一种像素电路及其驱动方法技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法；像素电路该包括：驱动子电路、复位子电路和充电子电路；其中，所述驱动子电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第三晶体管和第一存储电容、第二存储电容；所述复位子电路用于在第一扫描信号线输出的第一扫描信号的控制下对所述第一存储电容和所述第二存储电容进行放电；所述充电子电路包括第五晶体管和第六晶体管；本发明专利技术的像素电路，可以通过补偿有效地消除驱动晶体管由自身阈值电压所造成的非均匀性和因阀值电压漂移造成的残影现象；避免了有源矩阵发光有机电致显示管中不同像素单元的发光器件之间因其驱动晶体管的阀值电压不同而造成的有源矩阵发光有机电致显示管亮度不均的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种像素电路及其驱动方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法。
技术介绍
有机电致发光二极管(OLED，OrganicLight-EmittingDiode)作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能有源矩阵发光有机电致显示管中。传统的无源矩阵有机电致发光显示管(PassiveMatrixOLED)随着显示尺寸的增大，需要更短的单个像素的驱动时间，因而需要增大瞬态电流，增加功耗。同时大电流的应用会造成纳米铟锡金属氧化物线上压降过大，并使OLED工作电压过高，进而降低其效率。而有源矩阵有机电致发光显示管(AMOLED，ActiveMatrixOLED)通过开关晶体管逐行扫描输入OLED电流，可以很好地解决这些问题。在AMOLED的背板设计中，主要需要解决的问题是各AMOLED像素单元的补偿电路之间的亮度非均匀性。首先，AMOLED采用薄膜晶体管(TFT，Thin-FilmTransistor)构建像素电路为发光器件提供相应的驱动电流。现有技术中，大多采用低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。与一般的非晶硅薄膜晶体管相比，低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管具有更高的迁移率和更稳定的特性，更适合应用于AMOLED显示中。但是由于晶化工艺的局限性，在大面积玻璃基板上制作的低温多晶硅薄膜晶体管，常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均匀性，这种非均匀性会转化为OLED器件的驱动电流差异和亮度差异，并被人眼所感知，即色不均现象。氧化物薄膜晶体管虽然工艺的均匀性较好，但是与非晶硅薄膜晶体管类似，在长时间加压和高温下，其阈值电压会出现漂移，由于显示画面不同，面板各部分薄膜晶体管的阈值漂移量不同，会造成显示亮度差异，由于这种差异与之前显示的图像有关，因此常呈现为残影现象。第二，在大尺寸显示应用中，由于背板电源线存在一定电阻，且所有像素的驱动电流都由电源电压(ARVDD)提供，因此在背板中靠近ARVDD电源供电位置区域的电源电压相比较离供电位置较远区域的电源电压要高，这种现象被称为电源压降。由于ARVDD的电压与电流相关，电源压降也会造成不同区域的驱动电流差异，进而在显示时产生色不均现象。采用P型TFT构建像素单元的低温多晶硅工艺对这一问题尤其敏感，因为其存储电容连接在ARVDD与TFT栅极之间，ARVDD的电压改变，会直接影响驱动TFT管的栅极电压Vgs。第三，发光器件在蒸镀时由于膜厚不均也会造成电学性能的非均匀性。对于采用N型TFT构建像素单元的非晶硅或氧化物薄膜晶体管工艺，其存储电容连接在驱动TFT栅极与发光器件阳极之间，在数据电压传输到栅极时，如果各像素发光器件第一电压端不同，则实际加载在TFT上的栅极电压Vgs不同，从而驱动电流不同造成显示亮度差异。因此，为解决上述问题，本专利技术急需提供一种像素电路及其驱动方法。
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题是提供一种像素电路及其驱动方法，用于解决现有技术的像素电路在补偿时发生的驱动晶体管阈值电压非均匀性的目的。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种像素电路，包括复位子电路，充电子电路、驱动子电路以及发光器件，其中，所述发光器件的第一端连接第二电压端；所述驱动子电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第三晶体管和第一存储电容、第二存储电容，所述驱动晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极以及所述第三晶体管的漏极，所述驱动晶体管的漏极连接所述发光器件的第二端，所述驱动晶体管的栅极连接所述第一存储电容的第一端；所述第一晶体管的源极连接第一电压端，所述第一晶体管的栅极连接所述第二存储电容的第一端；所述第二存储电容的第二端连接参考电压端；所述第三晶体管的源极连接所述驱动晶体管的栅极，所述第三晶体管的漏极连接所述驱动晶体管的源极，所述第三晶体管的栅极连接第一扫描信号线；所述复位子电路用于在第一扫描信号线输出的第一扫描信号的控制下对所述第一存储电容和所述第二存储电容进行放电；所述充电子电路包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的源极连接数据电压输入端，所述第五晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极，所述第五晶体管的栅极连接第二扫描信号线；所述第六晶体管的栅极和所述第六晶体管的源极连接第三扫描信号线，所述第六晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极。进一步地，所述复位子电路包括第二晶体管和第四晶体管，所述第二晶体管的源极连接所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的漏极连接所述参考电压端，所述第二晶体管的栅极连接第一扫描信号线；所述第四晶体管的源极连接所述第一存储电容的第二端，所述第四晶体管的漏极连接所述参考电压端，所述第四晶体管的栅极连接第一扫描信号线。进一步地，所述复位子电路包括第二晶体管和第四晶体管，所述第二晶体管的源极连接所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极，所述第二晶体管的栅极连接第一扫描信号线；所述第四晶体管的源极连接所述第一存储电容的第二端，所述第四晶体管的漏极连接所述参考电压端，所述第四晶体管的栅极连接第一扫描信号线。