彩色滤光片中拼接曝光方法技术

本发明专利技术是彩色滤光片中拼接曝光的方法，包括；1）拼接曝光要在彩色滤光片的第一道制程BM制程制作对位mark及拼接mark，需要在拼接的区域为两侧曝光的公共区域,即此拼接区域会被两侧两次重复曝光；2）拼接曝光在RGB的制程须依据BM制程的对位mark实施曝光,需要确认其拼接mark的套合精度；3）拼接曝光在PS制程中可依据BM制程的对位mark实施正常曝光。优点：1）容易在2sho拼接的地方造成拼接MURA且要求shot间拼接精度高，能精准对接而不造成错位或断层；2）减小拼接MURA，拼接处避免直线拼接，曲线拼接，弱化拼接MURA的产生。3）使用价格较低廉的接近式曝光机替代扫描式曝光机，工艺简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种彩色滤光片中拼接曝光方法，可在彩色滤光片生产工艺中使用拼接曝光生产大尺寸产品。
技术介绍
因接近式曝光机价格较为低廉，精度也可以达到um级，所以被广泛应用于彩色滤光片制作中，但是随着目前液晶产品的尺寸越来越大由以前7寸.8寸到目前的55寸.108寸，但接近式曝光机因掩模板的绕曲度问题无法对应大尺寸产品所以越来越多彩色滤光片厂商不得不采购价格昂贵的扫描式曝光机。随着显示屏幕的逐渐大型化，而接近式曝光机曝光的有效曝光范围却无法随着扩大（原因为掩模板翘曲度影响）。目前接近式曝光机的掩模板面积W920*800&W1200*850其有效曝光面积约W880*730&W1100*780（曝光厂家不同其掩模板的利用率也不同）而47英寸以上的液晶屏幕接近式曝光机无法实现一次曝光需要拼接曝光，具体说明如下：当产品尺寸较小，mask的有效区可以覆盖2个或多个Panel时，曝光机可以分步对其实施1st曝光，对于31.5的产品曝光机可以分4步实施曝光完成（如玻璃基板上有8个panel的产品，曝光机分4步可以曝光完成）。对于中尺寸的产品，mask有效区仅仅能覆盖1个Panel时，曝光机须对每一个Panel实施分步曝光（如图玻璃基板上有6个Panel的产品曝光机就需要分6步实施曝光）。对于大型尺寸的产品，mask的有效区无法覆盖1个Panel时，对于常规的接近式分步曝光机来说将无法对应，这样就需要采用拼接曝光的方式对其实施曝光，如图中玻璃基板上有两个Panel，而对对于每个Panel曝光机都需要采用2步以上的曝光方式拼接曝光完1个Panel。64.5寸产品W1439*810 而mask的有效曝光面积（W880*730）小于面积 ，无法实现1 shot 曝光将需要拼接曝光技术。采用mask版的长边880mm方向对应产品的短边810mm方向，而mask的短边730mm方向无法一次对应产品长边1439mm方向，这就需要多次拼接曝光。可见，至少需要2shout曝光来完成产品，但如果采用上述方式拼接曝光将会非常容易在2sho拼接的地方造成拼接MURA且要求shot间拼接精度较高，如无法精准对接将造成错位或断层。
技术实现思路
本专利技术提出的是一种彩色滤光片中拼接曝光方法，其目的旨在容易在2sho拼接的地方造成拼接MURA且要求shot间拼接精度较高，能精准对接而不造成错位或断层。本专利技术的技术解决方案：彩色滤光片中拼接曝光的方法，包括包括如下步骤；1）拼接曝光要在彩色滤光片的第一道制程BM制程制作对位mark及拼接mark，需要在拼接的区域为两侧曝光的公共区域,即此拼接区域会被两侧两次重复曝光，将增加曝光shot数，如果RGB三种基色采用Stripe方式排列的话，因考虑到RG B的拼接MURA需要对RGB采用不同的对位mark， 则其BM制程的shot数将更多可达10shot以上；2）拼接曝光在RGB的制程须依据BM制程的对位mark实施曝光,为确认其拼接的精度需要确认其拼接mark的套合精度，若RGB三种基色光在同一pxis实施拼接的话，因此区域被多次曝光且受套合精度的影响非常容易形成色差即拼接MURA，防止此MURA发生，则在mask设计中将RGB错开实施拼接，这样可以有效防止直线型拼接MURA的发生；3）拼接曝光在PS制程中可依据BM制程的对位mark，实施正常曝光；所述的拼接曝光中的掩模板的设计需考虑彩色滤光片的排列方式，对位mark的设计其RGB制程及PS制程采用不同形状的mark区分。本专利技术的优点：1）容易在2sho拼接的地方造成拼接MURA且要求shot间拼接精度较高，能精准对接而不造成错位或断层。2）减小拼接MURA，并在拼接处避免直线拼接，采用曲线拼接，大大弱化拼接MURA的产生。3）低成本，使用价格较为低廉的接近式曝光机替代扫描式曝光机，工艺较为简单。附图说明图1是本专利技术基色彩色滤光片拼接工艺示意图。图2是基色彩色滤光片拼接工艺示意图。图3是64.5的拼接曝光实例图，曝光shot。图4是64.5的拼接曝光实例图，拼接mark。具体实施方式彩色滤光片中拼接曝光的方法，包括如下步骤：首先，拼接曝光要在彩色滤光片的第一道制程BM制程制作对位mark及拼接mark，与普通的Step曝光方式不同的是因拼接曝光为避免在拼接的地方造成断线，所以需要在拼接的区域为两侧曝光的公共区域,即此拼接区域会被两侧两次重复曝光，所以曝光shot数将增加，如果RGB三种基色采用Stripe方式排列的话，因考虑到RG B的拼接MURA需要对RGB采用不同的对位mark 那么其BM制程的shot数将更多可达10shot以上。其次,拼接曝光在RGB的制程须依据BM制程的对位mark实施曝光,为确认其拼接的精度需要确认其拼接mark的套合精度。如果RGB三种基色光在同一pxis实施拼接的话，因此区域被多次曝光且受套合精度的影响非常容易形成色差（即拼接MURA），所以防止此MURA发生，在mask设计中需要考虑将RGB错开实施拼接，这样可以有效防止直线型拼接MURA的发生。最后，拼接曝光在PS制程中无特别要求，因PS为透明柱子且取除率较高所以无需考虑拼接MURA的发生，可依据BM制程的对位mark实施正常曝光即可。补充说明的是,拼接曝光中掩模板的设计较为重要，需考虑彩色滤光片的排列方式灵活设计，对于目前主流的Stripe排列方式，mask设计需要考虑到曝光灰区的影响及Aperture的行程，对位mark的设计希望RGB制程及PS制程采用不同形状的mark区分。下面结合附图1、2，详细介绍弱化拼接MURA的方法，如图1，RGB三基色采用Stripe排列，如果RGB在同一条线拼接的话，拼接MURA将会成一条线比较明显，如果采用Triangle拼接的话将使拼接MURA大大弱化（如图白色区域为拼接区域），使用此工艺掩模板的设计较复杂，因为拼接处需要将RGB错开所以此处的对位mark在BM制程无法一次形成，导致使用此工艺时BM制程需要是用更多的shot拼接，主要是用于制作对位mark。如图2，对于使用拼接曝光的产品，主要推荐使用Mosaic或Triangle排列的彩色滤光片制作，这样就不需要特殊设计mark将RGB错开，使得曝光shot大大较少，且掩模板的设计业较为简单。以下为64.5的拼接曝光实例：1) BM 采用12shot曝光 每个panel采用6shot拼接 （如图3、4），其中1shot&2shot . 5shot&6shot. 11shot&12shot及8shot&9shot之间的间隙为91.56mm，其余间隙为305.04mm.其重叠曝光区域为4um 。为保证后制程的拼接精度每shot均设置拼接mark 。其曝光能量为50mj 曝光GAP为200um。2）RGB/PS 同意采用12shot本文档来自技高网...

