一种有机发光显示装置及其制备方法制造方法及图纸

技术编号:11053327 阅读:54 留言:0更新日期:2015-02-18 17:32
本发明专利技术所述的一种有机发光显示装置,电容第一电极板和电容第二电极板不依托薄膜晶体管独立制备,以缓冲层为电容介质层,可根据所述有机发光显示装置的需求进行电容第一电极板、电容第二电极板以及电容介质层材料与厚度的优化选择,以减少电容器的面积,增大所述有机发光显示装置的开口率。同时,作为透明有机发光显示装置,可以针对性的对电容第一电极板、电容第二电极板以及电容介质层的材料和厚度进行优化,以达到最佳使用效果。本发明专利技术所述的一种有机发光显示装置的制备方法,减少了电容第一电极板离子注入和刻蚀的工艺步骤,有效简化了制备工艺,提高了产品良率,降低了制备成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,具体涉及一种透明的有机发光显示装置及其制备方法
技术介绍
有源矩阵有机发光显示装置(英文全称Active Matrix Organic LightingEmitting Display,简称AMOLED)作为有机发光显示装置中的一种,利用薄膜晶体管(英文全称Thin Film Transistor,简称TFT),搭配电容存储信号,来控制有机发光二极管的亮度和灰阶表现。每个单独的有机发光二极管具有完整的阴极、有机功能层和阳极,阳极覆盖一个薄膜晶体管阵列,形成一个矩阵。有源矩阵有机发光显示装置具有可大尺寸化、省电、解析度高、面板寿命较长等特点,因此在显示
得到了高度重视。 随着人们对显示装置使用品质要求的提高以及技术的发展,透明有机发光显示装置逐渐走进人们的视野。所谓透明有机发光显示装置是指在显示器的正反两个方向均可看到显示内容,未发光像素呈现高透明状态,可实现虚拟与现实叠加显示;除此之外,仍具有有源矩阵有机发光显示装置自发光、能耗低、宽视角、耐高低温等品质的有机发光显示装置。同时,由于透明有机发光显示装置可以使装饰与显示功能合二为一,比如窗户、墙壁等都可摇身变为显示器来展现各种图像,这就使得透明有机发光显示装置具备广阔的市场前旦 -5^ O 透明有机发光显示装置作为有机显示装置中一种,同样存在着与后者相同的缺点。例如,多晶硅由于其场效应迁移率高并且适应于高速操作电路和互补金属氧化物半导体电路等特点而被广泛用作TFT的有源层。在使用多晶硅作为TFT有源层的AMOLED器件中,通常会在部分多晶硅层中施以参杂离子,使之电极化作为电容的下极板,以达到减少工艺流程的目的;再以栅极绝缘层和栅极层分别作为电容介质层和电容第二电极板,同时实现TFT制程和电容制程。 但是,多晶硅层在制备过程中表面会形成大量的结晶突起,为了达到有效的栅极绝缘,再加上结晶突起的厚度,栅极绝缘层的厚度通常都无法有效降低,一般为10nm左右,因此无法通过降低介质层厚度的方式提高存储电容数值,因此不能有效增大驱动阶段的电流,从而无法实现降低功耗以及降低引起显示屏闪烁、灰度错乱等问题的跳变电压的作用。因此,在不影响显示装置开口率的条件下,应尽量提高电容值。为此,为了实现存储电容数值的增加,只能通过增大电容面积的方法实现,但该方法大大降低了显示装置的开口率,影响显示装置,特别是透明有机发光显示装置的使用效果。 同时,该工艺需要对电容区域的多晶硅层进行掺杂,使之电极化,该过程需要离子注入和掩膜两道工序,工艺复杂,制备成本高。
技术实现思路
为此,本专利技术所要解决的是现有透明有机发光显示装置中开口率低、工艺复杂的问题,提供一种开口率高、工艺简单的透明有机发光显示装置及其制备方法。 为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案如下: 本专利技术所述的一种有机发光显示装置,包括: 基板,所述基板为透明基板; 薄膜晶体管,包括有源层、栅极层、源/漏电极层,以及隔离所述有源层、栅极层及源/漏电极层的一层或多层绝缘层; 电容器,包括电容第一电极板、电容介质层、电容第二电极板,所述电容第二电极板与所述电容第一电极板为透明导电层; 有机发光二极管,包括第一电极层、有机发光层和第二电极层,所述第一电极层与所述第二电极层均为透明导电层; 所述第一电极层与源/漏电极层中的源极或漏极电连接; 所述电容第一电极板直接设置在所述基板上,所述基板上还设置有覆盖所述电容第一电极板的缓冲层,所述薄膜晶体管设置在所述缓冲层上; 所述电容第一电极板和所述电容第二电极板之间的所述缓冲层形成电容介质层。 所述绝缘层中设置有通孔,所述电容第二电极板通过所述通孔直接设置在所述缓冲层上。 所述有源层直接设置在所述缓冲层上,所述栅极层设置在所述有源层远离所述基板的一侧。 所述有机发光显示装置还包括平坦化层,所述平坦化层设置在所述薄膜晶体管与所述电容器上。 所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层; 所述第一绝缘层直接设置在所述有源层上,并隔离所述有源层和栅极层; 所述第二绝缘层直接设置在所述栅极层上,并隔离所述栅极层与源/漏电极层。 所述通孔贯通设置在所述第一绝缘层中,所述第二绝缘层延伸并直接覆盖在所述电容第二电极板上。 所述通孔贯通设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中,所述平坦化层延伸并直接覆盖在所述电容第二电极板上。 所述有机发光显示装置还包括像素限定层,所述像素限定层直接覆盖在所述平坦化层上,并覆盖所述第一电极层边缘的部分区域,用以限定所述有机发光二级管的发光位置和发光面积。 