路中包括匹配电容和天线，且两个射频电路的工作频率相同，这样在非接触读卡器发送的电磁波激励下，非接触芯片中的射频电路产生共振，从而使得其中的匹配电容内有了电荷，在这个电荷的另一端，接有一个单向导通的电子泵，将匹配电容内的电荷送到另一个电容内存储，当所积累的电荷达到2V时，此电容可作为电源为其它电路提供工作电压，从而将非接触芯片卡中的数据发射出去或接收非接触读卡器写入的数据。因此，通过非接触读卡器的天线与非接触芯片的天线发生电感耦合，从而对载波信号进行接收和发送，实现对数据的写入。然而，在需要对芯片级或模块级的多个非接触芯片同时进行数据写入时，由于多个非接触读卡器和芯片的天线之间的干扰，这种通过天线发生电感耦合的数据读写方法将导致数据读写的稳定性和可靠性较差，在实现非接触芯片的量产时，需要完成操作系统的预安装等预个人化数据的写入，在采用上述数据读写方法进行预个人化数据的写入时，由于上述数据读写方法的稳定性和可靠性较低，将导致产品的不合格率升高，从而造成生产成本的升高和生产效率的下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种非接触存储单元数据读写方法、非接触芯片生产方法和非接触芯片卡生产方法，用于解决现有技术中多个非接触芯片同时进行数据写入时，由于多个非接触读卡器和芯片的天线之间的干扰所导致的数据读写的稳定性和可靠性较差的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种非接触存储单元数据读写方法，所述方法包括：对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接；通过所述物理连接进行所述非接触存储单元与所述非接触读卡器之间的数据传输。优选地，所述对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接具体包括：对非接触存储单元的匹配电容与非接触读卡器的匹配电容进行物理连接。优选地，所述对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接包括：通过针板对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接。优选地，所述对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接包括：通过数据连接线对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接。优选地，所述针板包括N1个第一接口和N1个第二接口，其中，N1个第一接口和N1个第二接口一一对应地相互连接，N1为大于或等于2的整数；对于其中的一组第一接口和对应的第二接口，所述第一接口连接至非接触存储单元的匹配电容，所述对应的第二接口连接至与所述非接触存储单元对应的非接触读卡器的匹配电容。优选地，所述第一接口的位置分布对应于条带上非接触存储单元的位置分布，所述条带上承载有多个所述非接触存储单元。优选地，所述针板包括24个第一接口和24个第二接口，所述24个第一接口按照3行8列整齐排列分布在所述针板的中间区域，所述24个第二接口分布在所述针板的四个周边区域。为了解决上述技术问题，本专利技术还提供一种非接触芯片生产方法，所述非接触芯片卡生产方法包括：步骤S201、形成非接触芯片模块；步骤S202、对所述非接触芯片模块进行预个人化数据写入；其中，在步骤S202中，采用如权利要求1～7中任一项所述的非接触存储单元数据读写方法，使用非接触读卡器进行所述非接触芯片模块的预个人化数据写入，所述非接触存储单元具体为所述非接触芯片模块；步骤S203、对预个人化数据写入之后的非接触芯片模块进行加工，得到已写入预个人化数据的非接触芯片。优选地，所述预个人化数据包括芯片操作系统、和/或，文件结构创建和/或初始化、和/或应用安装。为了解决上述技术问题，本专利技术还提供一种非接触芯片卡生产方法，所述非接触芯片卡生产方法包括：步骤S301、采用如权利要求8或9所述的非接触芯片生产方法生产已写入预个人化数据的非接触芯片；步骤S302、利用所述已写入预个人化数据的非接触芯片，加工出包括所述非接触芯片的非接触芯片卡。本专利技术的有益效果包括：通过物理连接实现非接触存储单元与所述非接触读卡器，能够避免通过天线发生电感耦合的数据读写方法中，在对多个非接触存储单元同时进行数据读写时，由于多个非接触读卡器和芯片的天线之间的干扰所造成的数据读写的稳定性和可靠性较差，通过本专利技术实施例提供的数据读写方法，在实现非接触芯片的量产时，各个非接触存储单元之间不会互相干扰，能够保证数据读写的稳定性和可靠性，提高产品的合格率，从而降低生产成本并提高生产效率。