单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置制造方法及图纸

技术编号:11231574 阅读:80 留言:0更新日期:2015-03-30 03:00
一种单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置,其特征在于,锥形盖的小口端上设有手动插板阀,手动插板阀下端接下料管,锥形盖的大口端通过密封垫、紧固卡环与原料桶端口固接;高位料斗的盖板中部设置法兰接口,该法兰接口与锥形盖上手动插板阀下端的下料管连接。本实用新型专利技术的单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置结构简单,补料时,原料桶中的原料进入高位料斗完全外于密闭状态,避免了空气中的灰尘污染所补的单质As,以及原料砷粉在空气中任意飘散污染环境,并影响操作人员的身体健康。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置,其特征在于,锥形盖的小口端上设有手动插板阀,手动插板阀下端接下料管,锥形盖的大口端通过密封垫、紧固卡环与原料桶端口固接;高位料斗的盖板中部设置法兰接口,该法兰接口与锥形盖上手动插板阀下端的下料管连接。本技术的单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置结构简单,补料时,原料桶中的原料进入高位料斗完全外于密闭状态,避免了空气中的灰尘污染所补的单质As,以及原料砷粉在空气中任意飘散污染环境,并影响操作人员的身体健康。【专利说明】单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置
本技术涉及化工设备,尤其是一种单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置。
技术介绍
在单质As转化为As2O3工艺中,高位料箱中每次补料都是多达300kg以上,现有技术中,每次在给高位料箱内补料时,人们必须先打开高位料箱的盖子然后进行补料,在打开盖子补料时,空气中的灰尘会污染所补的单质As,导致其转化成的As2O3产品上Si含量超标,同时在倾倒单质As时,砷粉会在空气中飘散,严重影响操作人员的健康。
技术实现思路
本技术的目的就是提供一种结构简单,能避免补料时空气中灰尘污染产品,以及砷粉在空气中任意飘散的单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置。 本技术的单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置,其特征在于,锥形盖的小口端上设有手动插板阀,手动插板阀下端接下料管,锥形盖的大口端通过密封垫、紧固卡环与原料桶端口固接;高位料斗的盖板中部设置法兰接口,该法兰接口与锥形盖上手动插板阀下端的下料管连接。 本技术的单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置,使用时,将锥形盖大口端与原料桶端口用密封垫及紧固卡环连接为一个整体,盖好锥形盖的料桶倒置,使锥形盖的下料管与高位料斗顶部盖板的进料管连接,打开插板阀门的插板,原料桶里的料就落进高位料斗内。 本技术的单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置结构简单,补料时,原料桶中的原料进入高位料斗完全外于密闭状态,避免了空气中的灰尘污染所补的单质As,影响砷的氧化产物品质,以及原料砷粉在空气中任意飘散污染环境,并影响操作人员的身体健康。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术结构示意图; 1、高位料斗,2、手动插板阀,3、原料桶,4、紧固卡环,5、锥形盖,6、盖板,7、料位计,8、蝶形阀。 【具体实施方式】 一种单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置,其特征在于,锥形盖5的小口端上设有手动插板阀2,手动插板阀2下端接下料管,锥形盖5的大口端通过密封垫、紧固卡环4与原料桶3端口固接;高位料斗I的盖板6中部设置法兰接口,该法兰接口与锥形盖5上手动插板阀2下端的下料管连接。【权利要求】1.一种单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置,其特征在于:锥形盖(5)的小口端上设有手动插板阀(2),手动插板阀(2)下端接下料管,锥形盖(5)的大口端通过密封垫、紧固卡环(4 )与原料桶(3 )端口固接;高位料斗(I)的盖板(6 )中部设置法兰接口,该法兰接口与锥形盖(5)上手动插板阀(2)下端的下料管连接。【文档编号】C01G28/00GK204224274SQ201420717463【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月26日 优先权日:2014年11月26日 【专利技术者】张世才, 周斌, 罗学文, 罗亮 申请人:江西海宸光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单质砷制备三氧化二砷密闭补料装置,其特征在于:锥形盖(5)的小口端上设有手动插板阀(2),手动插板阀(2)下端接下料管,锥形盖(5)的大口端通过密封垫、紧固卡环(4)与原料桶(3)端口固接;高位料斗(1)的盖板(6)中部设置法兰接口,该法兰接口与锥形盖(5)上手动插板阀(2)下端的下料管连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张世才周斌罗学文罗亮
申请(专利权)人:江西海宸光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:江西;36

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