荧光体、LED发光元件和光源装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及CaS系荧光体，提出了一种即使与不同种类的材料一同加热也能够抑制化学反应的新的CaS系荧光体。提出了一种荧光体，其含有以组成式:Ca1-xSrxS·yZnO(式中，0≦x<1、0<y≦0.5)表示的结晶母材和发光中心。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】荧光体、LED发光元件和光源装置
本专利技术涉及荧光体，具体来说，涉及能够用于白色LED光源装置、荧光显示管 (VFD)、场发射型显示器（FED)、电致发光（EL)等的光源装置的荧光体、以及使用该荧光体 的LED发光元件和光源装置。
技术介绍
以往，作为红色荧光体，出于化学稳定等原因，主要使用ZnCdS:Ag，Cl荧光体等。 但是，由于环境问题等，Cd的使用受到限制，正在开发不含Cd的新的红色荧光体。 例如专利文献1和专利文献2中公开了一种红色荧光体，其含有硫化钙作为母体、 含有Eu作为发光中心（活化剂）、含有Mn、Li、Cl ;Ce、Gd等作为敏化剂（共活化剂）而成。 此外，专利文献3中，作为在低速电子激发的条件下也可得到高的色纯度以 及良好的亮度和效率的红色荧光体，公开了以通式（Ca，Sr)S:Eu，A，F· · (1)、（Ca，Sr) S:Eu，Rb，F· · (2)、或（Ca，Sr)S:Eu，A，Rb，F· · (3)中的任一式表示的红色荧光体（其中， 上述式（1)?（3)中的A为选自Al、Ga、In中的至少一种，A的含量为0.01?5摩尔％，Rb 的含量为0.01?2摩尔％ )。 专利文献4中公开了一种红色荧光体，其为以通式：（Cai_xS rx)S:EU，In(其中，式 中的X为0?1)表示的红色荧光体，相对于Ca和Sr的合计摩尔数，该红色荧光体含有In 0· 05?4. 0摩尔％。 专利文献5中公开了一种橙色荧光体，其可被近紫外线至可见区域的光所激发， 其特征在于，该橙色荧光体具有与Eu 2SiS4相同的单斜晶系的晶体结构，由Eu浓度记为X时 的通式（CaBa) 1_#11!^54来表示。 专利文献6中，作为用于改善以硫化锶、硫化钡及硫化钙等碱土硫化物为基体的 红色荧光体的耐湿性的方法，公开了下述方法：在以低浓度含有反应性氟化物的醇等无水 极性溶剂中分散发红色光的荧光体颗粒，从而对颗粒实施透明的氟化物包覆。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2002-80845号公报 专利文献2 :日本特开2003-41250号公报 专利文献3 :日本特开2005-146190号公报 专利文献 4 :W02008/102518 专利文献5 :日本特开2010-215728号公报 专利文献6 :日本特表1002-527570号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 上述专利文献3和专利文献4所公开的CaS:Eu系红色荧光体显示深红色，因而作 为荧光体可期待优异的效果。 但是，另一方面，CaS等含硫的荧光体（称为CaS系荧光体）易于与水发生反应， 因此在大气中保存或使用时，存在与大气中的水分等反应而发生水解从而荧光体劣化、发 光强度降低的问题。因此，难以实用化为例如LED用荧光体等。 另外，CaS系荧光体由于该硫与水的反应而产生硫化氢气体，特别是在该荧光体用 于白色LED元件的情况下，也被指出下述等问题：该硫化氢气体阻碍与荧光体混合的硅树 脂的固化、或者腐蚀用于提高引线框的反射率而实施的镀Ag膜（下文中称为Ag反射膜） 等元件内部的金属部件，从而使其反射性能降低、或者成为断线等电气故障的原因。 作为解决这样的问题的一个手段，可以考虑利用具备水蒸气（气体）阻隔性的二 氧化硅系玻璃膜来包覆CaS系荧光体。但是，CaS系荧光体在与不同种类的材料一同加热 时，容易发生化学反应（化合），因此在形成二氧化硅系玻璃膜时，不仅CaS系荧光体与玻璃 组合物反应而不能形成均质的玻璃膜，而且还难以保持发光特性。 此时，为了降低玻璃的软化点，也可以考虑添加助熔剂（B2O3，碱金属等）的方法， 但是添加这种助熔剂时，反而会促进CaS系荧光体的反应，带来相反的效果。 因此，本专利技术涉及CaS系荧光体，提供一种即使与不同种类的材料一同加热，也能 够抑制化学反应的新的CaS系荧光体。 解决课题的手段 本专利技术提出了一种荧光体，其含有以组成式：Ca1JrxS · yZnO(式中，0 = x〈l、 〇〈y = 0. 5)表示的结晶母材、和发光中心。 专利技术效果 本专利技术提出的CaS系荧光体具备以组成式：Ca1JrxS ·7ΖηΟ(式中，0兰x〈l、 〇〈y = 0. 