一种双晶体管自激式电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双晶体管自激式电路，包括输入电压端VCC和接地端GND，所述输入电压端VCC分别连接有第一电阻R1，第三电阻R3和第四电阻R4，所述第一电阻R1与第二电阻R2连接，所述第一电阻R1与所述第二电阻R2连接处设有电容C1，所述第二电阻R2与第一晶体管Q1连接，所述第三电阻R3和所述电容C1分别与压电元件PZ的第一端M和第二端F，所述压电元件PZ的共同端G分别与所述第四电阻R4和第二晶体管Q2连接，所述第二晶体管Q2与第五电阻R5连接，所述第一晶体管Q1与所述第二晶体管Q2都连接到所述接地端GND。本实用新型专利技术通过线路优化，激发压电元件正负半周振荡，有效提升蜂鸣器音压输出，在满足客户高声压需求的同时，且工作状态稳定，利于批量生产。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路领域，具体涉及一种双晶体管自激式电路。
技术介绍
现有之压电自激式电路一般为单一晶体管元件、IC元件或是电感式升压元件等来产生驱动讯号，并依据驱动讯号来配置压电元件之振荡作业。但是IC驱动元件其成本较为昂贵且无法在低电压下进行操作，而电感式升压驱动元件则是有可靠度不佳的问题，因此在考量成本以及可靠度下，现阶技术多采用晶体管元件作为驱动之元件。但是单一晶体管之自激振荡控制电路其原理系在自激式电路连接电源后，透过单一晶体管产生单一半周之振荡讯号，以驱动压电元件做单一方向之振动。由于此种方式仅使用到压电元件的单一半周工作效能，而造成另一半周工作效能之浪费。所以如何提供一种具有正、负半周驱动讯号以驱动压电元件作双向振动之自激式电路乃本领域亟需解决之技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术存在的问题，提供一种双晶体管自激式电路。为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术通过以下技术方案实现：一种双晶体管自激式电路，包括输入电压端VCC和接地端GND，所述输入电压端VCC分别连接有第一电阻R1，第三电阻R3和第四电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双晶体管自激式电路，其特征在于，包括输入电压端VCC和接地端GND，所述输入电压端VCC分别连接有第一电阻R1，第三电阻R3和第四电阻R4，所述第一电阻R1与第二电阻R2连接，所述第一电阻R1与所述第二电阻R2连接处设有电容C1，所述第二电阻R2与第一晶体管Q1连接，所述第三电阻R3和所述电容C1分别与压电元件PZ的第一端M和第二端F，所述压电元件PZ的共同端G分别与所述第四电阻R4和第二晶体管Q2连接，所述第二晶体管Q2与第五电阻R5连接，所述第一晶体管Q1与所述第二晶体管Q2都连接到所述接地端GND。

【技术特征摘要】
1.一种双晶体管自激式电路，其特征在于，包括输入电压端VCC和接地端GND，所述输入电压端VCC分别连接有第一电阻R1，第三电阻R3和第四电阻R4，所述第一电阻R1与第二电阻R2连接，所述第一电阻R1与所述第二电阻R2连接处设有电容C1，所述第二电阻R2与第一晶体管Q1连接，所述第三电阻R3和所述电容C1分别与压电元件PZ的第一端M和第二端F，所述压电元件PZ的共同端G分别与所述第四电阻R4和第二晶体管Q2连接，所述第二晶体管Q2与第五电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雷，晋学贵，李定为，
申请(专利权)人：苏州百丰电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32