一种显示面板以及电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种显示面板以及电子设备，该显示面板包括：多个阵列排布的像素单元；多条数据线，用于为所述像素单元提供数据信号；多条栅极线，用于为像素单元提供栅极扫描信号；至少一个增强区，所述增强区设置有至少一个栅极信号增强晶体管以及至少一个所述像素单元，所述栅极信号增强晶体管用于对所在像素行的栅极线进行预充电。可见，所述显示面板通过所述栅极信号增强晶体管对所述栅极信号增强晶体管所在像素行的栅极线进行预充电，从而提高显示面板的响应速度。设置所述栅极信号增强晶体管可以减小显示面板边框区栅极驱动电路负荷，进而简化所述栅极驱动电路，减小边框区。具有所述显示面板的电子设备具有较快的响应速度以及较窄的边框区。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板以及电子设备
本专利技术涉及显示装置
，更具体的说，涉及一种显示面板以及电子设备。
技术介绍
随着科技的发展具有显示功能的电子设备越来越广泛的被应用在人们的日常生产与生活中。一般的，用于显示的显示面板包括多个阵列排布的像素单元，每一像素行通过对应的栅极线进行扫描驱动，同时当前被扫描的像素行的各个像素单元再通过对应的数据线提供数据信号，从而可以实现图像显示。 在显示面板中，一般的一个像素行通过一条对应的栅极线进行扫描驱动，而一个像素行中具有很多个像素单元，在扫描过程中会导致显示面板的响应速度较慢。
技术实现思路
为解决上述问题，本申请提供了一种显示面板以及电子设备，提高了显示面板的响应速度。 为实现上述目的，本申请提供了一种显示面板，包括: 多个阵列排布的像素单元； 多条数据线，用于为所述像素单元提供数据信号； 多条栅极线，用于为所述像素单元提供栅极扫描信号； 至少一个增强区，所述增强区设置有至少一个栅极信号增强晶体管以及至少一个所述像素单元。 通过上述描述可知，本申请提供的显示面板设置有所述栅极信号增强晶体管，可以对所述栅极信号增强晶体管所在像素行的栅极线进行预充电，从而提高显示面板的响应速度。同时，设置所述栅极信号增强晶体管可以减小显示面板边框区栅极驱动电路负荷，进而简化所述栅极驱动电路，减小边框区。具有所述显示面板的电子设备具有较快的响应速度以及较窄的边框区。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。 图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图； 图2为图1所示显示面板的像素单元P宽度布局的结构示意图； 图3为本申请实施例提供的一种像素单元P的结构示意图； 图4为本申请实施例提供的增强区的结构示意图； 图5为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 正如
技术介绍
中所述，现有的显示面板中，一个像素行通过一条对应的栅极线进行扫描驱动，而一个像素行中具有很多个像素单元，在扫描过程中会导致显示面板的响应速度较慢。 为了解决上述问题，专利技术人研究发现，通过设置栅极信号增强晶体管，用于对所在像素行的栅极线进行预充电，提高显示面板的响应速度。通过所述栅极信号增强晶体管为其所在像素行进行预充电，当对该行像素进行扫描时，由于进行了预充电，该像素行只需较短时间被启动进行显示，提高了响应速度，且只需要较小的扫描功耗即可被驱动，可以降低栅极驱动电路的体积，进而缩小显示面板边框区的面积。 基于上述研究，本申请实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括: 多个阵列排布的像素单元； 多条数据线，用于为所述像素单元提供数据信号； 多条栅极线，用于为所述像素单元提供栅极扫描信号； 至少一个增强区，所述增强区设置有至少一个栅极信号增强晶体管以及至少一个所述像素单元，所述栅极信号增强晶体管用于对所在像素行的栅极线进行预充电。 所述显示面板通过设置所述栅极信号增强晶体管能够提高显示面板的响应速度，同时由于减小了栅极驱动电路负荷，可以简化所述栅极驱动电路，进而可以减小边框区。 本实施例所述显示面板的结构可以如图1所示，图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图，所述显示面板包括MXN个阵列排布的像素单元P、M条栅极线以及N条数据线。其中，M、N均为正整数。本实施例中，以m = η = 9为例进行说明，该显示面板包括:第一栅极线Gl-第九栅极线G9，第一数据线Dl-第九数据线D9。通过栅极驱动电路为各栅极线提供扫描信号，通过数据驱动电路为各数据线提供数据信号。 所述显示面板包括至少一个增强区Ζ，所述增强区Z设置有至少一个栅极信号增强晶体管T以及至少一个所述像素单元P，所述栅极信号增强晶体管T用于对所在像素行的栅极线进行预充电。所述增强区Z包括区域t用于设置所述栅极信号增强晶体管T。 所述栅极信号增强晶体管T包括:第一输入端、第二输入端以及控制端，所述栅极信号增强晶体管T的第一输入端连接所在像素行的栅极线；其第二输入端连接预充电压Von，其控制端连接控制电压；在其所述在像素行被扫描前，所述控制电压控制其导通，通过所述预充电压Von为其所在像素行的像素单元P预充电；所述预充电压Von的幅值小于所述像素单元P的开启电压。