基于移相处理的低通滤波逆变系统技术方案

本发明专利技术公开了基于移相处理的低通滤波逆变系统，主要由变压器T1，逆变电路，与逆变电路相连接的逻辑控制电路，以及与变压器T1原边相连接的低通滤波电路组成，其特征在于：在逻辑控制电路和低通滤波电路之间还设置有移相处理电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT4，三极管VT5，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R7，负极经电阻R6后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C1等组成。本发明专利技术设置有移相处理电路，其使逆变系统在带动大负荷用电设备时还可保持很好的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体是指一种基于移相处理的低通滤波逆变系统。
技术介绍
逆变器是把直流电能转变成交流电。它广泛适用于空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、DVD、VCD、电脑、电视、洗衣机、抽油烟机、冰箱，录像机、按摩器、风扇、照明等。在国外因汽车的普及率较高外出工作或外出旅游即可用逆变器连接蓄电池带动电器及各种工具工作。把家用电器连接到电源转换器的输出端就能在汽车内使用各种电器。然而，在使用逆变器时，因所带的负载过大，方波电流中包含的三次谐波成分将使流入负载中的容性电流增大，严重时会损坏负载的电源滤波极性电容。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前逆变器在所带的负载过大时，方波电流中包含的三次谐波成分将使流入负载中的容性电流增大，严重时会损坏负载的电源滤波极性电容的缺陷，提供一种基于移相处理的低通滤波逆变系统。本专利技术的目的用以下技术方案实现：基于移相处理的低通滤波逆变系统，主要由变压器T1，逆变电路，与逆变电路相连接的逻辑控制电路，以及与变压器T1原边相连接的低通滤波电路组成，在逻辑控制电路和低通滤波电路之间还设置有移相处理电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT4，三极管VT5，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R7，负极经电阻R6后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C1，正极经电阻R8后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C3，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C2，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与低通滤波电路相连接的电位器R9，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D5，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D6组成；所述移相芯片U1的IN1管脚与逻辑控制电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R9的滑动端相连接，三极管VT4的发射极与三极管VT5的基极相连接，三极管VT5的集电极与低通滤波电路相连接，极性电容C1的负极与逻辑控制电路相连接。所述逆变电路由场效应管Q1，场效应管Q2，三极管VT1，一端与场效应管Q1的漏极相连接、另一端与三极管VT1的集电极相连接的电阻R2，P极经电阻R1后与场效应管Q1的漏极相连接、N极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，P极与场效应管Q2的栅极相连接、N极经电阻R4后与三极管VT1的基极相连接的二极管D2，以及与二极管D2相并联的电阻R3组成；所述场效应管Q1的漏极作为直流电的一输入端、源极与场效应管Q2的漏极相连接、栅极与三极管VT1的集电极相连接，三极管VT1的集电极与移相芯片U1的IN1管脚相连接、发射要接地、基极与逻辑控制电路相连接，二极管D2的N极与极性电容C1的负极相连接。所述的逻辑控制电路由三极管VT2，三极管VT3，N极与三极管VT2的基极相连接、P极经二极管D3后与三极管VT3的基极相连接的二极管D4，以及一端与二极管D4的P极相连接、另一端与二极管D2的N极相连接的电阻R5组成；所述三极管VT2的基极与三极管VT1的基极相连接、集电极同时与移相芯片U1的IN1管脚以及三极管VT1的集电极相连接、发射极与三极管VT3的发射极相连接，三极管VT3的基极同时与三极管VT1的基极相连接、集电极同时与二极管D2的N极以及极性电容C1的负极相连接，所述二极管D4的P极与三极管VT1的基极相连接。所述的低通滤波电路由放大器P1，三极管VT6，负极与放大器P1的输出端相连接、正极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C7，与极性电容C7相并联的极性电容C6，一端与变压器T1原边电感线圈L1的同名端相连接、另一端经电阻R10后接地的电阻R11，负极与放大器P1的反相输入端相连接、正极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C4，以及负极与变压器T1原边电感线圈L2的非同名端相连接、正极经电阻R12后与三极管VT6的发射极相连接的极性电容C5组成；所述三极管VT6的基极与三极管VT5的集电极相连接、集电极与极性电容C4的负极相连接，放大器P1的正相输入端与电阻R10和电阻R11的连接点相连接、输出端同时与变压器T1原边电感线圈L1的非同名端以及电位器R9相连接；所述变压器T1原边电感线圈L1的非同名端与电感线圈L2的同名端相连接。所述的移相芯片U1为LM741集成芯片。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：（1）本专利技术设置有移相处理电路，其使逆变系统在带动大负荷用电设备时还可保持很好的稳定性。（2）本专利技术设置有低通滤波电路，使逆变系统在带动大负载用电设备时，保护用电设备不受三次谐波损坏。（3）本专利技术结构简单，且节约能耗。同时还可以的提高负载能力，满足大功率用电器或多用电器同时使用的需求。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术的基于移相处理的低通滤波逆变系统，主要由变压器T1，逆变电路，与逆变电路相连接的逻辑控制电路，以及与变压器T1原边相连接的低通滤波电路组成，在逻辑控制电路和低通滤波电路之间还设置有移相处理电路。