有机发光二极管制造技术

技术编号:11270376 阅读:55 留言:0更新日期:2015-04-08 16:54
本发明专利技术公开了一种有机发光二极管,其包括:负极;正极;和提供在负极与正极之间的发光层,其中光散射层提供在发光层与正极之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光二极管
本专利技术涉及一种有机电致发光器件。本申请要求于2012年5月31日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2012-0058936号的优先权,其公开内容以引用的方式全部纳入本说明书。
技术介绍
有机电致发光器件通过将来自两个电极的电子和空穴注入有机材料层以使电流转换成可见光。有机电致发光器件可具有包括两层或多层有机材料层的多层结构。例如,视需要,除发光层外,有机电致发光器件还可包括电子或空穴注入层、电子或空穴阻挡层,或电子或空穴传输层。近年来,随着有机电致发光器件用途的多样化,已在积极地进行可改进有机电致发光器件的性能的材料的研究。
技术实现思路
技术问题本专利技术描述了一种具有新结构的有机电致发光器件。技术方案根据本专利技术的一个示例性实施方案,有机电致发光器件包括:负极(anode);正极(cathode);和发光层,其提供在负极和正极之间;并且还包括光散射层,其提供在发光层和正极之间。根据本专利技术的另一个示例性实施方案,有机电致发光器件包括:第一电荷传输通道,其提供在发光层和正极之间;和第二电荷传输通道,其提供在发光层和负极之间,其中,所述第一电荷传输通道包括:第一p-型有机材料层,其与正极连接;和第一n-型有机材料层,其提供在第一p-型有机材料层和发光层之间,以及所述光散射层为第一p-型有机材料层,或提供在第一p-型有机材料层和第一n-型有机材料层之间。根据本专利技术的又一个示例性实施方案,有机电致发光器件包括:缓冲层,其提供在发光层和正极之间,其中,所述缓冲层包括:第一p-型有机材料层,其与正极连接;和第一n-型有机材料层,其提供在第一p-型有机材料层和发光层之间,以及所述光散射层为第一p-型有机材料层,或提供在第一p-型有机材料层和第一n-型有机材料层之间。根据本专利技术的再一个示例性实施方案,有机电致发光器件包括:第一p-型有机材料层,其提供在发光层和正极之间;和第一n-型有机材料层,其提供在发光层和第一p-型有机材料层之间,以及所述光散射层为第一p-型有机材料层,或提供在第一p-型有机材料层和第一n-型有机材料层之间。有益效果本专利技术的示例性实施方案可通过光散射层以改变在器件中所产生的光的通道来改进光提取效率。附图说明图1至3分别示出本专利技术示例性实施方案的有机电致发光器件的有机材料层的堆叠结构。图4示出在图2和3所示的有机电致发光器件中,第一p-型有机材料层和正极之间的电荷迁移。图5示出在图3所示的有机电致发光器件中,发光层、第一n-型有机材料层、第一p-型有机材料层和正极之间的电荷迁移。图6和7示出在本专利技术的其他示例性实施方案的有机电致发光器件中,发光层、第一n-型有机材料层、第一p-型有机材料层和正极之间的电荷迁移。图8和9示出在本专利技术的其他示例性实施方案的有机电致发光器件中,负极和正极之间的电荷迁移。图10a至10f为示出在实验实施例中制备的光散射层的表面特性的SEM照片。图11a至11c为示出在实验实施例中形成的有机材料层的表面特性的SEM照片。具体实施方式在下文中,将详细描述本专利技术所阐述的示例性实施方案。在本专利技术中,n-型意指n-型半导体特性。换言之,n-型有机材料层为具有经最低未占分子轨道(LUMO)能级来注入或传输电子的特性的有机材料层,和具有电子迁移率大于空穴迁移率的材料特性的有机材料层。相对地,p-型意指p-型半导体特性。换言之,p-型有机材料层为具有经最高占据分子轨道(HOMO)能级来注入或传输空穴的特性的有机材料层,和具有空穴迁移率大于电子迁移率的材料特性的有机材料层。在本专利技术中,“经HOMO能级来传输电荷的有机材料层”和p-型有机材料层可当作具有相同的含义来使用。此外,“经LUMO能级来传输电荷的有机材料层”和n-型有机材料层可当作具有相同的含义来使用。在本专利技术中,能级意指能量的大小。因此,即使当能级表示为自真空能级呈负(-)方向时,该能级应被理解为意指相应能量值的绝对值。例如,HOMO能级意指从真空能级到最高占据分子轨道的距离。另外,LUMO能级意指从真空能级到最低未占分子轨道的距离。在本专利技术中,电荷意指电子或空穴。在本专利技术中,“电荷传输通道”意指传输电子或空穴的通道。该通道可在层间界面处形成,并且可通过附加层形成。例如,在示例性实施方案中,第一电荷传输通道包括第一p-型有机材料层和第一n-型有机材料层。此外,在示例性实施方案中,第二电荷传输通道可仅包括位于负极和发光层之间的界面,并且可包括另外地提供在负极和发光层之间的层。在本专利技术中,“未掺杂的”意指构成有机材料层的有机材料未被具有其他特性的材料掺杂。例如,当“未掺杂的”有机材料层为p-型材料时,“未掺杂的”可意指有机材料层未被n-型材料掺杂。此外,“未掺杂的”可意指除有机材料外,p-型有机材料未被无机材料掺杂。由于具有相同特性如p-型特性的有机材料在特性方面彼此相同,因此可将其中的二种或多种混合使用。未掺杂的有机材料层意指在其特性上,仅由具有相同特性的材料所组成的层。根据本专利技术的示例性实施方案,提供一种有机电致发光器件,其包括:负极;正极;发光层,其提供在负极和正极之间;和光散射层,其提供在发光层和正极之间。图1示出本专利技术的一个示例性实施方案的有机电致发光器件的层的堆叠结构。根据图1,负极、发光层、光散射层和正极堆叠于基板上。所述光散射层可包括提供在层的表面中或表面上的光散射结构。根据本专利技术的一个示例性实施方案,光散射结构可由颗粒结构形成,所述颗粒结构通过组成光散射层中所包括的材料的分子簇而形成。