电流收集层结构制造技术

本发明专利技术提供一种电流收集层结构，包含金属箔基层及石墨烯导电层，石墨烯导电层厚度为0.1μm～5μm，且电阻值小于1Ω·cm，石墨烯导电层包含多个石墨烯片，以及高分子黏结剂，高分子黏结剂用以将所述石墨烯片粘着于该金属箔基层之上，并且将所述石墨烯片相互黏接，且该高分子黏结剂与石墨烯导电层的重量百分比为0.01wt％至10wt％，藉由添加高分子黏结剂，增加了整体电流收集层结构的附着强度，形成完整的导电网络，且高分子黏着剂与电化学元件内活性物质的黏结剂兼容，使电化学元件的活性物质与石墨烯导电层紧密结合，将两者的接触电阻降至最低，进而大幅提升电化学元件性能。

【技术实现步骤摘要】
电流收集层结构
本专利技术涉及一种电流收集层结构，尤其是包含石墨烯导电层。
技术介绍
单层石墨，又称为石墨烯(graphene)，是一种由单层碳原子以石墨键(sp2)紧密堆积成二维蜂窝状的晶格结构，因此仅有一个碳原子的厚度，石墨键为共价键与金属键的复合键，可说是绝缘体与导电体的天作之合。2004年英国曼彻斯特大学AndreGeim与KonstantinNovoselov成功利用胶带剥离石墨的方式，证实可得到单层的石墨烯，并获得2010年的诺贝尔物理奖。石墨烯是目前世界上最薄也是最坚硬的材料，导热系数高于纳米碳管与金刚石，常温下其电子迁移率亦比纳米碳管或硅晶体高，电阻率比铜或银更低，是目前世界上电阻率最小的材料，这些独特的电荷机械性质使得加入石墨烯的复合材料更多功能化，不但表现出优异的力学及电学性能，还具有优良的加工性能，为复合材料提供了更广阔的应用领域。但是结构完整的石墨烯是由不含任何不稳定键的苯六元环组合而成的二维晶体，化学稳定性高，其表面呈惰性状态，与其它介质(如溶剂等)相互作用较弱，且石墨烯的片与片之间存在较强的范德华力，容易产生团聚，使其难溶于水以及其它常用的有机溶剂，更难与其它材料掺混形成复合材料，因而大大限制了石墨烯的进一步研究与应用，过去多以其它石墨类或碳类材料作为复合材料应用。美国专利US20120237782揭露一种碳涂布层铝箔片的制备方法，将碳原子以电浆的方式沉积于金属铝箔之上，此碳涂布层使得铝箔片的机械显著的增加，另外用于电容器上，电子导电度以及功率密度有所改善。美国专利US20130171517揭露一种石墨烯涂布层于金属箔片的制备方法，将1～10层厚的石磨烯分散于具有挥发性的溶剂中，如：有机溶剂或水，形成0.05wt％～5wt％的石墨烯浆料，其石墨烯薄膜以含浸方式涂布于金属箔片上，其涂布厚度为0.8μm～5μm，再放置室温或加热方式干燥此石墨烯电流收集层。由于石墨材料与金属材料先天差异极大，亲合性不佳，因此石墨烯对于金属箔片的附着性较差，两者的界面反而会形成电阻层，再者以含浸方式制备其石墨烯电流收集层，对于涂布的厚度，其均一性较难调控。因此，此专利在制备石墨烯涂布层金属箔片上，其具有实行的困难性。因此，应用石墨烯特有的导电性能来取代一般的碳涂布层，进而应用于现有的电化学产品上，实质上需要解决的问题在于各材料之间的亲合与接着特性，才能发挥石墨烯预期的效果。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种电流收集层结构，该电流收集层结构包含金属箔基层及石墨烯导电层，石墨烯导电层厚度为2μm～5μm，且电阻值小于1Ω·cm；石墨烯导电层包含多个石墨烯片，以及一高分子黏结剂，该高分子黏结剂用以将所述石墨烯片粘着于该金属箔基层之上，并且将所述石墨烯片相互黏接，且该高分子黏结剂占石墨烯导电层的重量百分比0.01wt％至10wt％。本专利技术藉由高分子黏结剂的添加，使石墨烯片与金属箔片之间连接，并增加石墨烯片堆栈区块间的连接，增加了整体电流收集层结构的附着强度，形成完整的导电网络，且该高分子黏着剂与电化学元件内活性物质的黏结剂完全兼容，使电化学元件的活性物质与石墨烯导电层紧密结合，将两者的接触电阻降至最低，大幅提升电化学元件性能，从而能将本专利技术的电流收集层结构应用于各种电池、电容器中。附图说明图1为本专利技术的电流收集层结构的剖面示意图。其中，附图标记说明如下：1电流收集层结构10金属箔基层20石墨烯导电层具体实施方式以下配合图式及元件符号对本专利技术的实施方式做更详细的说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。参阅图1，为本专利技术电流收集层结构的剖面示意图。