气体传感器组件制造技术

技术编号:11180127 阅读:48 留言:0更新日期:2015-03-25 09:43
本发明专利技术提供了一种气体传感器组件,其包括:基底;位于该基底上的气体传感元件;以及盖模块,该盖模块包括通风孔并且意在用于覆盖气体传感元件。

【技术实现步骤摘要】
气体传感器组件
本专利技术涉及气体传感器组件。
技术介绍
需要一种具有下述特征的气体传感器,诸如显示气体传感器能够如何快速地响应于环境的速度、尽管检出少量气体但也能够对所述气体的检出进行响应的敏感性、显示出气体传感器能够运行多久的耐用性,显示出传感器能够在无负担的情况下被用户使用的经济效率等。 为了使该气体传感器与现有的半导体处理技术相结合,气体传感器应具有易于集成和计数的特征。以二氧化锡(Sn02)为材料制成的家用气体泄漏报警器作为实用的气体传感器已经广泛使用。 气体传感器分为利用阻值根据气体量的变化而变化的半导体型和利用当气体被吸收到振荡器——该振荡器以预定频率振荡——上时产生的振荡频率中的变化的振荡器型。大多数的气体传感器已被用作具有简单电路并在室温下显示稳定的热性能的半导体型气体传感器。 总体上,气体传感器具有其中气体传感材料或传感芯片被安装至气体传感器的组件结构,并应当具有用于保护气体传感材料的上表面或传感芯片的上表面的独立的帽构件,并且该帽构件的上表面上设置由微小的网形成的网状构件以允许气体的通风。 在该用于感测气体的气体传感组件中,由于盖构件和网状构件使得上部结构的高度增加,并且由于当传感器芯片连接至电极部时使用了引线键合方法(wire bondingmethod),因而气体传感组件的整体尺寸进一步增加直至数倍至数十几倍于传感器芯片。由于此,存在对于实施小型化的气体传感器的限制。
技术实现思路
本专利技术的方面提供了一种气体传感器组件,其能够通过意在用于覆盖和密封气体传感器的盖模块确保使气体能够与气体传感部接触的空间,并能够具有高的密封效率。 同样,本专利技术的另一方面提供了一种气体传感器组件,该气体传感器组件通过使反应气体能够经由第一通风孔充分地流入盖模块中的气体传感元件并将盖模块中的所述反应气体经由第二通风孔排出以利于有效通风而能够同时解决通风和辐射热的问题。 根据本专利技术的实施方式的方面,提供了一种气体传感器组件,其包括:基底;位于该基底上的气体传感元件;以及盖模块,该盖模块包括通风孔并且构造成用于覆盖气体传感元件。 根据本专利技术的另一实施方式,所述通风孔可形成为与盖模块的内部的接纳空间连通。 根据本专利技术的再一实施方式,通风孔可以包括:形成在盖模块的侧壁部处的第一通风孔;以及形成在盖模块的上表面部中的第二通风孔。 根据本专利技术的又一实施方式,盖模块的上表面部形成为平行于基底的平面,并且盖模块的侧壁部可形成为垂直于基底的平面。 根据本专利技术的又一实施方式,第一通风孔或第二通风孔可以被对准成对应于气体传感元件的中央部。 根据本专利技术的又一实施方式,第一通风孔构可以构造成使得在侧壁部中的每个侧壁部处形成至少一个第一通风孔。 根据本专利技术的又一实施方式,第一通风孔可以形成为接触基底。 根据本专利技术的又一实施方式,第一通风孔可以形成为基于气体传感元件对称。 根据本专利技术的又一实施方式,第二通风孔可以构造成使得多个第二通风孔形成在盖模块的上表面部中。 根据本专利技术的又一实施方式,盖模块可结合至基底的端部。 根据本专利技术的又一实施方式,盖模块的侧壁部可结合至基底的端部的表面。 根据本专利技术的又一实施方式,盖模块可由金属材料制成并且可还包括表面处理层。 根据本专利技术的又一实施方式,气体传感器组件可还包括输出改变部,该输出改变部形成在基底上并且构造成用于改变气体传感元件的输出模式。 根据本专利技术的又一实施方式,输出改变部可由NTC(负温度系数)热敏电阻或电阻元件组成。 根据本专利技术的又一实施方式,气体传感器组件可还包括用于将盖模块结合至基底的粘接材料层。 【附图说明】 附图被包括到本说明书中以提供本专利技术的进一步理解,并且被结合到本说明书中并组成本说明书的一部分。附图图示了本专利技术的示例性实施方式,与描述一起用于说明本专利技术的原理。在附图中: 图1至图3为用于说明根据本专利技术的实施方式的气体传感器组件的视图; 图4和图5为图示根据本专利技术的实施方式的盖模块的视图; 图6至图9为用于说明根据本专利技术的另一实施方式的气体传感器组件的视图; 图10为图示根据本专利技术的另一实施方式的盖模块的视图;以及 图11和图12为用于说明制造根据本专利技术的实施方式的气体传感器组件的方法的视图。 