【技术实现步骤摘要】
电平移位电路
本专利技术涉及集成电路
,特别涉及一种电平移位电路。
技术介绍
在集成电路的设计过程中,特别是涉及到高压电路时,常常需要将电路中原本的高压转换成低压后再进行处理,也就是通过对电路中的电平进行移位,以调整为适合统一处理的电平,此时就需要电平移位电路对电平进行移位。在传统高压转低压的核心电平移位电路中,如图1所示,该电平移位电路包括:接收电平移位输入信号的输入端、高压反相器HV-INV、第一高压NMOS管M1、第二高压NMOS管M2、第一高压PMOS管M3以及第二高压PMOS管M4。其中,输入端与第一高压NMOS管M1的栅极和高压反相器HV-INV的输入端分别相连,高压反相器HV-INV的输出端与第二高压NMOS管M2的栅极相连,第一高压NMOS管M1的漏极与第一高压PMOS管M3的漏极和第二高压PMOS管M4的栅极分别相连,第二高压NMOS管M2的漏极与第二高压PMOS管M4的漏极和第一高压PMOS管M3的栅极分别相连,第一高压PMOS管M3的漏极或第二高压PMOS管M4的漏极均可作为该电平移位电路的输出。但是,在两个及两个以上相对独立的高压电源串联应用的集成电路中,各电源的高低电平已不是电源本身与地电平,传统的电平移位电路将不能满足集成电路的应用要求,因此,传统的电平移位电路应用范围比较局限。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在至少从一定程度上解决上述的技术缺陷。为此,本专利技术的目的在于提出一种电平移位电路,该电平移位电路适用于两个或两个以上相对独立的高压电源串联应用的集成电路中,应用范围广泛,通用性强。为达到上述目的,本专利技术实施例提 ...
【技术保护点】
一种电平移位电路,其特征在于,包括:电源装置,所述电源装置包括多个电源模块,所述多个电源模块相互串联;独立子模块装置,所述独立子模块装置包括多个子模块和多个开关管,所述多个子模块相互串联且每个所述子模块与一个电源模块对应并联,每个所述子模块用于输出与对应并联的电源模块两端电位相等的电平信号,每个所述子模块的输出端分别与对应的开关管相连,所述多个开关管根据每个所述子模块输出的电平信号输出相应电平信号;偏置电流提供模块,所述偏置电流提供模块具有第一偏置电流输出端和第二偏置电流输出端,通过所述第一偏置电流输出端和第二偏置电流输出端分别输出第一偏置电流和第二偏置电流;电平移位模块,所述电平移位模块与所述多个开关管和所述偏置电流提供模块分别相连,所述电平移位模块根据所述第一偏置电流和第二偏置电流对所述多个开关管输出的电平信号进行移位以生成电平移位信号;参考电平提供模块,所述参考电平提供模块与所述电平移位模块相连,所述参考电平提供模块用于向所述电平移位模块提供参考电平。
【技术特征摘要】
1.一种电平移位电路,其特征在于,包括:电源装置,所述电源装置包括多个电源模块,所述多个电源模块相互串联;独立子模块装置,所述独立子模块装置包括多个子模块和多个开关管,所述多个子模块相互串联且每个所述子模块与一个电源模块对应并联,每个所述子模块对所述对应并联的电源模块两端电位进行处理以使每个所述子模块输出的高电平与对应并联的电源模块的高电平相同和每个所述子模块输出的低电平与对应并联的电源模块的低电平相同,每个所述子模块的输出端分别与对应的开关管的控制端相连,每个所述子模块对应的开关管的输入端与对应并联的电源模块的高电平端相连,所述多个开关管根据每个所述子模块输出的电平信号输出相应电平信号;偏置电流提供模块,所述偏置电流提供模块具有第一偏置电流输出端和第二偏置电流输出端,通过所述第一偏置电流输出端和第二偏置电流输出端分别输出第一偏置电流和第二偏置电流;电平移位模块,所述电平移位模块与所述多个开关管和所述偏置电流提供模块分别相连,所述电平移位模块根据所述第一偏置电流和第二偏置电流对所述多个开关管输出的电平信号进行移位以生成电平移位信号;参考电平提供模块,所述参考电平提供模块与所述电平移位模块相连,所述参考电平提供模块用于向所述电平移位模块提供参考电平。2.如权利要求1所述的电平移位电路,其特征在于,所述参考电平提供模块为电压转换模块,所述电压转换模块与所述电源装置相连,所述电压转换模块用于对所述电源装置输出的电压进行转换以生成参考电平。3.如权利要求2所述的电平移位电路,其特征在于,所述电压转换模块和所述偏置电流提供模块集成设置。4.如权利要求1所述的电平移位电路,其特征在于,所述多个开关管为多个PMOS管。5.如权利要求4所述的电平移位电路,其特征在于,所述多个电源模块为三个时,所述子模块和所述PMOS管分别为三个,相互串联的三个电源模块之间具有第一节点和第二节点,第一PMOS管的源极与第一电源模块的正极端相连,第一PMOS管的栅极与第一子模块的输出端相连,第二PMOS管的源极与所述第一节点相连,第二PMOS管的栅极与第二子模块的输出端相连,第三PMOS管的源极与第二节点相连,第三PMOS管的栅极与第三子模块的输出端相连。6.如权利要求5所述的电平移位电路,其特征在于,所述电平移位模块具体包括:第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极和栅极分别与所述第一偏置电流输出端相连,所述第一NMOS管的源极与参考地相连;第二NMOS管,所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连,所述第二NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极相连,所述第二NMOS管的源极接地;第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极相连,所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的漏极作为所述电平移位模块的第一输出端;第四PMOS管,所述第四PMOS管的栅极与所述第二偏置电流输出端相连,所述第四PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极相连,所述第四PMOS管的源极与所述参考电平提供模块相连;第四NMOS管,所述第四NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连,所述第四NMOS管的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员:王小平,白青刚,
申请(专利权)人:比亚迪股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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