如图1所示，本专利技术的电流收集层结构1包含一金属箔基层10及一石墨烯导电层20，该金属箔基层选自铝箔、铜箔、钛箔、镍箔中的任一种。石墨烯导电层20设置在该金属箔基层10的至少一表面上，厚度为0.1μm～5μm，且电阻值小于1Ω·cm；石墨烯导电层20包含多个石墨烯片，以及一高分子黏结剂，该高分子黏结剂用以将所述石墨烯片粘着于该金属箔基层10之上，并且将所述石墨烯片相互黏接，且该高分子黏结剂与石墨烯导电层20的重量百分比为0.01wt％至10wt％。该石墨烯片呈片状，厚度为1nm～50nm，且平面横向尺寸为1μm～50μm。该高分子黏结剂选自聚偏氟乙烯、聚对苯二甲酸乙烯酯、聚氨酯、聚氧化乙烯、聚丙烯腈、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚四甘醇二丙烯酸酯、聚酰亚胺、醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、醋酸丙酸纤维素、乙基纤维素、氰乙基纤维素、氰乙基聚乙烯醇及羧甲基纤维素的至少其中之一，且该高分子黏结剂与电池的电解液接触后，形成为胶态。以下以实际的实验示例，来说明本专利技术电流收集层结构的制作方法。首先，将石墨烯片放入N-甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidinone，NMP)溶剂中，再加入聚偏氟乙烯(Polyvinylidenefluoride，PVDF)作为高分子黏结剂，接着球磨数小时，而制成石墨烯的浆料。再将石墨烯浆料喷涂于以铝箔做成的金属箔基层，并烘干充分使N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶剂挥发后，形成石墨烯导电层，而完成电流收集层结构，再以四点探针量测电阻值。以下实验示例1—5的差异在于石墨烯电流收集层中添加聚偏氟乙烯的量不同，以及该石墨烯导电层的喷涂厚度的不同，其实验结果如表1所示。表1另外，该石墨烯导电层与该金属箔基层，经由3M型号600和610胶带进行百格测试结果，该石墨烯导电层对于该金属箔片附着强度大于或等于4B。本专利技术的特点在于，藉由高分子黏结剂的添加，使石墨烯片与金属箔片之间连接，并增加石墨烯片堆栈区块间的连接，增加了整体电流收集层结构的附着强度，形成一完整的导电网络。另外，就电化学部分，该高分子黏着剂与电化学元件内活性物质的黏结剂完全兼容，使电化学元件的活性物质与石墨烯导电层紧密结合，将两者的接触电阻降至最低，大幅提升电化学元件性能。从而能够应用于各种电池、电容器中。以上所述者仅为用以解释本专利技术的较佳实施例，并非企图据以对本专利技术做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的专利技术精神下所作有关本专利技术的任何修饰或变更，皆仍应包括在本专利技术意图保护的范畴。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流收集层结构，其特征在于，包含：一金属箔基层；以及一石墨烯导电层，设置在该金属箔基层的至少一表面上，且该石墨烯导电层包含多个石墨烯片，以及一高分子黏结剂，该高分子黏结剂用以将所述石墨烯片粘着于该金属箔基层上，并且将所述石墨烯片相互黏接，其中所述石墨烯片呈片状，厚度为1nm～50nm，且平面横向尺寸为1μm～50μm。

【技术特征摘要】
2013.08.28 TW 1021308581.一种电流收集层结构，其特征在于，包含：一金属箔基层；以及一石墨烯导电层，设置在该金属箔基层的至少一表面上，且该石墨烯导电层仅由多个石墨烯片，以及一高分子黏结剂所组成，该高分子黏结剂用以将所述石墨烯片粘着于该金属箔基层上，并且将所述石墨烯片相互黏接，其中所述石墨烯片呈片状，厚度为1nm～50nm，且平面横向尺寸为1μm～50μm，该高分子黏结剂与该石墨烯导电层的重量比为0.12wt％至0.46wt％之间，该石墨烯导电层的电阻值介于2.104×10-6～8.376×10-1Ω·cm之间，该石墨烯导电层对于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴以舜，谢承佑，郑叡骏，谢淑玲，陈静茹，
申请(专利权)人：安炬科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71