所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT4，三极管VT5，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R7，负极经电阻R6后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C1，正极经电阻R8后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C3，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C2，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与低通滤波电路相连接的电位器R9，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D5，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D6组成；所述移相芯片U1的IN1管脚与逻辑控制电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R9的滑动端相连接，三极管VT4的发射极与三极管VT5的基极相连接，三极管VT5的集电极与低通滤波电路相连接，极性电容C1的负极与逻辑控制电路相连接。移相处理电路，可以使逆变系统在带动大负荷用电设备时还可保持很好的稳定性。为了保证实施效果，所述的移相芯片U1选为LM741集成芯片。所述逆变电路由场效应管Q1，场效应管Q2，三极管VT1，一端与场效应管Q1的漏极相连接、另一端与三极管VT1的集电极相连接的电阻R2，P极经电阻R1后与场效应管Q1的漏极相连接、N极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，P极与场效应管Q2的栅极相连接、N极经电阻R4后与三极管VT1的基极相连接的二极管D2，以及与二极管D2相并联的电阻R3组本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于移相处理的低通滤波逆变系统，主要由变压器T1，逆变电路，与逆变电路相连接的逻辑控制电路，以及与变压器T1原边相连接的低通滤波电路组成，其特征在于：在逻辑控制电路和低通滤波电路之间还设置有移相处理电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT4，三极管VT5，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R7，负极经电阻R6后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C1，正极经电阻R8后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C3，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C2，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与低通滤波电路相连接的电位器R9，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D5，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D6组成；所述移相芯片U1的IN1管脚与逻辑控制电路相连接、VCC‑管脚接地、OUT管脚与电位器R9的滑动端相连接，三极管VT4的发射极与三极管VT5的基极相连接，三极管VT5的集电极与低通滤波电路相连接，极性电容C1的负极与逻辑控制电路相连接。...

【技术特征摘要】
1.基于移相处理的低通滤波逆变系统，主要由变压器T1，逆变电路，与逆变电路相连接的逻辑控制电路，以及与变压器T1原边相连接的低通滤波电路组成，其特征在于：在逻辑控制电路和低通滤波电路之间还设置有移相处理电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT4，三极管VT5，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R7，负极经电阻R6后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C1，正极经电阻R8后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C3，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C2，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与低通滤波电路相连接的电位器R9，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D5，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D6组成；所述移相芯片U1的IN1管脚与逻辑控制电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R9的滑动端相连接，三极管VT4的发射极与三极管VT5的基极相连接，三极管VT5的集电极与低通滤波电路相连接，极性电容C1的负极与逻辑控制电路相连接。
2.根据权利要求1所述的基于移相处理的低通滤波逆变系统，其特征在于：所述逆变电路由场效应管Q1，场效应管Q2，三极管VT1，一端与场效应管Q1的漏极相连接、另一端与三极管VT1的集电极相连接的电阻R2，P极经电阻R1后与场效应管Q1的漏极相连接、N极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，P极与场效应管Q2的栅极相连接、N极经电阻R4后与三极管VT1的基极相连接的二极管D2，以及与二极管D2相并联的电阻R3组成；所述场效应管Q1的漏极作为直流电的一输入端、源极与场效应管Q2的漏极相连接、栅极与三极管VT1的集电极相连接，三极管VT1的集电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘芳，谢静，
申请(专利权)人：成都创图科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51