在本文中,颗粒结构包括通过组成分子簇而形成的单个颗粒或通过团聚这些颗粒而形成的结构。在本文中,通过团聚颗粒而形成的结构意指各颗粒的至少一部分表面或骨架保持在团聚前的一种形态。因此,当个别颗粒或颗粒的结构保持在团聚前的至少一部分的表面或骨架的形态时,通过团聚的结构在光散射层的表面中或表面上产生粗糙度。例如,通过组成光散射层中所包括的材料的分子簇而形成的颗粒结构,其所造成的粗糙度可为2nm至50nm。在本文中,在原子力显微镜(AFM)数据中,粗糙度为Ra值。在本文中,Ra通过计算具有粗糙度的表面上的表面高度之间的差值的平均值而得。根据示例性实施方案,根据正极与发光层之间的前述颗粒结构,通过提供具有粗糙度的光散射层,可通过光散射使光提取效率最大化。具体而言,通过表面等离子体使光吸收最小化而可使发光效率最大化。此外,相比于发光层所包括的光散射结构或与发光层接触的有机材料层的情况,当光散射层与正极连接并且一层或多层有机材料层提供在光散射层与发光层之间时,可实现有机材料层的厚度均匀性并且可防止器件效率上的劣化。根据本专利技术的示例性实施方案,光散射层所包括的材料为有机材料。换言之,通过组成有机材料颗粒簇而形成的颗粒结构的粗糙度可赋予光散射功能。具体类型的有机材料可具有有如上所述的粗糙度的颗粒结构,其仅通过沉积法而形成层。通过以特定成分比例沉积两种或多种材料可形成颗粒结构,并且甚至还可通过仅沉积一种材料且通过该材料固有的物理特性来形成具有上述粗糙度的颗粒结构。根据光散射层所包括的材料类型,当形成光散射层时,通过组成材料的颗粒簇而形成的颗粒大小为可变的。例如,通过组成发光层所包括的材料的分子簇而形成的颗粒的粒径可为几微米,例如,粒径本文档来自技高网...
有机发光二极管

【技术保护点】
一种有机电致发光器件,其包括:负极;正极;发光层,其提供在负极与正极之间;以及光散射层,其提供在发光层与正极之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.31 KR 10-2012-00589361.一种有机电致发光器件,其包括:负极;正极;发光层,其提供在负极与正极之间;第一p-型有机材料层,其提供在发光层与正极之间,其中第一p型有机材料层是未掺杂的;第一n-型有机材料层,其提供在发光层与第一p-型有机材料层之间;以及光散射层,其提供在发光层与正极之间,其中所述光散射层为第一p-型有机材料层,或提供在第一p-型有机材料层与第一n-型有机材料层之间。2.权利要求1的有机电致发光器件,其还包括:第一电荷传输通道,其提供在发光层与正极之间;以及第二电荷传输通道,其提供在发光层与负极之间,其中所述第一电荷传输通道包括与正极连接的第一p-型有机材料层;以及提供在第一p-型有机材料层与发光层之间的第一n-型有机材料层。3.权利要求1的有机电致发光器件,其还包括:缓冲层,其提供在发光层与正极之间,其中所述缓冲层包括:与正极连接的第一p-型有机材料层;以及提供在第一p-型有机材料层与发光层之间的第一n-型有机材料层。4.权利要求1至3任一项的有机电致发光器件,其中光散射层包括提供在该层的表面中或表面上的光散射结构。5.权利要求4的有机电致发光器件,其中光散射层由有机材料形成。6.权利要求4的有机电致发光器件,其中光散射结构为通过组成有机材料分子簇而形成的颗粒结构。7.权利要求4的有机电致发光器件,其中光散射结构通过沉积有机材料而形成。8.权利要求6的有机电致发光器件,其中颗粒的粒径为0.5μm至30μm。9.权利要求6的有机电致发光器件,其中颗粒结构的粗糙度为2nm至50nm。10.权利要求4的有机电致发光器件,其中光散射层包含多环的稠环化合物和芳胺化合物。11.权利要求10的有机电致发光器件,其中芳胺化合物包括下式1的化合物:[式1]在式1中,Ar1、Ar2,以及Ar3各自独立地为H或烃基。12.权利要求11的有机电致发光器件,其中芳胺化合物包括NPB(N,N'-双(萘基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)。13.权利要求10的有机电致发光器件,其中多环稠环化合物包括下式2的化合物:[式2]在式2中,R1b至R6b各自为H、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺酰胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR')、取代或未取代的直链或支链的C1至C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链的C1至C12烷基、取代或未取代的直链或支链的C2至C12烯基、取代或未取代的芳族或非芳族杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳胺或二芳胺、或取代或未取代的芳烷基胺,其中R和R'各自为取代或未取代的C1至C60烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的5元至7元杂环。14.权利要求13的有机电致发光器件,其中式2选自下式2-1至2-6:[式2-1][式2-2][式2-3][式2-4][式2-5][式2-6]15.权利要求10的有机电致发光器件,其中在光散射层中多环稠合化合物的含量与芳胺化合物的含量的重量比为1/7至5/7。16.权利要求4的有机电致发光器件,其中光散射层包含下式3...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱文奎姜旼秀文济民咸允慧张星守刘珍雅李在仁
申请(专利权)人:株式会社LG化学
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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