可以通过单独设置的一个电压源提供所述预充电压Von，或是通过所述数据驱动电路提供所述预充电压Von。 对于任一栅极信号增强晶体管T，在其所在像素行的像素单元P被扫描前，通过所述控制电压使得该栅极信号增强晶体管T，进而通过所述预充电压Von为该栅极信号增强晶体管T所在像素行的像素单元P进行预充电，因为预充电压Von的幅值小于所述像素单元P的开启电压，故该像素行的各像素单元P不会打开，但是，在该像素行的像素单元被扫描时，由于进行了预充电，故栅极驱动电路只需较短时间以及较小的功耗即可打开该像素行的各像素单元P，从而提高了响应速度。 为了避免所述栅极信号增强晶体管T相邻设置导致的显示缺陷，在本实施例中，对任一栅极信号增强晶体管T，其与同一像素行的其他信号增强晶体管T不相邻，且与邻近像素行的栅极信号增强晶体管T不相邻。 当所述栅极信号增强晶体管T位于第一像素行时，其控制端连接辅助栅极线G0，通过所述辅助栅极线GO提供所述控制电压。所述辅助栅极线GO为显示面板中用于提供扫描起始信号。当所述栅极信号增强晶体管位于其它像素行时，其控制端连接上一像素行的栅极线，通过所述上一像素行的栅极线提供所述控制电压。如对于位于第i像素行的信号增强晶体管T，其控制端连接第1-Ι栅极线G1-1，i为不大于M的正整数。通过上一级栅极线或是辅助栅极线GO为对应的栅极信号增强晶体管T提供所述控制电压，在扫描当第i像素行时，可以通过第i栅极线Gi为下一行的栅极信号增强晶体管T提供控制电压，在对某一像素行进行扫描时，可打开下一像素行的栅极信号增强晶体管T，无需单独信号新提供所述控制电压，实现方式简单。 图1所示实施方式中，每一像素行均设置一个所述栅极信号增强晶体管T。所有栅极信号增强晶体管T的第二输入端连接同一信号线，所述信号线用于提供所述预充电压Von，通过一条信号线为所有栅极信号增强晶体管T提供预充电压，可以使得布线少，且控制方式简单。用于为所述栅极信号增强晶体管T提供预充电压的信号线一端连接预充电压Von的信号源，另一端接地。 还可以设置每一像素行包括η个所述增强区Ζ，此时，每一像素行均设置有η个所述栅极信号增强晶体管，所述η为大于I的正整数。同样，为了减少为所述栅极信号增强晶体管T提供预充电压的信号线的数量，在所述阵列排布的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，包括：多个阵列排布的像素单元；多条数据线，用于为所述像素单元提供数据信号；多条栅极线，用于为所述像素单元提供栅极扫描信号；至少一个增强区，所述增强区设置有至少一个栅极信号增强晶体管以及至少一个所述像素单元。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括: 多个阵列排布的像素单元； 多条数据线，用于为所述像素单元提供数据信号； 多条栅极线，用于为所述像素单元提供栅极扫描信号； 至少一个增强区，所述增强区设置有至少一个栅极信号增强晶体管以及至少一个所述像素单元。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极信号增强晶体管包括:第一输入端、第二输入端以及控制端，所述栅极信号增强晶体管的第一输入端连接所在像素行的栅极线；其第二输入端连接预充电压，其控制端连接控制电压；在其所述在像素行被扫描前，所述控制电压控制其导通，通过所述预充电压为其所在像素行的像素单元预充电；所述预充电压的幅值小于所述像素单元的开启电压。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，对任一栅极信号增强晶体管，其与同一像素行的其他信号增强晶体管不相邻，且与邻近像素行的栅极信号增强晶体管不相邻。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，当所述栅极信号增强晶体管位于第一像素行时，其控制端连接辅助栅极线，通过所述辅助栅极线提供所述控制电压； 当所述栅极信号增强晶体管位于其它像素行时，其控制端连接上一像素行的栅极线，通过所述上一像素行的栅极线提供所述控制电压。5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每一像素行均设置有一个所述栅极信号增强晶体管。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所有栅极信号增强晶体管的第二输入端连接同一信号线，所述信号线用于提供所述参考电压。7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每一像素行均设置有!1个所述栅极信号增强晶体管，所述II为大于1的正整数...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹兆铿，崔婷婷，秦丹丹，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31