一种基于源极跟随器的逻辑保护放大式的逻辑控制系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于源极跟随器的逻辑保护放大式的逻辑控制系统，主要由场效应管MOS，异或门电路，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5等组成。本发明专利技术的整体结构简单，其制作和使用非常方便。同时，本发明专利技术完全采用逻辑电子元件来实现其逻辑控制功能，因此其能耗非常低，运算速度快。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种逻辑控制电路，具体是指一种基于源极跟随器的逻辑保护放大式的逻辑控制系统。
技术介绍
目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，其需要由专用的驱动电路来进行驱动，因此市面上便出现了各式各样的用于防止驱动系统免受内部或外部不利因素干扰的保护系统。逻辑控制电路是LED灯保护系统中的一个重要控制部分，其运行速度的快慢和性能稳定与否直接决定了LED灯保护系统的使用范围和性能好坏。但是，目前这些逻辑控制电路的结构都较为复杂，不仅其能耗较高，而且其运行速度较慢，不能很好的体现出逻辑控制的快速、低能耗的优势。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前LED灯保护系统用的逻辑控制电路结构复杂、能耗较高、运行速度较慢的缺陷，提供一种基于源极跟随器的逻辑保护放大式的逻辑控制系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种基于源极跟随器的逻辑保护放大式的逻辑控制系统，主要由场效应管MOS，异或门电路，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5，正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3，以及一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端接地的电阻R9组成。同时，所述非门IC2的输出端顺次经电阻R7和二极管D3后与开关功率放大电路相连接，所述非门IC4和异或门电路的输出端均与该开关功率放大电路相连接；且在非门IC4的输出端与开关功率放大电路之间还串接有逻辑保护放大电路；所述开关功率放大电路主要由功率放大器P1，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器P1的输出端与负极输入端之间的电阻R8和电容C8，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的电阻R10和电容C9，基极与功率放大器P1的输出端相连接、集电极经电阻R11后与功率放大器P3的正极输入端相连接的三极管Q2，基极与三极管Q2的发射极相连接、集电极经电阻R12后与功率放大器P3的负极输入端相连接的三极管Q3，基极经电阻R13后与功率放大器P2的输出端相连接、集电极经电阻R16后与三极管Q3的基极相连接的三极管Q1，正极与功率放大器P3的负极输入端相连接、而负极与三极管Q3的发射极相连接并接地的电容C10，与电阻R13相并联的电容C11，一端与三极管Q1的基极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R14，一端与三极管Q1的发射极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R15，与电阻R15相并联的电容C12，以及N极与三极管Q2的集电极相连接、P极外接-4V电压的二极管D5组成；所述功率放大器P1的正极输入端与二极管D3的N极相连接，所述异或门电路的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接。所述逻辑保护放大电路主要由功率放大器P4，功率放大器P5，与非门IC6，与非门IC7，负极与功率放大器P4的正极输入端相连接、正极经电阻R20后与与非门IC7的负极输入端相连接的极性电容C13，一端与与非门IC6的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P4的正极输入端相连接的电阻R17，串接在功率放大器P4的负极输入端与输出端之间的电阻R18，一端与与非门IC6的输出端相连接、另一端与功率放大器P5的负极输入端相连接的电阻R19，串接在功率放大器P5的正极输入端与输出端之间的极性电容C14，正极与与非门IC7的输出端相连接、负极顺次经稳压二极管D6和电阻R21后与功率放大器P4的输出端相连接的电容C15，P极与功率放大器P5的输出端相连接、N极顺次经电阻R23和电阻R22后与稳压二极管D6和电阻R21的连接点相连接的二极管D7，以及N极与电容C15的负极相连接、P极与二极管D7和电阻R23的连接点相连接的稳压二极管D8组成；所述与非门IC6的正极输入端与功率放大器P4的负极输入端相连接；功率放大器P5的输出端与非门IC7的正极输入端相连接，其正极输入端则与功率放大器P4的输出端相连接；所述极性电容C13的正极则与非门IC4的输出端相连接，而电阻R22和电阻R23的连接点则分别与功率放大器P1的负极输入端和功率放大器P2的正极输入端相连接。所述一级滤波电路由P极与非门IC1的输入端相连接、N极经电阻R2和电容C1后与非门IC1的输入端相连接的二极管D1，以及与二极管D1相并联的电阻R1组成；所述电容C1的负极接地。所述异或门电路由异或门IC5，N极与异或门IC5的第一输入端相连接、P极与二级滤波电路相连接的二极管D4，一端与二极管D4的P极相连接、另一端外接+12V电压的电阻R6，以及正极与二极管D4的P极相连接、负极接地的电容C4组成；所述异或门IC5的第二输入端与功率放大器P1的正极输入端相连接，而异或门IC5的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接。所述二级滤波电路由N极与非门IC3的输入端相连接、P极与二极管D4的P极相连接的二极管D2，与二极管D2相并联的电阻R4，以及正极与非门IC3的输入端相连接、负极接地的电容C2组成。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：（1）本专利技术的整体结构简单，其制作和使用非常方便。（2）本专利技术完全采用逻辑电子元件来实现其逻辑控制功能，因此其能耗非常低，运算速度快。（3）本专利技术采用源极跟随器来作为控制开关，因此其性能更加稳定，其动态范围更好。（4）本专利技术采用了开关功率放大电路来作为功率放大部件，因此性能更加稳定，灵敏度更高。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的逻辑保护放大电路结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由场效应管MOS、非门IC1、非门IC3、非门IC4、一级滤波电路、二级滤波电路、异或门电路、电阻R3、电阻R5、电阻R7、电阻R9、电容C3、二极管D3、开关功率放大电路及逻辑保护放大电路组成。