磁性金属粒子集合体及电波吸收体制造技术

本发明专利技术提供一种磁性金属粒子集合体及使用了其的电波吸收体，磁性金属粒子集合体具备多个平均粒径为10nm以上且50nm以下的磁性金属粒子，所述磁性金属粒子含有选自由Fe、Co及Ni构成的第一组中的至少1种磁性金属，多个所述磁性金属粒子相互局部地结合，磁性金属粒子集合体的平均粒径为15nm以上且200nm以下。

【技术实现步骤摘要】
磁性金属粒子集合体及电波吸收体 相关申请的交叉引用 本申请基于并主张2013年9月20日申请的日本专利申请No. 2013-194770和2014 年8月28日申请的日本专利申请No. 2014-173515的优先权，将其全部内容引用于此。
本专利技术涉及磁性金属粒子集合体及电波吸收体。
技术介绍
使用了磁性材料的磁损耗型电波吸收体一般与介质损耗型或导电损耗型电波吸 收体相比具备宽频带的吸收特性。但是，在1?18GHz的超宽频带中，未必能实现特性优异 的磁损耗型电波吸收体。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题在于，提供一种在超过GHz频带的超宽频带中高损耗的磁 性金属粒子集合体及电波吸收体。 本专利技术的一个方式的磁性金属粒子集合体具备多个平均粒径为lOnm W上且50nm W下的磁性金属粒子，所述磁性金属粒子含有选自由Fe、Co及Ni构成的第一组中的至少 1种磁性金属，多个所述磁性金属粒子相互局部地结合，所述磁性金属粒子集合体的平均粒 径为15nm W上且200nm W下。 根据上述结构，可提供在超过GHz频带的超宽频带中高损耗的磁性金属粒子集合 体。 【附图说明】 [000引图1是表示实施方式的电波吸收体的相对磁导率的频率依赖性的图。 图2是实施方式的电波吸收体的示意剖面图。 图3A-D是表示实施方式的磁性金属粒子结合的情形的图。 图4A-B是实施方式的电波吸收体的示意剖面图。 图5A-D是表示实施方式的磁性金属粒子结合的情形的图。 【具体实施方式】 W下，使用【附图说明】本专利技术的实施方式。 本实施方式的电波吸收体具备磁性金属粒子集合体。磁性金属粒子集合体具备多 个平均粒径为lOnm W上且50nm W下的磁性金属粒子，该磁性金属粒子含有选自由Fe、Co 及Ni构成的第一组中的至少1种磁性金属，多个所述磁性金属粒子相互局部地结合。磁性 金属粒子集合体的平均粒径为15nm W上且200nm W下。 图1是表示本实施方式的电波吸收体的相对磁导率的频率依赖性的图。横轴是频 率，纵轴是复数相对磁导率（相对磁导率虚部，相对磁导率实部）。 如图1所示可知，本实施方式的电波吸收体200的相对磁导率虚部中，除了在4? 18GHz中出现的主要的峰值之外，在1?4GHz中也出现峰值，在1?18GHz的超宽频带中， W高损耗得到较高的电波吸收特性。此外，相对磁导率的磁性金属粒子集合体100的组成 依赖性与对体积填充率的依赖性相比，收容于非常小的范围内。 此外，电波吸收体200的体积填充率可W通过对例如使用透射型电子显微镜 (TEM transmission Electron Microscopy)并根据磁性金属粒子的粒径而选择50万倍或 100万倍而得到的照片进行图像处理而算出。 图2是实施方式的电波吸收体200的示意剖面图。 (电波吸收体） 电波吸收体200具备多个磁性金属粒子10的局部相互结合而成的磁性金属粒子 集合体100和将磁性金属粒子集合体100结合的结合层30。 本实施方式的电波吸收体200通过具备上述结构，在高频频带、例如1?18GHz的 超宽频带中，实现优异的电波吸收特性。 (磁性金属粒子集合体） 磁性金属粒子集合体100是平均粒径为15nm W上且200nm W下的结合体，具备多 个平均粒径为lOnm W上且50nm W下的磁性金属粒子，该磁性金属粒子含有选自由Fe、Co 及Ni构成的第一组中的至少1种磁性金属，多个所述磁性金属粒子相互局部地结合。在此， 磁性金属粒子10的结合的特征在于，随着构成磁性金属粒子10的元素的相互扩散而进行。 此外，图2为没有被覆层的情况。 磁性金属粒子集合体100通过多个磁性金属粒子10的结合而构成。例如如图2 所示，该结合的程度是能推测出最初的磁性金属粒子10的大小和形状的程度。由此，能兼 顾由最初的磁性金属粒子10的大小和形状引起的、例如4GHz附近?18GHz附近的较高的 频带中的良好的电波吸收特性和由通过多个磁性金属粒子10的结合而制作的磁性金属粒 子集合体100的大小和形状引起的、例如IGHz附近?4GHz附近的较低的频带中的良好的 电波吸收特性。此外，将通过该结合而形成的部分称为颈缩部14。另外，颈缩部14的截面 部的直径比形成颈缩部14的多个磁性金属粒子10所有的直径短。例如，在图中右侧的磁 性金属粒子集合体100中，颈缩部14的截面部的直径化比形成颈缩部14的磁性金属粒子 10的两个直径2R1及2R2小。 磁性金属粒子集合体100的平均粒径为15nm W上且lOOOnm W下，优选为15nm W 上且200nm W下，进一步优选为15nm W上且90nm W下。若低于该平均粒径，则在磁性金属 粒子集合体100的磁性中产生超常磁性，得到的部件的磁通量可能降低。另一方面，若超过 该平均粒径，则在得到的部件的高频区域中润电流损耗变大，设为本专利技术目的的高频区域 中的磁特性可能降低。 此外，磁性金属粒子集合体100的方式不限定于该方式，可W采用各种方式。磁性 金属粒子10的结合程度不限定于图2中表示的程度。另外，在电波吸收体200的内部还可 W存在未结合的磁性金属粒子10。 磁性金属粒子集合体100的平均粒径的求得方法如下；例如，对使用TEM并根据磁 性金属粒子的粒径选择50万倍或100万倍而得到的视野（照片）中的磁性金属粒子集合体 100描绘外接的圆，并将该圆的直径设为该磁性金属粒子集合体100的粒径。在该情况下， 由TEM得到的视野为四边形，因此，通过对其视野的对角线上的磁性金属粒子集合体100进 行粒径求算并进行平均化，可W求得磁性金属粒子集合体100的平均粒径。 (磁性金属粒子） 磁性金属粒子10是由选自由化、Co及Ni构成的第一组中的1种或两种W上的磁 性金属构成的、平均粒径为lOnm W上50nm W下的粒子。 作为选自磁性金属粒子10所含有的第一组中的磁性金属，可W是Fe、Co及Ni的 单质，但也可W是含有它们的合金。特别是化基合金、Co基合金、FeCo基合金可实现较高 的饱和磁化，故优选。化基合金可W含有Ni、MnXu等作为第二成分。例如可W举出；FeNi 合金、FeMn合金、化化合金。Co基合金可W含有Ni、Mn、化等作为第二成分。例如可W举 出；CoNi合金、CoMn合金、Co化合金。作为化Co基合金的例子，可W举出含有Ni、MnXu等 作为第二成分的合金。例如可W举出；化CoNi合金、化CoMn合金、化Co化合金。该些第二 成分是在使用了该磁性金属粒子10的复合部件中用于降低磁损耗并提高高频磁特性而有 效的成分。 在磁性金属粒子10中也可W固溶有碳原子或氮原子。 磁性金属粒子10所含有的第一组、第二组的元素的组成分析例如可W通过W 下的方法进行。例如A1那样的非磁性金属的分析可W举出感应禪合等离子体（ICP: In化ctively coupled plasma)发光分析等方法。根据ICP发光分析，通过对用弱酸等溶解 后的磁性金属粒子10的部分、与利用碱或强酸等溶解被覆层20而得到的残留物及粒子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁性金属粒子集合体，其具备多个平均粒径为10nm以上且50nm以下的磁性金属粒子，所述磁性金属粒子含有选自由Fe、Co及Ni构成的第一组中的至少1种磁性金属，多个所述磁性金属粒子相互局部地结合，所述磁性金属粒子集合体的平均粒径为15nm以上且200nm以下。

