具有屏蔽件的低旁瓣反射器天线制造技术

具有碟式反射器的前馈反射器具有波导，其中该波导耦接至碟式反射器的近端部，从而沿着纵轴突出至碟式反射器内。电介质块可以耦接至波导的远端部并且副反射器可以耦接至电介质块的远端部。屏蔽件耦接至碟式反射器的外周。纵轴与焦点和屏蔽件的远端外周之间的线之间的对角为50度以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】具有碟式反射器的前馈反射器具有波导，其中该波导耦接至碟式反射器的近端部，从而沿着纵轴突出至碟式反射器内。电介质块可以耦接至波导的远端部并且副反射器可以耦接至电介质块的远端部。屏蔽件耦接至碟式反射器的外周。纵轴与焦点和屏蔽件的远端外周之间的线之间的对角为50度以下。【专利说明】具有屏蔽件的低旁瓣反射器天线
本专利技术涉及微波双反射器天线（reflector antenna)。更特别地，本专利技术提供低成 本的自支撑前馈反射器天线，其中该自支撑前馈反射器天线具有针对反射器天线可配置的 低旁瓣信号福射图（pattern)特性，W满足诸如欧洲电信标准协会巧TSI)类别4福射图包 络（envelope)等的严格的福射图包络标准。
技术介绍
前馈双反射器天线将入射到主反射器上的信号引导至与主反射器的聚焦区域邻 接地安装的副反射器，而该副反射器又将该信号通常经由馈送卿趴化orn)或孔引导至波 导传输线，从而到达接收器的第一级。在使用双反射器天线来传输信号的情况下，该些信号 从发送器系统的最后级经由波导行进至馈送孔、副反射器和主反射器，从而到达自由空间。 反射器天线的电气性能通常由W下进行表征；其增益、福射图包络、交叉极化和回 波损耗性能一高效的增益、福射图包络和交叉极化特性对于高效的微波链路规划和协调 而言是必要的，同时需要良好的回波损耗来进行高效的无线电操作。 具有窄福射图包络的反射器天线使得能够将分开的反射器天线W较高的密度安 装在诸如无线电培等的共用支撑结构上，而不会在分开的点对点通信链路之间生成RF干 涉。窄福射图包络通信链路还提供使得能够在相同位置处重复再使用无线电频谱分配的优 点，从而增加对给定数量的信道可用的链路的数量。 例如由ETSI提供了天线的福射图包络（R阳）的工业接受标准测量。ETSI提供命 名为类别1?类别4的四个RPE分类，其中类别4规格是最严格的。ETSI类别4RPE规格 要求相对于ETSI类别3RPE规格的显著的改进。如图la和化所示，ETSI类别4RPE相对 于ETSI类别3RPE的要求在旁瓣水平方面要求约10地?12地的改进，从而在无需使用附 加频谱的情况下，得到可被分配的链路数量的35% -40%的提高。 W前，例如如图Ic所示，满足ETSI类别4规格的反射器天线是Gregorian双反射 器偏移型反射器天线。双偏移配置将副反射器15完全定位在从主反射器50到自由空间的 信号路径之外，该要求大量附加结构W对准和/或完全包围大型光学系统。此外，由于双 偏移配置的非对称性质，要求提高制造和/或组装精度的水平W避免产生交叉极化判别干 扰。该些附加结构和/或路径对准调整的要求大大增加了所得到的天线组件的整体尺寸和 复杂性，由此增加了制造、安装和日常维护成本。 深碟式（deep dish)反射器是使反射器焦距（巧与反射器直径值）之比小于或等 于0.25 (与之相对的F/D是例如在更为传统的"平"碟设计中通常为0.35)的反射器碟。在 2005 年 7 月 19 日发行至 Hills 的标题为"I\med Perturbation Cone Feed for Reflector Antenna"的共同拥有的美国专利6, 919, 855扣S6919855)中公开了配置为与深碟式反射 器一起使用的电介质锥型馈源（feed)副反射器的示例，在此通过引用包含其全部内容。 US6919855利用具有副反射器表面和前锥表面的电介质块锥型馈源，其中该前锥表面具有 绕电介质块的纵轴同也的多个向下成角度的非周期扰动。使锥型馈源和副反射器直径尽可 能地最小化，w防止遮挡从反射器碟到自由空间的信号路径。