所述的有机发光显示装置的制备方法,包括如下步骤: 在基板上直接依次形成堆叠设置的第一导电层和缓冲层,其中第一导电层作为电容第一电极板; 在缓冲层上形成薄膜晶体管的有源层、栅极层,以及隔离所述有源层和栅极层、隔离所述栅极层和源/漏电极层的一层或多层绝缘层; 在所述绝缘层上形成一通孔,所述通孔暴露所述缓冲层的部分区域,在所述绝缘层上形成第二导电层,并图案化形成至少覆盖所述通孔底部的电容第二电极板,以制得电容器; 在所述绝缘层上形成第三导电层,并图案化形成源/漏电极层,所述源/漏电极层中的源极和漏极分别通过设置在所述绝缘层中的通孔与所述有源层接触连接,以制得薄膜晶体管; [0031 ] 在所述绝缘层上形成第四导电层,并图案化形成第一电极层,在所述第一电极层上依次形成有机发光层和第二电极层,以制得有机发光二极管。 所述的有机发光显示装置的制备方法,还包括在所述基板上形成覆盖所述第一电极的像素限定层,并将所述像素限定层图案化形成暴露所述第一电极中部区域的步骤。 本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点: 1、本专利技术所述的一种有机发光显示装置,电容第一电极板和电容第二电极板不依托薄膜晶体管独立制备,以缓冲层为电容介质层,可根据所述有机发光显示装置的需求进行电容第一电极板、电容第二电极板以及电容介质层材料与厚度的优化选择,以减少电容器的面积,增大所述有机发光显示装置的开口率。同时,作为透明有机发光显示装置,可以针对性的对电容第一电极板、电容第二电极板以及电容介质层的材料和厚度进行优化,以达到最佳使用效果。 2、本专利技术所述的一种有机发光显示装置,将第二绝缘层设置为较厚结构,用以平坦化薄膜晶体管各层以及电容器,不但可以为所述有机发光二级管的制备提供平滑表面;而且,无需设置平坦化层,也不需要再平坦化层中开设连接源/漏电极的通孔,有效减少了生产工序和原料,从而降低了生产成本。 3、本专利技术所述的一种有机发光显不装置的制备方法,电容第一电极板和电容第二电极板不依托薄膜晶体管独立制备,以缓冲层为电容介质层,减少了电容第一电极板离子注入和刻蚀的工艺步骤,有效简化了制备工艺,提高了产品良率,降低了制备成本。 【附图说明】 为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解,下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图,对本专利技术作进一步详细的说明,其中 图1是实施例1所述有机发光显示装置的结构示意图; 图2是实施例2所述有机发光显示装置的结构示意图; 图3是实施例3所述有机发光显示装置的结构示意图。 图中附图标记表示为:本文档来自技高网
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一种有机发光显示装置及其制备方法

【技术保护点】
一种有机发光显示装置,包括:基板,所述基板为透明基板;薄膜晶体管,包括有源层、栅极层、源/漏电极层,以及隔离所述有源层、栅极层及源/漏电极层的一层或多层绝缘层;电容器,包括电容第一电极板、电容介质层、电容第二电极板,所述电容第二电极板与所述电容第一电极板为透明导电层;有机发光二极管,包括第一电极层、有机发光层和第二电极层,所述第一电极层与所述第二电极层均为透明导电层;所述第一电极层与源/漏电极层中的源极或漏极电连接;所述电容第一电极板直接设置在所述基板上,所述基板上还设置有覆盖所述电容第一电极板的缓冲层,所述薄膜晶体管设置在所述缓冲层上;其特征在于,所述电容第一电极板和所述电容第二电极板之间的所述缓冲层形成电容介质层。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置,包括: 基板,所述基板为透明基板; 薄膜晶体管,包括有源层、栅极层、源/漏电极层,以及隔离所述有源层、栅极层及源/漏电极层的一层或多层绝缘层; 电容器,包括电容第一电极板、电容介质层、电容第二电极板,所述电容第二电极板与所述电容第一电极板为透明导电层; 有机发光二极管,包括第一电极层、有机发光层和第二电极层,所述第一电极层与所述第二电极层均为透明导电层; 所述第一电极层与源/漏电极层中的源极或漏极电连接; 所述电容第一电极板直接设置在所述基板上,所述基板上还设置有覆盖所述电容第一电极板的缓冲层,所述薄膜晶体管设置在所述缓冲层上; 其特征在于, 所述电容第一电极板和所述电容第二电极板之间的所述缓冲层形成电容介质层。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述绝缘层中设置有通孔,所述电容第二电极板通过所述通孔直接设置在所述缓冲层上。3.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有源层直接设置在所述缓冲层上,所述栅极层设置在所述有源层远离所述基板的一侧。4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有机发光显示装置还包括平坦化层,所述平坦化层设置在所述薄膜晶体管与所述电容器上。5.根据权利要求1或2或4任一项所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层; 所述第一绝缘层直接设置在所述有源层上,并隔离所述有源层和栅极层; 所述第二绝缘层直接设置在所述栅极层上,并隔离所述栅极层与源/漏电极层。6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述通孔贯通设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员:李南征苟琦王磊李海清宋金林
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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