【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于复合材料
,特别涉及一种集成电路引线框架用复合材料及其 制造方法。
技术介绍
引线框架材料是现代电子工业不可缺少的材料。引线框架材料的发展大致经历 了 Fe-Ni-Co可伐合金到FeNi42合金,再到铜合金的三个阶段,三种材料的优缺点见表1。 随着信息技术的发展,集成电路向小型化、微型化和薄片化方向发展,这对引线框架材料 的性能提出了更高的要求。即在具有高的强度、高的导电性,良好的导热性以及与硅芯片 (3.5X10_7°C)良好的匹配性。 表1三种引线框架材料比较【主权项】1. 一种集成电路引线框架用复合材料,其特征在于,包括三个组元层,成三明治结构, 第一组元层和第三组元层为铁镍合金FeNi42,第二组元层为铜合金;按体积百分比分配 为:第一组元层占12?18%,第二组元层占64?76%,第三组元层占12?18%。2. 根据权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述的体积百分比为:第一组元层占 15%,第二组元层占70%,第三组元层占15%。3. -种权利要求1所述的复合材料的制备方法,具体步骤及参数如下: 1) 准备体积比为12?18%的第一组元层,64?76%的第二组元层和12?18%的第 三组元层的材料坯料; 2) 将坯料通过复合轧机进行复合,复合压下量为50?80% ; 3) 用罩式炉或连续退火炉进行扩散退火; 4) 将复合带材进行精轧; 5) 将复合材料成品进行拉矫,按照实际要求对带材进行分剪后包装。4. 根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述的步骤3)中罩式炉退火工艺为, 在真空或者保护气氛下 ...
【技术保护点】
一种集成电路引线框架用复合材料,其特征在于,包括三个组元层,成三明治结构,第一组元层和第三组元层为铁镍合金FeNi42,第二组元层为铜合金;按体积百分比分配为:第一组元层占12~18%,第二组元层占64~76%,第三组元层占12~18%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:彭伟锋,张荣,张静,蔡凯洪,于敏,谢东辉,李占青,张乐,
申请(专利权)人:北京北冶功能材料有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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