【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高压绝缘材料领域，具体涉及一种用于提高聚合物和氧化铝陶瓷真空 沿面闪络特性的方法。
技术介绍
绝缘子在远低于自身以及相同真空间隙的击穿强度下就会发生沿面击穿，这种沿 面闪络现象严重制约着真空电气系统的绝缘性能。长期以来，存在于高压真空电气设备中 沿面闪络现象一直是系统优化设计无法回避的一个瓶颈问题，更是解决设备小型化的一个 关键环节。因此，研宄真空中绝缘子沿面闪络现象及其形成机理，寻找提高其闪络电压的方 法，无论对于绝缘击穿的理论研宄还是实际绝缘子的工程应用都有十分重要的意义。 目前研宄者在实验研宄的基础上，提出了影响闪络特性的几种重要物理因素。这 些因素包括：施加电压波形、绝缘体几何形状及长度、绝缘体几何面积、绝缘体表面处理、绝 缘体材料介电常数、绝缘体预放电处理、磁场作用、电极材料及其几何形状、多层高梯度绝 缘技术等。 其中在研宄真空中绝缘子沿面闪络现象时，表面处理有效改善绝缘子沿面闪络特 性的几个可能的机制有：①绝缘体表面二次电子发射系数降低；②消除表面介电性质不均 匀状况；③降低表面电阻率；④减少表面吸附...
【技术保护点】
一种提高聚合物和氧化铝陶瓷真空沿面闪络特性的方法，其特征在于，所述的方法以电子回旋共振离子源作为离子源的离子注入系统，对绝缘材料试样表面进行离子注入，注入能量为80keV；所述的绝缘材料为聚四氟乙烯或氧化铝陶瓷；所述的注入离子为N离子和C离子。
【技术特征摘要】
1. 一种提高聚合物和氧化铝陶瓷真空沿面闪络特性的方法，其特征在于，所述的方法 以电子回旋共振离子源作为离子源的离子注入系统，对绝缘材料试样表面进行离子注入， 注入能量为80keV ; 所述的绝缘材料为聚四氟乙烯或氧化铝陶瓷； 所述的注入离子为N离子和C离子。2. 根据权利要求1所述的提高聚...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐蓉，夏天威，王涛，王珏，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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