一种晶边清洗设备制造技术

技术编号:11206030 阅读:78 留言:0更新日期:2015-03-26 14:17
本发明专利技术涉及半导体良率提升领域,尤其涉及一种晶边清洗设备。本发明专利技术提出的一种晶边清洗设备,通过采用该设备可以同时对晶圆的晶边的正面和背面进行处理,这能够有效的去除晶边多余的膜结构和各种杂质,同时可以改善晶边的结晶程度,进而减少晶边作为缺陷源头的可能性,对提高产品良率会产生很大的帮助。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体良率提升领域,尤其涉及一种晶边清洗设备
技术介绍
半导体行业制造日新月异,产品的线宽在不断的减小。伴随着线宽的变小缺陷对产品的良率会产生更大的杀伤,而改善所以造成缺陷的各种因素也越来越成为可以提升半导体良率的重要手段。生产中发现很多缺陷和芯片晶边的质量有相关性,好的晶边质量可以有效减少缺陷的源头,从而为提高芯片质量提高好的保证。实际生产中可以使用曝光机台来对芯片进行各层图形离芯片最边缘的距离的控制以及对多余物质进行去除处理还可以通过在蚀刻腔内对晶边进行蚀刻处理。生产中发现以现有的手段很难有效的控制产品晶边的质量,产品晶边常成为缺陷的源头,这对产品的良率提升又很大的影响,所以迫切需要提供新的方法让芯片在生产的整个流程中都进行有效的晶边系统处理以最大程度的提高芯片晶边的质量。中国专利(CN203562410U)记载了一种晶圆边缘清洗装置,所述晶圆边缘清晰装置至少包括:两端可伸缩的主轴,固定于所述主轴伸缩端的物理清洗不见,以及与所述主轴连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶边清洗设备,其特征在于,包括,转动轴、晶圆夹持装置、清洗槽和气体喷嘴,所述转动轴水平设置,所述转动轴一端铰接所述晶圆夹持装置;清洗晶圆时,利用所述晶圆夹持装置夹持一晶圆,以使所述晶圆处于竖直方向上并部分浸入所述清洗槽内的清洗液液面以下,一第一气体喷嘴喷射点位于晶圆正面边缘处,所述第二气体喷嘴喷射点位于晶圆背面边缘处。

【技术特征摘要】
1.一种晶边清洗设备,其特征在于,包括,转动轴、晶圆夹持
装置、清洗槽和气体喷嘴,所述转动轴水平设置,所述转动轴一端铰
接所述晶圆夹持装置;
清洗晶圆时,利用所述晶圆夹持装置夹持一晶圆,以使所述晶
圆处于竖直方向上并部分浸入所述清洗槽内的清洗液液面以下,一第
一气体喷嘴喷射点位于晶圆正面边缘处,所述第二气体喷嘴喷射点位
于晶圆背面边缘处。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述气体喷嘴的
喷射方向与水平方向成15°-30°夹角。
3.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述晶圆夹持装
置为一真空吸盘。
4.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述设备还包括
一与所述转...

【专利技术属性】
技术研发人员:何理许向辉叶林
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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