一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，包括步骤：对硅片表面进行制绒；扩散工序，在所述硅片正表面形成PN结；采用湿法刻蚀对所述硅片进行去边缘PN结处理及去PSG处理；在所述硅片正表面制备减反射膜；采用激光在所述硅片上开过孔；制备形成所述硅片的正电极、负电极及过孔电极。所述制作方法，采用激光对硅片开过孔是在硅片表面制备减反射膜之后，而在制备减反射膜之前已通过湿法刻蚀一步完成对电池片的去边缘PN结处理和去PSG处理。相比于现有的制作方法，省去了单独采用激光对电池片的去边缘PN结处理，这不仅使MWT太阳能电池的制作工序大大简化，且提高了电池片生产的成品率，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法。
技术介绍
随着传统不可再生能源的不断消耗，人类面临的能源危机日趋严重，对太阳能等可再生能源的研发、利用已经成为全球性的热点研宄课题。太阳能电池结构简单，其原理是利用光生伏特效应把太阳能转换为电能。金属穿孔卷绕(metallizat1n wrap-through, MWT)娃太阳能电池是一种新型结构的太阳能电池，是通过在硅片上打孔，将正面导电栅线的接触电极穿过硅片基体引导至硅片背面，使正面收集的载流子通过孔内电极转移到背面的电极上，这样可省去太阳能电池片正面的主栅线，大大降低电池片正表面的遮光面积，使电池片正面的活性发电面积增大，从而提高太阳能电池片的光电转换效率。现有的MWT太阳能电池的制作方法，是在制绒前进行激光开孔，在扩散工序后，对电池片作去边缘PN结处理和去PSG处理是分步进行的，需要先采用湿法刻蚀去PSG，然后采用激光进行去边缘PN结处理。由于所述制作方法中去边缘PN结处理和去PSG处理是分步进行的，且采用激光进行去边缘PN结处理，这导致MWT太阳能电池的制作工序繁琐，降低了电池片生产效率。因此，如何简化MWT太阳能电池制作工序提高其生产效率是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，能够简化现有的MWT太阳能电池的制作工序。本专利技术提供一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，包括以下步骤:对娃片表面进彳丁制域;扩散工序，在所述硅片正表面形成PN结；采用湿法刻蚀对所述硅片进行去边缘PN结处理及去PSG处理；在所述硅片正表面制备减反射膜；采用激光在所述硅片上开过孔；制备形成所述硅片的正电极、负电极及过孔电极。可选地，所述硅片为P型硅片；所述扩散工序为磷扩散。可选地，所述磷扩散为采用液态三氯氧磷扩散。可选地，所述减反射膜的厚度为70-90nm。可选地，所述减反射膜包括SiNx膜、Τ?02膜或MgF2膜。可选地，所述过孔的孔径为150-300 μ m。可选地，所述采用激光在所述硅片上开过孔包括:所述激光的平均功率为8W-20W，波长为 300nm-600nm。可选地，所述制备形成所述硅片的正电极、负电极及过孔电极包括:分别制备所述硅片的所述正电极、所述负电极及所述过孔电极的导电金属；烧结形成所述导电金属与所述硅片的欧姆接触。可选地，所述导电金属的制备方法包括丝网印刷、电镀或化学镀。可选地，所述烧结包括:经200°C烘干后进行900°C高温烧结。本专利技术所提供的一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，采用激光对硅片开过孔是在硅片表面制备减反射膜之后，而在制备减反射膜之前，已采用湿法刻蚀对经过制绒及扩散形成PN结的所述硅片进行去边缘PN结处理及去PSG处理，所述制作方法中去边缘PN结处理与去PSG处理是通过湿法刻蚀一步进行的，相比于现有的MWT太阳能电池制作方法，避免了单独采用激光对电池片的去边缘PN结处理，使MWT太阳能电池的制作工序大大简化。因此，所述制作方法简化了现有的MWT太阳能电池的制作工序。【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法的流程图；图2-1为采用本专利技术又一实施例提供的制作方法对硅片制绒后的结构示意图；图2-2为采用本专利技术又一实施例提供的制作方法对硅片进行扩散工序后的结构示意图；图2-3为采用本专利技术又一实施例提供的制作方法制备减反射膜后硅片的结构示意图；图2-4为采用本专利技术又一实施例提供的制作方法开过孔后硅片的结构示意图；图2-5为采用本专利技术又一实施例提供的制作方法在硅片制备形成各电极后的结构示意图。【具体实施方式】本专利技术提供一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，能够简化现有的MWT太阳能电池的制作工序。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步的详细说明。参见图1，本专利技术实施例提供的一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，包括以下步骤:SlO:对硅片表面进行制绒。Sll:扩散工序，在所述娃片正表面形成PN结。S12:采用湿法刻蚀对所述硅片进行去边缘PN结处理及去PSG处理。S13:在所述硅片正表面制备减反射膜。S14:采用激光在所述硅片上开过孔。S15:制备形成所述硅片的正电极、负电极及过孔电极。本实施例所述的一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，采用激光对硅片开过孔是在硅片表面制备减反射膜之后，而在制备减反射膜之前，已采用湿法刻蚀对经过制绒及扩散形成PN结的所述硅片进行去边缘PN结处理及去PSG处理，所述制作方法中去边缘PN结处理与去PSG处理是通过湿法刻蚀一步进行的，相比于现有的MWT太阳能电池制作方法，避免了单独采用激光对电池片的去边缘PN结处理，使MWT太阳能电池的制作工序大大简化。因此，所述制作方法简化了现有的MWT太阳能电池的制作工序。下面以P型硅片衬底的晶体硅MWT太阳能电池的制作为例，具体说明本专利技术提供的晶体硅MWT太阳能电池的制作方法。参见图2，包括以下步骤:S20:对P型晶体硅片表面进行制绒。对P型晶体硅片正表面进行常规酸制绒，酸性腐蚀液为HF，圆03和H 20形成的混合液，使硅片表面形成角锥体当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅MWT太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：对硅片表面进行制绒；扩散工序，在所述硅片正表面形成PN结；采用湿法刻蚀对所述硅片进行去边缘PN结处理及去PSG处理；在所述硅片正表面制备减反射膜；采用激光在所述硅片上开过孔；制备形成所述硅片的正电极、负电极及过孔电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘长明，蒋方丹，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33