一种氢气传感器的制作方法技术

技术编号:11367890 阅读:65 留言:0更新日期:2015-04-29 18:33
本发明专利技术涉及电子材料技术领域,尤其是涉及一种氢气传感器的制作方法。包括以下步骤:第一步、对金属氧化物进行退火处理;第二步、将氯化物、聚乙烯吡咯烷酮、NaI·2H2O和去离子水同时加入盛有二甲基甲酰胺的烧杯中,第三步、将第二步得到的金属氧化物室温氢气敏感材料超声分散到无水乙醇中,然后将分散后的悬浊液滴在清洁过的叉指电极上,待乙醇挥发完全后得到气敏芯片,然后将气敏芯片与外围电路连接,得到氢气传感器。本发明专利技术制成的室温氢气传感器响应速度快,灵敏度高,均一性好,制作简单,成本低。可广泛应用于需要检测氢气泄露的情况,尤其适合于氢气浓度较高、用传统的高温传感器容易引发安全事故的场所。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氢气传感器的制作方法,所述氢气传感器包括阳极氧化铝支撑层;纳米金属钯层,所述纳米金属钯层设置在所述阳极氧化铝支撑层上;保护薄膜层;所述保护薄膜层贴覆在纳米金属靶层之上;叉指电极,所述叉指电极设置在所述纳米金属钯层上;其特征在于包括以下步骤:第一步、对金属氧化物进行退火处理;第二步、将氯化物、聚乙烯吡咯烷酮、NaI·2H2O 和去离子水同时加入盛有二甲基甲酰胺的烧杯中,所述氯化物为氯化钯或氯化铂,得到棕黑色溶液,将棕黑色溶液转移至反应釜中,然后将步骤 1) 中退火处理后的金属氧化物加入到反应釜中并进行超声分散,分散完全后将反应釜密封并在设定的生长温度下放置,反应完毕冷却至室温后,将所得产物离心并用无水乙醇洗涤,最后将产物分散在溶剂中,得到在表面沉积有钯或铂纳米颗粒的金属氧化物室温氢气敏感材料;第三步、将第二步得到的金属氧化物室温氢气敏感材料超声分散到无水乙醇中,然后将分散后的悬浊液滴在清洁过的叉指电极上,待乙醇挥发完全后得到气敏芯片,然后将气敏芯片与外围电路连接,得到氢气传感器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:禹胜林
申请(专利权)人:无锡信大气象传感网科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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