本发明专利技术公开了一种高效硅异质结太阳能电池电镀电极制备方法，主要技术方案包括：在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层；其中，所述透明导电介质层上形成电镀掩膜包括凹槽；在所述凹槽位置电镀金属层。用以解决现有技术中存在电镀Cu工艺容易导致电池边缘漏电及Cu原子容易渗入电池内部的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅晶太阳能电池领域，更具体的涉及一种高效硅异质结太阳能电池电镀电极的制备方法。
技术介绍
随着传统能源的日益枯竭及环境污染问题的日益严重，光伏发电技术越来越受到关注，被认为是重要的可再生清洁能源。提高光伏电池的光电转换效率、降低发电成本，使其与传统的电网发电成本相比具有竞争力是光伏产业的目标。目前产业化晶体硅太阳电池前表面电极是利用丝网印刷Ag浆并烧结的技术形成图案化的Ag栅线，该技术的优点是工艺简单，产能较高。但该技术生产的电极栅线高宽比例小，导致电池遮光面积较大；烧结后浆料中有机物质的残留及结构缺陷导致栅线电阻较大；同时Ag的价格昂贵，不利于太阳电池转换效率的进一步提升及生产成本的降低。电镀Cu栅线技术是极具潜力的Ag栅线电极替代技术。其中，电镀Cu栅线技术相对电镀Ag栅线技术具有如下优势:Cu的价格比Ag的价格便宜；电镀Cu工艺可以在较低的温度下完成；电镀Cu工艺中获得的栅线很窄(〈20 μ m)。对于高效硅异质结太阳电池的电镀电极工艺流程中，通常先在透明导电介质层表面制备有栅线图案的抗电镀材料作为电镀掩膜。由于工艺条件限制，晶硅基片边缘及侧面很难同时被抗电镀层覆盖，在后续电镀过程中，晶硅基片的边缘和侧面在掺杂层和导电层材料覆盖下低电阻区域可能会生长上Cu颗粒，导致电池漏电，或者Cu离子渗入晶硅基片材料内部，严重影响电池性能。目前已知的太阳电池电镀电极技术中，通过后续腐蚀清洗的方法来去除电池边缘及侧面部分区域生长或附着的Cu颗粒，该方法同时会腐蚀Cu栅线导电层，并且无法有效去除电镀过程中通过侧面渗入硅片内部的Cu。综上所述，在无保护层保护的晶硅基片的边缘和四周的侧面在传统工艺下，存在电镀Cu工艺容易导致电池边缘漏电及Cu原子容易渗入电池内部的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供，用以解决现有技术中存在电镀Cu工艺容易导致电池边缘漏电及Cu原子容易渗入电池内部的问题。本专利技术实施例提供，包括:在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层；其中，所述透明导电介质层上形成电镀掩膜包括凹槽；在所述凹槽位置电镀金属层。进一步地，所述在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层，包括:通过丝网印刷工艺在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜以及在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层，其中，丝网印刷板包括镂空区域和栅线区域。进一步地，还包括:所述晶硅基片的上表面的边缘部分与所述印刷板的边缘部分水平距离为10?2000 μ??ο进一步地，所述在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层，包括:所述在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜；将所述晶硅基片上表面形成电镀掩膜的多个晶硅基片叠放，在所述叠放的多个晶硅基片四周的侧面形成保护层；其中，所述萱放的多个晶娃基片的边缘完全对齐。进一步地，所述在所述边缘对齐叠放的多个晶硅基片四周的侧面形成保护层，包括:在所述边缘对齐叠放的多个晶硅基片四周的侧面通过喷涂形成保护层。进一步地，所述在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层，包括:所述在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜；将所述晶硅基片上表面形成电镀掩膜的多个晶硅基片垂直放置于保护层液体材料中，依次使所述多个晶硅基片四周的侧面浸入到所述保护层液体材料中，在所述多个晶硅基片四周的侧面形成保护层。进一步地，所述依次使所述多个晶硅基片四周的侧面浸入保护层液体材料中，包括:使所述多个晶硅基片四周的侧面I?2000 μ m浸入到所述保护层液体材料中。进一步地，所述在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，包括:在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上，通过印刷、喷涂或旋涂方法形成保护层。进一步地，还包括:采用化学腐蚀、直接剥离或溶剂溶解去除所述沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜；或者采用化学腐蚀、直接剥离或溶剂溶解去除所述沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜以及所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层。进一步地，所述保护层的厚度0.Ιμπι?1000 μm。进一步地，所述电镀掩膜材料包括油墨或光刻胶。本专利技术实施例在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层；其中，所述透明导电介质层上形成电镀掩膜包括凹槽；采用上述方法，在电镀金属层之前，对晶硅基片的四周的侧面进行覆盖保护，在电镀金属层的时候，减少了由电镀工艺导致电池边缘漏电的现象，同时也减少了电镀金属层原子渗入到电池内部，导致影响电池性能的问题。【附图说明】图1为本专利技术实施例提供一种太阳能电池电镀电极制备方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的太阳能电池基片结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的丝网印刷版示意图；图4为本专利技术实施例提供的采用丝网印刷工艺在晶硅基片上表面形成电镀掩膜及在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层示意图；图5为本专利技术实施例提供的在晶硅基片上表面形成带有凹槽的电镀掩膜示意图；图6为本专利技术实施例提供的将多个晶硅基片叠放示意图；图7为本专利技术实施例提供的多个晶硅基片四周的侧面形成保护层示意图；图8为本专利技术实施例提供的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，在晶硅基片的四周的侧面形成保护层示意图；图9为本专利技术实施例提供的在晶硅基片上完成电镀金属层的示意图；图10为本专利技术实施例提供的将晶硅基片上表面电镀掩膜去除，且将晶硅基片四周的侧面保护层保留的示意图；图11为本专利技术实施例提供的将晶硅基片上表面电镀掩膜和晶硅基片四周的侧面保护层去除后的示意图。【具体实施方式】本专利技术实施例在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层；其中，所述透明导电介质层上形成电镀掩膜包括凹槽；采用上述方法，在电镀金属层之前，对晶硅基片的四周的侧面进行覆盖保护，在电镀金属层的时候，减少了由电镀工艺导致电池边缘漏电的现象，同时也减少了电镀金属层原子渗入到电池内部，导致影响电池性能的问题。以下结合说明书附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高效硅异质结太阳能电池电镀电极制备方法，其特征在于，包括：在沉积有透明导电介质层的晶硅基片上表面形成电镀掩膜，在所述晶硅基片的四周的侧面形成保护层；其中，所述透明导电介质层上形成电镀掩膜包括凹槽；在所述凹槽位置电镀金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴波，陈光羽，丁江波，朱玉龙，施栓林，孟原，郭铁，
申请(专利权)人：新奥光伏能源有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。