本发明专利技术公开了一种射极耦合非对称逻辑保护触发系统，主要由射极耦合式非对称电路，无源π型滤波电路，以及串接在射极耦合式非对称电路与无源π型滤波电路之间的光束激发式逻辑放大电路组成，其特征在于，该光束激发式逻辑放大电路主要由功率放大器P1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器P1的正极输入端相连接、正极经光二极管D1后接地的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R9，正极与电阻R9和二极管D2的连接点相连接。本发明专利技术整体结构简单，其制作和使用非常方便。同时，本发明专利技术的性能稳定，不仅能有效的克服外部电磁干扰，而且还能有效的防止电流突变。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种射极耦合非对称逻辑保护触发系统，主要由射极耦合式非对称电路，无源π型滤波电路，以及串接在射极耦合式非对称电路与无源π型滤波电路之间的光束激发式逻辑放大电路组成，其特征在于，该光束激发式逻辑放大电路主要由功率放大器P1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器P1的正极输入端相连接、正极经光二极管D1后接地的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R9，正极与电阻R9和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C8，一端与与非门IC1的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P1的正极输入端相连接的电阻R10，串接在功率放大器P1的负极输入端与输出端之间的电阻R11，一端与与非门IC1的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R12，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C7，以及一端与极性电容C8的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R13组成；所述与非门IC1的正极输入端与功率放大器P1的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接，与非门IC3的正极输入端与功率放大器P1的输出端相连接；所述射极耦合式非对称电路由三极管Q1，三极管Q2，三极管Q3，串接在三极管Q2的发射极与三极管Q3的基极之间的一级滤波电路，串接在三极管Q3的集电极与二极管Q2的集电极之间的电阻R7，串接在三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极之间的电阻R3，串接在三极管Q1的发射极与极性电容C8的正极之间的二级滤波电路，串接在三极管Q1的基极与极性电容C8的正极之间的三级滤波器，以及串接在三极管Q1的基极与极性电容C8的正极之间的电阻R2和串接在三极管Q3的基极与极性电容C8的正极之间的电阻R6组成；所述三极管Q2的基极与三极管Q1的集电极相连接，其集电极与极性电容C6的正极相连接，所述三极管Q2的发射极与三极管Q3的发射极均接地；所述逻辑保护射极耦合式放大电路主要由三极管Q4，三极管Q5，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器P2的反相端与输出端之间的电阻R14，串接在功率放大器P3的同相端与输出端之间的极性电容C11，串接在功率放大器P2的同相端与三极管Q4的集电极之间的电阻R13，串接在三极管Q4的集电极与三极管Q5的基极之间的电阻R15，与电阻R15相并联的电容C10，负极与功率放大器P2的同相端相连接、正极经电阻R16后与三极管Q4的发射极相连接的极性电容C9，串接在三极管Q5的基极与极性电容C9的正极之间的电阻R17，正极与三极管Q5的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D3和电阻R18后与功率放大器P2的输出端相连接的电容C12，P极与功率放大器P3的输出端相连接、N极经电阻R20和电阻R19后与稳压二极管D3与电阻R18的连接点相连接的二极管D4，以及P极与电容C12的负极相连接、N极与二极管D4与电阻R20的连接点相连接的稳压二极管D5组成；所述三极管Q4的基极与极性电容C9的正极相连接，其发射极与三极管Q5的发射极相连接，其集电极与功率放大器P2的反相端相连接；三极管Q5的集电极与功率放大器P3的反相端相连接，功率放大器P3的同相端与功率放大器P2的输出端相连接；所述极性电容C9的正极与与非门IC3的负极输入端相连接，电阻R20与电阻R19的连接点则与无源π型滤波电路相连接。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢静，周鹏程，
申请(专利权)人：成都创图科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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