连接时，非门IC2的输入端与非门IC1的输出端相连接，即非门IC1和非门IC2相串接。同时，该一级滤波电路要与非门IC1的输入端相连接，二级滤波电路则与非门IC3的输入端相连接。其中，所述的开关功率放大电路主要由功率放大器P1，功率放大器P2，功率放大器P3，三极管Q1，三极管Q2，三极管Q3，串接在功率放大器P1的输出端与负极输入端之间的一级RC滤波电路，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的二级RC滤波电路，以及电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电容C10、电容C11、电容C12及二极管D5组成。所述的一级RC滤波电路由电阻R8和电容C8并联而成，即电阻R8和电容C8均串接在功率放大器P1的负本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于源极跟随器的逻辑保护放大式的逻辑控制系统，主要由场效应管MOS，异或门电路，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5，正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3，以及一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端接地的电阻R9组成，其特征在于，所述非门IC2的输出端顺次经电阻R7和二极管D3后与开关功率放大电路相连接，所述非门IC4和异或门电路的输出端均与该开关功率放大电路相连接；同时，在非门IC4的输出端与开关功率放大电路之间还串接有逻辑保护放大电路；所述开关功率放大电路主要由功率放大器P1，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器P1的输出端与负极输入端之间的电阻R8和电容C8，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的电阻R10和电容C9，基极与功率放大器P1的输出端相连接、集电极经电阻R11后与功率放大器P3的正极输入端相连接的三极管Q2，基极与三极管Q2的发射极相连接、集电极经电阻R12后与功率放大器P3的负极输入端相连接的三极管Q3，基极经电阻R13后与功率放大器P2的输出端相连接、集电极经电阻R16后与三极管Q3的基极相连接的三极管Q1，正极与功率放大器P3的负极输入端相连接、而负极与三极管Q3的发射极相连接并接地的电容C10，与电阻R13相并联的电容C11，一端与三极管Q1的基极相连接、另一端外接‑4V电压的电阻R14，一端与三极管Q1的发射极相连接、另一端外接‑4V电压的电阻R15，与电阻R15相并联的电容C12，以及N极与三极管Q2的集电极相连接、P极外接‑4V电压的二极管D5组成；所述功率放大器P1的正极输入端与二极管D3的N极相连接，所述异或门电路的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接；所述逻辑保护放大电路主要由功率放大器P4，功率放大器P5，与非门IC6，与非门IC7，负极与功率放大器P4的正极输入端相连接、正极经电阻R20后与与非门IC7的负极输入端相连接的极性电容C13，一端与与非门IC6的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P4的正极输入端相连接的电阻R17，串接在功率放大器P4的负极输入端与输出端之间的电阻R18，一端与与非门IC6的输出端相连接、另一端与功率放大器P5的负极输入端相连接的电阻R19，串接在功率放大器P5的正极输入端与输出端之间的极性电容C14，正极与与非门IC7的输出端相连接、负极顺次经稳压二极管D6和电阻R21后与功率放大器P4的输出端相连接的电容C15，P极与功率放大器P5的输出端相连接、N极顺次经电阻R23和电阻R22后与稳压二极管D6和电阻R21的连接点相连接的二极管D7，以及N极与电容C15的负极相连接、P极与二极管D7和电阻R23的连接点相连接的稳压二极管D8组成；所述与非门IC6的正极输入端与功率放大器P4的负极输入端相连接；功率放大器P5的输出端与非门IC7的正极输入端相连接，其正极输入端则与功率放大器P4的输出端相连接；所述极性电容C13的正极则与非门IC4的输出端相连接，而电阻R22和电阻R23的连接点则分别与功率放大器P1的负极输入端和功率放大器P2的正极输入端相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种基于源极跟随器的逻辑保护放大式的逻辑控制系统，主要由场效应管MOS，异或门电路，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5，正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3，以及一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端接地的电阻R9组成，其特征在于，所述非门IC2的输出端顺次经电阻R7和二极管D3后与开关功率放大电路相连接，所述非门IC4和异或门电路的输出端均与该开关功率放大电路相连接；同时，在非门IC4的输出端与开关功率放大电路之间还串接有逻辑保护放大电路；所述开关功率放大电路主要由功率放大器P1，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器P1的输出端与负极输入端之间的电阻R8和电容C8，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的电阻R10和电容C9，基极与功率放大器P1的输出端相连接、集电极经电阻R11后与功率放大器P3的正极输入端相连接的三极管Q2，基极与三极管Q2的发射极相连接、集电极经电阻R12后与功率放大器P3的负极输入端相连接的三极管Q3，基极经电阻R13后与功率放大器P2的输出端相连接、集电极经电阻R16后与三极管Q3的基极相连接的三极管Q1，正极与功率放大器P3的负极输入端相连接、而负极与三极管Q3的发射极相连接并接地的电容C10，与电阻R13相并联的电容C11，一端与三极管Q1的基极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R14，一端与三极管Q1的发射极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R15，与电阻R15相并联的电容C12，以及N极与三极管Q2的集电极相连接、P极外接-4V电压的二极管D5组成；所述功率放大器P1的正极输入端与二极管D3的N极相连接，所述异或门电路的输出端则与功率放大器P2的负极输入端相连接；
所述逻辑保护放大电路主要由功率放大器P4，功率放大器P5，与非门IC6，与非门IC7，负极与功率放大器P4的正极输入端相连接、正极经电阻R20后与与非门IC7的负极输入端相连接的极性电容C13...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗娅，车容俊，
申请(专利权)人：成都措普科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51