【技术保护点】
彩色滤光片中拼接曝光的方法，其特征是该方法包括包括如下步骤；1）拼接曝光要在彩色滤光片的第一道制程BM制程制作对位mark及拼接mark，需要在拼接的区域为两侧曝光的公共区域,即此拼接区域会被两侧两次重复曝光，将增加曝光shot数，如果RGB三种基色采用Stripe方式排列的话，因考虑到RG B的拼接MURA需要对RGB采用不同的对位mark， 则其BM制程的shot数将更多可达10shot以上；2）拼接曝光在RGB的制程须依据BM制程的对位mark实施曝光,为确认其拼接的精度需要确认其拼接mark的套合精度，若RGB三种基色光在同一pxis实施拼接的话，因此区域被多次曝光且受套合精度的影响非常容易形成色差即拼接MURA，防止此MURA发生，则在mask设计中将RGB错开实施拼接，这样可以有效防止直线型拼接MURA的发生；3）拼接曝光在PS制程中可依据BM制程的对位mark，实施正常曝光。

【技术特征摘要】
1.彩色滤光片中拼接曝光的方法，其特征是该方法包括包括如下步骤；
1）拼接曝光要在彩色滤光片的第一道制程BM制程制作对位mark及拼接mark，需要在拼接的区域为两侧曝光的公共区域,即此拼接区域会被两侧两次重复曝光，将增加曝光shot数，如果RGB三种基色采用Stripe方式排列的话，因考虑到RG B的拼接MURA需要对RGB采用不同的对位mark， 则其BM制程的shot数将更多可达10shot以上；

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚明，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32