尽管相对于现有设计存在显 著改进，但该些结构具有如下信号模式，其中在该些信号模式中，馈源（feed boom)的副反 射器边缘和远端边缘横跨包括（可能产生与馈源和/或副反射器的二次反射的）副反射器 的接近反射器碟外周的区域和/或遮蔽（shadow)区域的反射器碟表面广泛地福射信号的 一部分，从而导致电气性能劣化。此外，电介质块中的多个成角度特征和/或台阶（step) 需要复杂的制造过程，从而提高了整体制造成本。 深碟型反射器碟延伸了所得到的反射器天线的（沿着视轴）的长度，W使得反射 器碟的远端部趋向于用作圆筒屏蔽件。因此，尽管在非深碟型反射器天线中是常见的，但诸 如US6919855等的传统深碟式反射器天线配置通常不利用单独的向前突出的圆筒屏蔽件。 因此，本专利技术的目的是提供简化型反射器天线设备，其中该简化型反射器天线设 备克服了现有技术的局限，并且由此呈现了如下解决方案，该解决方案使得自支撑副反射 器前馈反射器天线在通常的微波通信链路所使用的整个工作频段上，能够满足最严格的福 射图包络电气性能。 【专利附图】【附图说明】 包括在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出本专利技术的实施例，其中附 图中的相同附图标记是指相同的特征或元件并且可能没有针对该些附图标记所出现的每 幅图进行详细说明，并且连同W上给出的本专利技术的大致说明W及W下给出的实施例的详细 说明一起，用来解释本专利技术的原理。 图la是示出ETSI类别3和ETSI类别4共极化福射图包络的要求之间的差异的 示意图。 图化是示出ETSI类别3和ETSI类别4交叉极化福射图包络的要求之间的差异 的示意图。 图Ic是通常现有技术的Gregorian双反射器偏移型反射器天线的示意信号路径 图。 图2a是示例性副反射器组件的示意剖视侧视图。 图化是利用单独的金属碟型副反射器示出的、图2a的副反射器组件的分解示意 剖视侧视图。 图3是安装在0. 167F/D深碟式反射器内的图化的副反射器组件的示意剖视侧视 图。 图4是现有技术的电介质锥型副反射器组件的示意剖视侧视图。 图5是针对W 22. 4化Z进行工作的图2a和图4的副反射器组件的E和H面初级 福射振幅模式建模比较图表。 图6是与ETSI类别4R阳和US6919855相比较的、针对安装在根据图10的0. 167F/ D碟式反射器内的图2的副反射器组件的E面福射图范围数据比较图表。 图7是与ETSI类别4R阳和US6919855相比较的、针对安装在根据图10的0. 167F/ D碟式反射器内的图2a的副反射器组件的H面福射图范围数据比较图表。 图8是针对图4的副反射器组件的E (上半部分）和H(下半部分）面初级能量场 分布模型。 图9是针对图2a的副反射器组件的E(上半部分）和H(下半部分）面初级能量 场分布模型。 图10是具有圆筒屏蔽件的示例性反射器天线的示意等距视图。 图11是图10的反射器天线的示意分解截面图。 图12是图10的反射器天线的示意截面图。 图13是具有呈向外渐缩的圆筒屏蔽件的示例性反射器天线的示意截面图。 图14是示出50度的对角的、具有.0. 163F/D碟式反射器和屏蔽件的示例性反射 器天线的示意半截面图。 [002引图15是与ETSI类别4RPE相比较的、针对图14的反射器天线的W 6. 525GHz建模 的E和H面福射图数据图。注意，W福射图的+本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种前馈反射器天线，包括：具有焦点的碟式反射器；波导，其与所述碟式反射器的近端部相耦接，沿着纵轴突出至所述碟式反射器内；电介质块，其与所述波导的远端部相耦接；副反射器，其与所述电介质块的接近所述焦点的远端部相耦接；以及大致圆筒形的屏蔽件，其与所述碟式反射器的外周相耦接，其中，所述纵轴与所述焦点和所述屏蔽件的远端外周之间的线之间的对角为50度以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·布兰朵，J·U·I·赛耶德，
申请(专利权)人：安德鲁有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US