进一步地，所述第五晶体管的栅极、所述第六晶体管的栅极和所述第六晶体管的源极同时连接第二扫描信号线。进一步地，所述发光器件为有机电致发光二极管。进一步地，所述驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管均为N型场效应晶体管。一种根据上述中所述像素电路的驱动方法，其特征在于，所述方法包括：复位阶段，所述第一扫描信号线开启所述第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第二存储电容所存储的电荷通过第二晶体管释放，所述第一存储电容的第一端所存储的电荷经由所述第三晶体管、驱动晶体管和发光器件释放，所述第一存储电容的第二端所存储的电荷通过第四晶体管释放；补偿阶段，所述第一扫描信号线关闭所述第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第二扫描信号线开启所述第五晶体管，所述第三扫描信号线开启所述第六晶体管，所述第三扫描信号线通过所述第六晶体管对所述第二存储电容充电；所述数据电压输入端通过所述第五晶体管对所述第一存储电容充电；发光阶段，所述第一扫描信号线关闭所述第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第二扫描信号线关闭所述第五晶体管和第六晶体管，所述第二存储电容开启所述第一晶体管，所述第一存储电容储存的电荷开启所述驱动晶体管，驱动所述发光器件发光。进一步地，所述第二扫描信号线同时控制所述第五晶体管和所述第六晶体管开启或关闭。进一步地，还包括：复位阶段，所述第一扫描信号线开启所述第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；所述第三晶体管开启所述驱动晶体管；所述第二存储电容的第一端所存储的电荷通过所述第二晶体管经由所述第四晶体管释放，从而关闭所述第一晶体管；所述第一存储电容的第一端所存储的电荷经由所述第三晶体管、驱动晶体管和发光器件释放，所述第一存储电容的第二端所存储的电荷通过第四晶体管释放。本专利技术与现有技术相比具有以下的优点：1、本专利技术的像素电路，可以在对发光器件进行补偿的过程中，通过补偿有效地消除n型耗尽型或增强型TFT驱动晶体管由自身阈值电压所造成的非均匀性和因阀值电压漂移造成的残影现象；避免了有源矩阵发光有机电致显示管中不同像素单元的发光器件之间因其驱动晶体管的阀值电压不同而造成的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，其特征在于，包括复位子电路，充电子电路、驱动子电路以及发光器件，其中，所述发光器件的第一端连接第二电压端；所述驱动子电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第三晶体管和第一存储电容、第二存储电容，所述驱动晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极以及所述第三晶体管的漏极，所述驱动晶体管的漏极连接所述发光器件的第二端，所述驱动晶体管的栅极连接所述第一存储电容的第一端；所述第一晶体管的源极连接第一电压端，所述第一晶体管的栅极连接所述第二存储电容的第一端；所述第二存储电容的第二端连接参考电压端；所述第三晶体管的源极连接所述驱动晶体管的栅极，所述第三晶体管的漏极连接所述驱动晶体管的源极，所述第三晶体管的栅极连接第一扫描信号线；所述复位子电路用于在第一扫描信号线输出的第一扫描信号的控制下对所述第一存储电容和所述第二存储电容进行放电；所述充电子电路包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的源极连接数据电压输入端，所述第五晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极，所述第五晶体管的栅极连接第二扫描信号线；所述第六晶体管的栅极和所述第六晶体管的源极连接第三扫描信号线，所述第六晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极。...

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，用于有源矩阵发光有机电致显示管中各发光器件的驱动补偿，包括复位子电路，充电子电路、驱动子电路以及发光器件，其中，所述发光器件的第一端连接第二电压端；所述驱动子电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第三晶体管和第一存储电容、第二存储电容，所述驱动晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极以及所述第三晶体管的漏极，所述驱动晶体管的漏极连接所述发光器件的第二端，所述驱动晶体管的栅极连接所述第一存储电容的第一端；所述第一晶体管的源极连接第一电压端，所述第一晶体管的栅极连接所述第二存储电容的第一端；所述第二存储电容的第二端连接参考电压端；所述第三晶体管的源极连接所述驱动晶体管的栅极，所述第三晶体管的漏极连接所述驱动晶体管的源极，所述第三晶体管的栅极连接第一扫描信号线；所述复位子电路用于在第一扫描信号线输出的第一扫描信号的控制下对所述第一存储电容和所述第二存储电容进行放电；所述充电子电路包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的源极连接数据电压输入端，所述第五晶体管的漏极连接第四晶体管的源极，所述第五晶体管的栅极、所述第六晶体管的栅极和所述第六晶体管的源极同时连接第二扫描信号线，所述第六晶体管的漏极连接第二晶体管的源极；其中，所述参考电压端包括多个接入端；所述复位子电路包括第二晶体管和第四晶体管，所述第二晶体管的源极连接所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的漏极连接所述参考电压端，所述第二晶体管的栅极连接第一扫描信号线；所述第四晶体管的源极连接所述第一存储电容的第二端，所述第四晶体管的漏极连接所述参考电压端，所述第四晶体管的栅极连接第一扫描信号线；或，所述复位子电路包括第二晶体管和第四晶体管，所述第二晶体管的源极连接所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极，所述第二晶体管的栅极连接第一扫描信号线；所述第四晶体管的源极连接所述第一存储电容的第二端，所述第四晶体管的漏极连接所述参考电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11