附图说明图1本专利技术实施例提供的一种非接触存储单元数据读写方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例中非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接的示意图；图3为包含非接触芯片模块的一段条带的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的数据连接线连接方式的示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种针板的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的非接触芯片生产方法的流程示意图；图7为本专利技术实施例提供的非接触芯片卡生产方法的流程示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术实施例提供的一种非接触存储单元数据读写方法、非接触芯片生产方法和非接触芯片卡生产方法进行详细描述。请参阅图1，为本专利技术实施例提供的一种非接触存储单元数据读写方法的流程示意图，如图1所示，本专利技术实施例提供一种非接触存储单元数据读写方法，所述方法包括：步骤S101、对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接；步骤S102、通过所述物理连接进行所述非接触存储单元与所述非接触读卡器之间的数据传输。本专利技术实施例中的非接触存储单元可以是非接触芯片，也可以是非接触芯片模块。本专利技术实施例中，通过物理连接实现非接触存储单元与所述非接触读卡器，能够避免通过天线发生电感耦合的数据读写方法中，在对多个非接触存储单元同时进行数据读写时，由于多个非接触读卡器和芯片的天线之间的干扰所造成的数据读写的稳定性和可靠性较差，通过本专利技术实施例提供的数据读写方法，在实现非接触芯片的量产时，各个非接触存储单元之间不会互相干扰，能够保证数据读写的稳定性和可靠性，提高产品的合格率，从而降低生产成本并提高生产效率。其中，步骤S101中，所述对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接具体包括：对非接触存储单元的天线接头与非接触读卡器的匹配电容进行物理连接。请参阅图2，为本专利技术实施例提供的非接触存储单元数据读写方法中，对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接的示意图。对于非接触存储单元，其中的天线部分和匹配电容并联，非接触存储单元天线接头的两端等同于匹配电容的两端；同样，对于非接触读卡器，其中的天线接头的两端等同于匹配电容的两端。如图2所示，将非接触存储单元100的匹配电容的一端与非接触读卡器200的匹配电容的一端相连接，将非接触存储单元100的匹配电容的另一端与非接触读卡器200的匹配电容的另一端相连接。通过上述物理连接方式，可以通过非接触读卡器现有的读写方式对非接触存储单元进行数据读写操作，不需要对非接触读卡器进行其他硬件和软件上的改动，方便易用，且具有广泛的适用性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非接触存储单元数据读写方法，其特征在于，所述方法包括：对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接；通过所述物理连接进行所述非接触存储单元与所述非接触读卡器之间的数据传输。

【技术特征摘要】
1.一种非接触存储单元数据读写方法，其特征在于，所述方法包括：对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接；通过所述物理连接进行所述非接触存储单元与所述非接触读卡器之间的数据传输；所述对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接包括：通过针板对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接；或者，通过数据连接线对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对非接触存储单元与非接触读卡器进行物理连接具体包括：对非接触存储单元的匹配电容与非接触读卡器的匹配电容进行物理连接。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述针板包括N1个第一接口和N1个第二接口，其中，N1个第一接口和N1个第二接口一一对应地相互连接，N1为大于或等于2的整数；对于其中的一组第一接口和对应的第二接口，所述第一接口连接至非接触存储单元的匹配电容，所述对应的第二接口连接至与所述非接触存储单元对应的非接触读卡器的匹配电容。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一接口的位置分布对应于条带上非接触存储单元的位置分布，所述条带上承载有多个所述非接触存储单元。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述针板包括24个第一接口和24个第二接口，所述24个第一接口按照3行8列整齐排列分布在所述针板的中间区域，所述2...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾小勇，雷黎丽，
申请(专利权)人：大唐微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11