制备窄边框显示装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种制备窄边框显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括：辐射处理位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜，使所述位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜产生自由基；将封框胶涂覆在所述封合位置处，并进行固化。通过对聚酰亚胺膜进行辐射处理，使聚酰亚胺膜的表面基团发生裂解反应生成自由基，其与封框胶的活性基团相互反应，进而增大了粘结强度，避免了液晶穿刺、液晶污染、信赖性较差的情况发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种。
技术介绍
液晶显示器（LiquidCrystalDisplay,LCD)因其体积小、功耗低、无福射等特点 已成为目前平板显示器中的主流产品，并且对纤薄、轻质的要求日益增强。 显示装置的窄边框设计是显示领域发展的一个趋势。目前TFT-IXD(薄膜晶体 管LCD)显示产品的窄边框设计方法，大多采用聚酰亚胺膜（PI膜）与封框胶（Seal)重叠 (Overlap)的方式来实现。但是，由于PI膜与封框胶粘结性较差，容易产生信赖性方面的 不良，如粘结力弱、因相容性差导致的污染析出物而产生的残像问题，最终PI膜与封框胶 不可控制的因素导致窄边框难以达到理想产品的设计要求。而采用PI膜与封框胶不重叠 的方式的窄边框设计，虽然避免了上述的问题，但是该方法不能最大限度的实现窄边框。所 以，PI膜与封框胶重叠是一个最佳的解决方案，而改善PI膜与封框胶的粘结性也是一个新 的课题。 当前通常采用的实现窄边框的方法是直接在PI膜上重叠地涂覆封框胶，经固化 后形成封合。但采用这种方法获得的封合强度差，容易出现液晶的穿刺、污染物的析出、信 赖性不良等问题。
技术实现思路
为此，本专利技术旨在提供一种制备超窄边框显示装置的方法，在不变动显示装置的 设计基础上利用辐射改性的方式，在封框胶和PI膜之间实现了较强的粘结性。根据本专利技术 的方法能够有效的利用PI膜与封框胶重叠的方式实现了 6?Ilmm的窄边框显示装置的制 备，又能防止液晶的穿刺、污染物的析出、信赖性不良等问题。 本专利技术的目的是提供一种，所述方法包括： 辐射处理位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜，使所述位于基板的封合位置处的 聚酰亚胺膜产生自由基； 将封框胶涂覆在所述封合位置处，并进行固化。 其中，所述聚酰亚胺膜具有选自-COO-、-OH和-NH2的第一活性基团，优选具有位 于支链上的-coo-。 所述封框胶具有选自-C00H、-OH和-NH2的第二活性基团。 根据本专利技术的一个实施方式，所述辐射处理用发射线性紫外光的辐射源进行。所 述辐射源通过辐射遮光罩对所述基板的封合位置进行辐射处理。通过调节所述辐射遮光罩 与所述基板之间的距离，来使所述辐射遮光罩的透光部分与所述基板的封合位置对齐。 所述线性紫外光的波长优选为254nm和/或313nm。 在根据本专利技术的方法中，所述线性紫外光的强度可为I. 0?4.OJ/cm2。 根据本专利技术的一个实施方式，所述第一活性基团经辐射后发生裂解产生自由基。 进行所述固化步骤时，所述自由基与所述封框胶的第二活性基团形成化学键合。 所述基板为阵列基板或彩膜基板。 根据本专利技术的另一实施方式，所述方法包括在进行所述辐射处理步骤之前，对所 述聚酰亚胺膜进行取向处理。 在本专利技术提供的中，对封框胶涂覆区域(封合位置）内 的PI膜表层分子进行辐射改性，其裂解产生的自由基和极性能与封框胶组分的活性基团 既能在固化前达到良好的浸润性和吸附性，又能在固化时发生PI膜-封框胶的化学键合， 其产生的分子内部键合力远大于分子间作用力，从而实现聚酰亚胺膜与封框胶之间粘结强 度的增强。通过上述方法，可以实现6?Ilmm窄边框显示装置的制备，并保证其良好的显 示性能和稳定性。 【附图说明】 图1为根据本专利技术的窄边框显示装置的聚酰亚胺膜与封框胶重叠的示意图； 图2为根据本专利技术的方法中所用辐射遮光罩的结构示意图； 图3为根据本专利技术实施方式的对聚酰亚胺膜进行辐射改性的示意图。 【具体实施方式】 为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例 的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发 明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术 人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 本专利技术提供一种，包括：辐射处理位于基板的封合位 置处的聚酰亚胺膜，使所述位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜产生自由基；接着将封框 胶涂覆在所述封合位置处，并进行固化，此时聚酰亚胺膜的自由基与封框胶的活性基团发 生反应，使得聚酰亚胺膜与封框胶之间产生较强的粘结力。 