【技术特征摘要】
2013.09.20 JP 2013-194770;2014.08.28 JP 2014-173511. 一种磁性金属粒子集合体，其具备多个平均粒径为lOnm W上且50nm W下的磁性金 属粒子，所述磁性金属粒子含有选自由Fe、Co及Ni构成的第一组中的至少1种磁性金属， 多个所述磁性金属粒子相互局部地结合，所述磁性金属粒子集合体的平均粒径为15nm W 上且200nm W下。2. 根据权利要求1所述的磁性金属粒子集合体，其特征在于，所述磁性金属粒子集合 体的相对磁导率的虚部的频率依赖性在两个频率下具有峰值。3. 根据权利要求1所述的磁性金属粒子集合体，其特征在于，所述磁性金属粒子集合 体的相对磁导率的实部的频率依赖性在两个频率下具有峰值。4. 一种电波吸收体，其特征在于，具备权利要求1所述的磁性金属粒子集合体和电阻 比所述磁性金属粒子集合体高的结合层。5. 根据权利要求4所述的电波吸收体，其特征在于，所述电波吸收体中的所述磁性金 属粒子集合体的体积填充率为10% W上且60% W下。6. 根据权利要求4所述的电波吸收体，其特征在于，电阻率为10MQ - cm W上。7. -种磁性金属粒子集合体，其具备多个平均粒径为lOnm W上且50nm W下的磁性金 属粒子，所述磁性金属粒子具有核也部和被覆层，所述核也部含有选自由Fe、Co及Ni构成 的第一组中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥利英，末纲伦浩，原田耕一，末永诚一，江口朋子，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP