触控显示基板及其制备方法、触控显示装置制造方法及图纸

技术编号:11195280 阅读:60 留言:0更新日期:2015-03-26 00:55
本发明专利技术公开了一种触控显示基板及其制备方法、触控显示装置,该触控显示基板包括:形成于衬底基板上的导电桥,导电桥的上方形成有触控信号引出线,触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,触控信号引出线的上方形成有钝化层,钝化层上对应导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域形成有过孔,钝化层上形成有触控电极,触控电极通过过孔与导电桥上未覆盖触控信号引出线的区域连接。本发明专利技术的技术方案,通过在触控信号引出线下方设置一导电桥,且触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,同时钝化层上的过孔对应于导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域,因此可有效的避免在钝化层上刻蚀过孔时对触控信号引出线造成刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
触控显示基板及其制备方法、触控显示装置
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种触控显示基板及其制备方法、触控显示装置。
技术介绍
内嵌式触控(In-cellTouch)显示装置凭借着薄型化、轻量化等优势,已成为很多公司的主要产品。图1为现有技术中触控显示基板的截面示意图,如图1所示,该触控显示基板包括:衬底基板1和触控结构,触控结构包括:触控信号引出线7和触控电极8,触控信号引出线7和触控电极8之间形成有钝化层2,钝化层2上对应触控信号引出线7的区域形成有过孔3,触控电极8通过过孔3与触控信号引出线7电连接。在现有技术中,为降低触控信号引出线7的电阻,往往将触控信号引出线设计为由下至上依次层叠的Mo膜4、Al膜5和Mo膜6的三层膜结构。在实际生产过程中发现,在钝化层2上刻蚀过孔3时,不可避免的会产生过刻蚀现象,即对触控信号引出线也产生了部分刻蚀。当触控信号引出线7中最上方的Mo膜被刻4蚀掉之后,Al膜5因暴露在空气中而被氧化,从而出现Al膜5断裂的现象,进而导致触控信号引出线7无法正常传输信号。
技术实现思路
本专利技术提供一种触控显示基板及其制备方法、触控显示装置,可有效解决在钝化层上刻蚀过孔时对触控信号引出线造成刻蚀的技术问题。为实现上述目的,本专利技术提供了一种触控显示基板,包括:衬底基板,所述衬底基板的上方形成有导电桥,所述导电桥的上方形成有触控信号引出线,所述触控信号引出线覆盖所述导电桥的上表面的部分区域,所述触控信号引出线的上方形成有钝化层,所述钝化层上对应所述导电桥的上表面未覆盖所述触控信号引出线的区域形成有过孔,所述钝化层上形成有触控电极,所述触控电极通过过孔与所述导电桥连接。可选地,所述触控信号引出线包括:由下至上依次层叠的第二金属图案和第三金属图案,所述第二金属图案由至少一种低电阻导电材料构成,所述第三金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。可选地,所述触控信号引出线还包括:位于所述第二金属图案下方的第一金属图案,所述第一金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。可选地,还包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线和数据线限定出像素单元,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素电极位于所述薄膜晶体管的漏极的下方。可选地,所述导电桥与所述像素电极同层设置。可选地,所述触控信号引出线与所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和所述薄膜晶体管的漏极同层设置。可选地,所述导电桥为条状,所述导电桥与所述触控信号引出线平行设置。为实现上述目的,本专利技术还提供一种触控显示装置,包括:触控显示基板,该触控显示基板采用上述的触控显示基板。为实现上述目的,本专利技术还提供一种触控显示基板的制备方法,包括:在衬底基板的上方形成导电桥;在所述导电桥的上方形成触控信号引出线,所述触控信号引出线覆盖所述导电桥的上表面的部分区域;在所述触控信号引出线的上方形成钝化层,所述钝化层上对应所述导电桥的上表面未覆盖所述触控信号引出线的区域形成有过孔;在所述钝化层上形成触控电极,所述触控电极通过过孔与所述导电桥连接。可选地,所述触控显示基板还包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线和数据线限定出像素单元,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素电极位于所述薄膜晶体管的漏极的下方;所述在衬底基板的上方形成导电桥的步骤之前还包括:通过构图工艺在所述衬底基板的上方形成栅线和栅极;在所述栅线和所述栅极的上方形成绝缘层;通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成有源层;通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成所述像素电极;所述在衬底基板的上方形成导电桥的步骤具体包括:通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成所述导电桥;所述在衬底基板的上方形成导电桥的步骤之后还包括:通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成所述数据线,在所述有源层的上方形成源极和漏极,所述漏极连接所述有源层和所述像素电极。可选地,形成所述像素电极的步骤与形成所述导电桥的步骤是在同一次构图工艺中进行的;可选地,形成所述触控信号引出线的步骤与形成所述数据线、所述源极和所述漏极的步骤是在同一次构图工艺中进行的。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供了一种触控显示基板及其制备方法和触控显示装置,其中该触控显示基板包括:衬底基板,衬底基板的上方形成有导电桥,导电桥的上方形成有触控信号引出线,触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,触控信号引出线的上方形成有钝化层,钝化层上对应导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域形成有过孔,钝化层上形成有触控电极,触控电极通过过孔与导电桥上未覆盖触控信号引出线的区域连接。本专利技术的技术方案,通过在触控信号引出线下方设置一导电桥,且触控信号引出线覆盖导电桥的上表面的部分区域,同时钝化层上的过孔对应于导电桥的上表面未覆盖触控信号引出线的区域,因此在通过刻蚀工艺形成该过孔时,即使出现过刻蚀现象,也不会刻蚀到触控信号引出线。附图说明图1为现有技术中触控显示基板的截面示意图;图2为本专利技术实施例一提供的触控显示基板的截面示意图;图3为本专利技术实施例一提供的触控显示基板的制备方法的流程图;图4为本专利技术实施二提供的触控显示基板的俯视图;图5为图4中A-A向的截面示意图;图6为本专利技术实施二提供的又一种触控显示基板的俯视图;图7为本专利技术实施例二提供的触控显示基板的制备方法的流程图;图8a~图8e为制备图4所示的触控显示基板的中间结构示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图对本专利技术提供的触控显示基板及其制备方法、触控显示装置进行详细描述。图2为本专利技术实施例一提供的触控显示基板的截面示意图,如图2所示,该触控显示基板包括:衬底基板1,衬底基板1的上方形成有导电桥9,导电桥9的上方形成有触控信号引出线7,触控信号引出线7覆盖导电桥9的上表面的部分区域,触控信号引出线7的上方形成有钝化层2,钝化层2上对应导电桥9的上表面未覆盖触控信号引出线7的区域形成有过孔3,钝化层2上形成有触控电极8,触控电极8通过过孔3与导电桥9连接。本专利技术的技术方案,通过在触控信号引出线7下方设置一导电桥9,且触控信号引出线7覆盖导电桥9的上表面的部分区域,同时钝化层2上的过孔3对应于导电桥9的上表面未覆盖触控信号引出线的区域,因此在通过刻蚀工艺形成该过孔3时,即使出现过刻蚀现象,也不会刻蚀到触控信号引出线7。可选地,触控信号引出线7为双层膜结构,该触控信号引出线具体包括由下至上依次层叠的第二金属图案25和第三金属图案26,第二金属图案25由至少一种低电阻导电材料构成,该低电阻导电材料具体可为:Al、AlNd、Cu或Ag,第三金属图案26由至少一种耐氧化导电材料构成,该耐氧化导电材料具体可为:Cr、Ti、Mo或MoW。本实施例中,触控信号引出线7为三层膜结构,该三层膜结构的触控信号引出线与上述双层膜结构的触控信号引出线的区别在于,在第二金属图案25的下方还设置有第一金属图案24,其中第一金属图案24由至少一种耐氧化导电材料构成,该耐氧化导电材料可为:Cr、Ti、Mo或MoW。本专利技术实施例一还提供了一种触控显示基板的制备方法,用于制备图2所示的触控显示基板。图3为本专利技术实施例一提供的触控显示基板的制备方法的流程图,如图3所示,该制备方法包括:步骤101:在本文档来自技高网...
触控显示基板及其制备方法、触控显示装置