【具体实施方式】 下文中将参照附图更全面地描述本专利技术的实施方式,所述附图中示出了本专利技术的示例性实施方式。然而,本专利技术可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限制本文中所提出的实施方式。在以下描述中,应当注意的是,当常规元件的功能和元件的与本专利技术相关的详细描述会使本专利技术的要点不清楚时,将省略对那些元件的详细描述。另外,应当理解的是所述元件在附图中示出的形状和尺寸可被放大地绘制以提供对本专利技术的结构的容易理解的描述而非反映了对应的元件的实际的尺寸。 图1至图3为用于说明根据本专利技术的实施方式的气体传感器组件的视图。即,图1为根据本专利技术的实施方式的气体传感器组件的侧视图,图2为根据本专利技术的实施方式的气体传感器组件的一侧的截面图,图3为根据本专利技术的实施方式的气体传感器组件的上部的截面图。 将参照图1至图3描述根据本专利技术的实施方式的气体传感器组件的构型。 在基底110处布置气体传感元件120以感测气体。 气体传感元件120可包括能够进行气体感测的传感材料,所有已经被商品化了的气体传感结构均可被称为气体传感元件。使用氧化物半导体的传感元件、使用碳纳米管的传感元件、各种其他的传感半导体芯片等均可被应用为气体传感元件。 如图2和图3中所示,气体传感元件120可以覆晶键合方法(flip chip bondingmethod)安装至基底。 g卩,在图2和图3的实施方式中,气体传感元件120以覆晶键合方法直接地结合至基底110使得能够去除键合线(bonding wire),由此能够使气体传感器组件小型化并能够使生产成本降低。 盖模块130为意在用于保护气体传感元件120的元件,盖模块130可被构造成用于覆盖气体传感元件120并且可由金属材料制成。 此时,盖模块130可包括如图1和图2中所示位于盖模块130上的通风孔135、136,第一通风孔135形成为接触基底110,并且通风孔135、136可形成为与盖模块130的内部的接纳空间137连通。 更具体地,如图2中所示,盖模块130可包括与基底110接触的侧壁部、以及位于侧壁部131上的上表面部132,侧壁部131上可形成第一通风孔135。此时,第一通风孔135可形成为接触基底110。 此时,盖模块的上表面部132可形成为平行于基底110的平面,盖模块的侧壁部131可形成为垂直于基底110的平面。 同时,当通风孔135、136形成在盖模块130中时,通风孔可通过利用光刻工艺选择性地执行蚀刻而形成。 通风孔135使反应气体能够充分地流入气体传感元件120中,由此确保通风。此夕卜,如在图3中所示,第一通风孔135基于气体传感元件120对称地形成,由此利于反应气体的有效流动。 同样,第一通风孔135可构造成使得至少一个第一通风孔135形成在每个侧壁部131中,并且如图2中所示,第一通风孔可以形成为接触基底110。 同样,如图2中所示,第二通风本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体传感器组件,包括:基底;位于所述基底上的气体传感元件;以及盖模块,所述盖模块包括通风孔并意在用于覆盖所述气体传感元件。

【技术特征摘要】
2013.09.16 KR 10-2013-0111261;2014.03.25 KR 10-2011.一种气体传感器组件,包括: 基底; 位于所述基底上的气体传感元件;以及 盖模块,所述盖模块包括通风孔并意在用于覆盖所述气体传感元件。2.根据权利要求1所述的气体传感器组件,其中,所述通风孔与所述盖模块的内部的接纳空间连通。3.根据权利要求1所述的气体传感器组件,其中,所述通风孔包括:形成在所述盖模块的侧壁部处的第一通风孔;以及形成在所述盖模块的上表面部上的第二通风孔。4.根据权利要求3所述的气体传感器组件,其中,所述盖模块的所述上表面部形成为平行...

【专利技术属性】
技术研发人员:白智钦黄智勳
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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