图1示出了根据本专利技术的方法采用PI膜与封框胶重叠的方式制得的窄边框显示 面板，其中PI膜与封框胶之间没有距离约束，可以有效降低边框面积。 在根据本专利技术的方法中，上述基板可为在例如玻璃基板或透明性和稳定性良好的 塑料基板上形成有阵列图形或彩膜图形的基板，即阵列基板或彩膜基板。 在上述方法中，利用常规的取向方法(例如摩擦处理）使涂覆在基板上的聚酰亚胺 膜取向后，将经取向的基板放置于载物台上。载物台可置于辐射腔体内。该辐射腔体可进 行抽真空或者充入惰性气体的处理。 在载物台上方布置有用于限定辐射区域的辐射遮光罩。辐射遮光罩可以为本领域 常用的具有特定透光区域的遮光材料。如图2所示，辐射遮光罩的遮光部分1可以是金属 板，或者不透明的塑料板，或者其他任何可以遮挡辐射源辐射的遮挡物。而辐射遮光罩的透 光部分2,则是能透过辐射源所发射的射线的材料，如玻璃、透明塑料等。 旋转载物台使得待辐射处理的基板处于与辐射遮光罩相对应的位置，即透光部分 2与基板的封合位置相对应，遮光部分1与基板的图形区域相对应。固定待辐射处理的基 板。 调节辐射遮光罩与待辐射处理的基板之间的距离，并使它们进行对位，使得基板 的封合位置与辐射遮光罩的透光位置对齐。该对位过程通常包括使辐射遮光罩下降至一定 位置后，进行粗对位，再进行细对位。然后，运用电子显微镜检测对准性，并进行微调。 图3示出了辐射改性聚酰亚胺膜的示意图，其中辐射遮光罩中辐射有效面积（即， 各个透光部分的面积）Wl、W2、W3与PI膜的待辐射面积W' 1、W' 2、W' 3之间的关系为，Wl >W' 1，W2 >W' 2,W3 >W' 3。 位于两端的侧面反射板将辐射源发出的侧面的射线进行反射，进而确保对基板的 端侧进行辐射改性。 上述方法中，辐射遮光罩与待辐射处理的基板之间的距离可根据需要进行预先设 定，具体可以根据PI膜的组成成分及PI膜的辐射区域面积而定。若PI膜的辐射区域面积 大，则将预设的距离设置为较小；若PI膜的辐射区域面积小，则将预设的距离设置为较大。 上述辐射源通过其移动的角度量程可以控制PI膜的辐射区域。辐射源可发射各 种波长的电磁波，例如可见光、紫外线、X射线、Y射线以及不同波长的激光，a射线、P射 线以及中子射线等。辐射源的数目可以为一个或者多个，根据实际需要而调整。 上述辐射源优选为发生线性紫外光的装置。其运动的轨迹为以基板的两端为 水平运动范围，水平运动速度可为20?50mm/s。同时辐射源也以坚直方向为中心线进 行-30 °?30 °的运动，角速度可为0-30 ° /s。 其中，上述线性紫外光的强度可根据PI膜的成分进行设置，例如可为I. 0?4.OJ/ 〇112 (254111]1波长)，或者1.0?4.0]7〇112(313111]1波长)。 上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备窄边框显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括：辐射处理位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜，使所述位于基板的封合位置处的聚酰亚胺膜产生自由基；将封框胶涂覆在所述封合位置处，并进行固化。

【技术特征摘要】
1. 一种制备窄边框显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括： 福射处理位于基板的封合位置处的聚醜亚胺膜，使所述位于基板的封合位置处的聚醜 亚胺膜产生自由基； 将封框胶涂覆在所述封合位置处，并进行固化。2. 根据权利要求1所述的制备窄边框显示装置的方法，其特征在于，所述聚醜亚胺膜 具有选自-C00-、-0H和-畑2的第一活性基团。3. 根据权利要求1所述的制备窄边框显示装置的方法，其特征在于，所述封框胶具有 选自-COOH、-0H和-畑2的第二活性基团。4. 根据权利要求1所述的制备窄边框显示装置的方法，其特征在于，所述聚醜亚胺膜 具有位于支链上的-C00-。5. 根据权利要求1所述的制备窄边框显示装置的方法，其特征在于，所述福射处理用 发射线性紫外光的福射源进行。6. 根据权利要求5所述的制备窄边框显示装置的方法，其特征在于，所述线性紫外光 的波长为 254nm,或 313nm,或 254nm 和 313nm。7. 根据权利要求6所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建，张伟，李鸿鹏，宋省勳，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11