【技术保护点】
一种触控显示基板,其特征在于,包括:衬底基板,所述衬底基板的上方形成有导电桥,所述导电桥的上方形成有触控信号引出线,所述触控信号引出线覆盖所述导电桥的上表面的部分区域,所述触控信号引出线的上方形成有钝化层,所述钝化层上对应所述导电桥的上表面未覆盖所述触控信号引出线的区域形成有过孔,所述钝化层上形成有触控电极,所述触控电极通过过孔与所述导电桥连接。

【技术特征摘要】
1.一种触控显示基板,其特征在于,包括:衬底基板,所述衬底基板的上方形成有导电桥,所述导电桥的上方形成有触控信号引出线,所述触控信号引出线覆盖所述导电桥的上表面的部分区域,所述触控信号引出线的上方形成有钝化层,所述钝化层上对应所述导电桥的上表面未覆盖所述触控信号引出线的区域形成有过孔,所述钝化层上形成有触控电极,所述触控电极通过过孔与所述导电桥连接。2.根据权利要求1所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号引出线包括:由下至上依次层叠的第二金属图案和第三金属图案,所述第二金属图案由至少一种低电阻导电材料构成,所述第三金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。3.根据权利要求2所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号引出线还包括:位于所述第二金属图案下方的第一金属图案,所述第一金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。4.根据权利要求1所述的触控显示基板,其特征在于,还包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线和数据线限定出像素单元,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素电极位于所述薄膜晶体管的漏极的下方。5.根据权利要求4所述的触控显示基板,其特征在于,所述导电桥与所述像素电极同层设置。6.根据权利要求5所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号引出线与所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和所述薄膜晶体管的漏极同层设置。7.根据权利要求1所述的触控显示基板,其特征在于,所述导电桥为条状,所述导电桥与所述触控信号引出线平行设置。8.一种触控显示装置,其特征在于,包括:如上述权利要求1-7中任一所述的触控显示基板。9.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员:李田生谢振宇
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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