轨到轨峰值检测电路及其方法技术

技术编号:11359696 阅读:76 留言:0更新日期:2015-04-29 10:36
本发明专利技术公开了一种轨到轨峰值检测电路及其方法,该方法包括以下步骤:当输入电压增加时,第一晶体管的栅极电压随之增加,则第一晶体管与第三晶体管的漏极电流差流向第五晶体管;由第六晶体管对第五晶体管的电流差进行镜像;由镜像后的电流差对电容进行持续充电;直至输出电压等于输入电压时,电容停止充电;当输入电压下降时,电容保持输入的最高电压,该最高电压指示为正向峰值电压。本发明专利技术晶体管导通时,压差远小于二极管压差,这样使得输出可以达到电源电压,使得输出的即为真正的输入峰值,同时又可达到电源电压,即轨到轨的输出;该方法采用晶体管的作用产生漏极电流差,再由电流镜对电流差进行镜像处理,不仅方便集成,而且精确实现峰值检测。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种轨到轨峰值检测电路,其特征在于,包括由第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管构成的运放电路、由第五晶体管及第六晶体管构成的电流镜电路和电容;所述第一晶体管的栅极接收输入信号,第一晶体管的源极和第二晶体管的源极所形成的公共端接地,所述第一晶体管的漏极与第三晶体管的漏极电连接,第三晶体管的栅极与第四晶体管的栅极所形成的公共端通过电流源接地,第四晶体管的漏极电连接至第二晶体管的漏极,所述第二晶体管的栅极电连接至电容的一端,所述第五晶体管的栅极和第六晶体管所形成的公共端与第五晶体管的漏极分别电连接至第一晶体管和第三晶体管所形成的公共端,所述第六晶体管的漏极与电容的另一端电连接并对电容进行充电,所述电容的另一端接地,所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管的源极依次串连接;当输入电压增加时,第一晶体管的栅极电压随之增加,则第一晶体管与第三晶体管的漏极电流差流向第五晶体管,并由第六晶体管对第五晶体管的电流差进行镜像,由镜像后的电流差对电容进行持续充电,直至输出电压等于输入电压时,电容停止充电;当输入电压下降时,电容保持输入的最高电压,该最高电压指示为正向峰值电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:唐顺柏
申请(专利权)人:深圳市依崇微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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