【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED（发光二极管）照明
，具体的来说是一种用于MOCVD设备的超导石墨基盘。
技术介绍
随着环境污染压力的增加，LED照明节能产业得以兴起，2014年诺贝尔物理学奖将会促使LED更进一步发展，同时也显示出LED对人类社会将会有巨大贡献。进一步提高LED产品质量将是未来发展方向。LED产业链核心设备同时也是主要成本之一的MOCVD在得到不断的发展。MOCVD关键技术有三项：温度精度、温度均匀性、气体均匀性。其中温度均匀性就是指承载工艺衬底材料的基盘表面的温度一致性。基盘材料的热导率越大，基盘表面温度一致性越高（见图1），基盘表面温差相差1℃，做出产品波长相差10纳米以上，发出的光就会千差万别。目前全球在这方面均采用热导率最高的高纯石墨作为基盘，石墨的热导率在150-1500 W/m-K，是现有自然界热导率最高的材料使得基盘表面温差在±0.1℃。如何继续提高基盘表面温度一致性是未来重点发展方向之一。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术的目的是提供一种表面温差接近达到0温差的超导石墨基盘。本专利技术的技术方案是：超导石墨基盘，包括上石墨基盘、下石墨基盘、超导材料层、碳化硅层，其特征在于：上石墨基盘与下石墨基盘的接触面边缘处紧密连接，二者连接处中间形成一个容置腔室，超导材料层置于容置腔室内，上石墨基盘与下石墨基盘的整体外部涂有碳化硅层。本专利技术的优点：本产品结构完善，安全可靠。本产品实现的多层均热作用与传统单层石墨均热区别在于中间的超导材料层，超导材料热导率≥14MW/m·℃，远远大于石墨的极限值15...
【技术保护点】
超导石墨基盘，包括上石墨基盘（1）、下石墨基盘（2）、超导材料层（3）、碳化硅层（4），其特征在于：上石墨基盘（1）与下石墨基盘（2）的接触面边缘处紧密连接，二者连接处中间形成一个容置腔室，超导材料层（3）置于容置腔室内，上石墨基盘（1）与下石墨基盘（2）的整体外部涂有碳化硅层（4）。
【技术特征摘要】
1.超导石墨基盘，包括上石墨基盘（1）、下石墨基盘（2）、超导材料层（3）、碳化硅层（4），其特征在于：上石墨基盘（1）与下石墨基盘（2）的接触面边...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈奕宏，
申请(专利权)人：磐石创新湖南新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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