5)表示的结晶母材，具备例如（Ca, Sr) S与（Ca, Sr) ZnOS复合化而成的构成。将本 专利技术提出的CaS系荧光体与不同种类的材料一同加热时，（Ca, Sr)ZnOS发挥缓冲作用，从而 起到抑制（Ca, Sr)S的反应的作用，因此，能够抑制该（Ca, Sr)S与该不同种类的材料发生反 应。因此，本专利技术提出的荧光体例如即使与玻璃组合物一同加热，也能够防止与玻璃组合物 反应，因此能够在荧光体颗粒表面形成均质的玻璃膜，可改善耐湿性。并且，此时，可维持发 光特性，因而可适合用于在例如白色LED光源、荧光显示管（VFD)、场发射型显示器（FED)、 电致发光（EL)等的光源装置中使用的荧光体以及发光元件、光源装置中。 【附图说明】 图1为示意性示出本专利技术的一个示例涉及的突光体颗粒的截面状态的一个示例 的图。 图2为示意性示出与图1不同的本专利技术的一个示例涉及的荧光体颗粒的截面状态 的一个示例的图。 图3为示意性示出在图1所示的荧光体颗粒的表面形成玻璃膜后的截面状态的一 个示例的图。 图4为示意性示出在图2所示的荧光体颗粒的表面形成玻璃膜后的截面状态的一 个示例的图。 图5示出对实施例1-4中得到的荧光体粉末进行X射线衍射测定（CuK α射线） 而得到的X射线衍射图谱的图。 图6为示出利用LED封装分别对实施例2-2和比较例2-4中得到的荧光体粉末进 行评价而得到的光通维持率（％)随时间的变化的图。 图7为示出使用含有荧光体和透明树脂的荧光体片所制作的照明装置的一个示 例的示意性截面图。 图8为示出使用含有荧光体和透明树脂的荧光体片所制作的照明装置的另一示 例的示意性截面图。 图9为示出使用含有荧光体和透明树脂的荧光体片所制作的照明装置的另一示 例的示意性截面图。 图10为示出使用含有荧光体和透明树脂的荧光体片所制作的照明装置的另一示 例的示意性截面图。 图11为示出使用含有荧光体和透明树脂的荧光体片所制作的照明装置的另一示 例的示意性截面图。 图12为示出具备含有荧光体的荧光体层配置在由透明的树脂组合物或玻璃组合 物形成的密封层内而成的构成的照明装置的一个示例的示意性截面图。 【具体实施方式】 以下对本专利技术的实施方式进行详细说明。但是，本专利技术的范围并非被限定于以下 说明的实施方式。 〈本荧光体1> 本专利技术的第1实施方式的荧光体（以下称为本荧光体1）为含有以组成式（1): CahSr xS · yZnO(式中，0兰x〈l、0〈y兰0· 5)表示的结晶母材和发光中心的荧光体。 组成式（1)中，表示Sr的摩尔比例的X基于最终制品的用途和设计思想等在 0兰χ〈1的范围中调整为适宜比例即可。例如从视觉灵敏度的方面出发，优选为0. 5以上且 小于1、特别是进一步优选为〇. 8以上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光体，其含有以组成式:Ca1‑xSrxS·yZnO表示的结晶母材、和发光中心，所述组成式中，0≦x<1、0<y≦0.5。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.10.23 JP 2012-2336161. 一种英光体，其含有W组成式：化i_,Sr,S ? yZnO表示的结晶母材、和发光中也，所述 组成式中，0兰x<l、0<y兰0. 5。2. 如权利要求1所述的英光体，其特征在于，W组成式：化i_,Sr,S ? yZnO表示的结晶母 材具备（Ca，Sr)S与（Ca，Sr)ZnOS复合化而成的构成，所述组成式中，0 ^ x<l、0<y ^ 0. 5。3. 如权利要求1或2所述的英光体，其特征在于，上述结晶母材包含具有化化0S相结 构的物质。4. 如权利要求3所述的英光体，其特征在于，上述具有化化0S相结构的物质W包含具 有化化0S相结构的物质的颗粒的形式存在，或者W包含具有化化0S相结构的物质的层的 形式存在。5. 如权利要求1?4中任一项所述的英光体，其特征在于，上述结晶母材包含具有化S 相结构的物质。6. 如权利要求5所述的英光体，其特征在于，具有ZnS相结构的物质W包含具有ZnS相 结构的物质的颗粒的形式存在，或者W包含具有ZnS相结构的物质的层的形式存在。7. 如权利要求1?6中任一项所述的英光体，其特征在于，该英光体含有Eu作为发光 中也。8. 如权利要求1?7中任一项所述的英光体，其特征在于，该英光体具备含有含SiO2 的非晶态氧化物的层。9. 如权利要求8所述的英光体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻村昌晃，井上美知代，熊谷彰记，清水春香，森崇好，伊东纯一，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP