光传感器用半导体集成电路制造技术

一种光传感器用半导体集成电路，介由使可视光衰减并使红外光透过的盖部和集光透镜，接受环境光，并根据受光量进行视觉灵敏度补正，以对所述环境光的照度进行检测，所述光传感器用半导体集成电路包括：第1受光元件，包括第1分光特性；第2受光元件，包括第2分光特性；及视觉灵敏度补正单元，根据所述第1受光元件和所述第2受光元件的输出进行视觉灵敏度补正。所述视觉灵敏度补正单元包括：AD变换部，对所述第1受光元件的输出和所述第2受光元件的输出以时分方式进行AD变换；及运算部，对所述AD变换部所变换的各数字信号进行减法运算。

【技术实现步骤摘要】
光传感器用半导体集成电路
本专利技术涉及一种光传感器用半导体集成电路。
技术介绍
近年，在便携电话和智能电话等的移动机器上，为了调整基于环境光的显示画面 的辉度和提高视认性，或者，为了节省通话时的电力消耗，安装了被实装在一个小型封装体 内的照度传感器和接近传感器。这些传感器通常被基本上能对可视光进行截止的黑系玻璃 罩等的盖部所覆盖。 照度传感器的分光特性需要接近视觉灵敏度特性（与人的眼睛同样的分光特 性）。有2种方法可接近视觉灵敏度特性。第1种方法是使用一个ro将包括光学滤波器的 功能的特殊树脂覆盖在封装体上的方法、或者、是将包括特殊滤波器的功能的涂料直接涂 敷在ro上的方法。第2方法是使用2个ro的方法。其中的一个ro在可视光范围和红外 光范围包括相对灵敏度，另一个ro仅在红外光范围包括相对灵敏度。为了接近视觉灵敏度 特性，从在可视光范围和红外光范围包括相对灵敏度的ro的分光特性（测定值）中减去仅 在红外光范围包括相对灵敏度的ro的分光特性（测定值）。该计算因为不能在传感器内部 自动进行，所以需要由CPU等来执行。另外，计算公式则随各光源的IR(红外光）含有量的 不同而不同。 在上述两种方法中，红外光范围内都残留了不会对通常的使用状态产生影响的一 点点的相对灵敏度。 但是，在许多应用（例如，便携电话和电视等）中，出于设计上的考虑，照度传感器 被配置在面板等的盖部的后面。面板等在可视光范围包括很低的透过率，在红外光范围包 括很高的透过率。这会对传感器整体的分光特性产生影响。其原因在于，通过被配置在面 板等的后面，很多红外光会入射至照度传感器。这样，就会引起与使用了不同光源时同样的 照度传感器的错检。即使是IR含有量较低的光源（例如，萤光灯和LED等），也只有少量 的可视光能进行入射。其原因在于，可视光基本上被背板截止了。但是，在IR(红外光）含 有量较高的光源（例如，白炽灯等）中，如果光量相同，则红外光范围的测定值将会变得很 高。其原因在于，可视光基本上被面板等截止，更多的红外光的透过导致增大了红外光光量 的测定值。所以，光和背光的调整在不同的光源下不能被正确进行。 如图8所示，照度传感器用ro的分光特性在被黑系玻璃等的盖部覆盖的情况下， 与没有被黑系玻璃罩等的盖部覆盖的情况相比，红外光范围的相对灵敏度较高，结果导致 产生错检。 具体而言，例如，公开了一种介由电流镜电路进行2个ro的输出电流的减法运算， 并由AD转换器进行AD变换，以进行视觉灵敏度补正的技术（例如，参照专利文献1)。 另外，还公开一种由不同的AD转换器对分光特性不同的2个光传感器的输出电流 进行AD变换，并进行数字运算，以对照度进行测定的技术（例如，参照专利文献2)。 [现有技术文献] [专利文献1]美国专利申请第2012/0049048号 [专利文献2]日本特开第2011 - 58853号公报
技术实现思路
[本专利技术要解决的课题] 但是，在微小电流的情况下，电流镜电路难以进行精度的确保，所以，很难进行高 精度的视觉灵敏度补正。另外，在对照度传感器用ro的输出电流和视觉灵敏度补正用ro 的输出电流采用不同的AD转换器进行AD变换的情况下，AD转换器间的偏差会导致变换后 的数字信号间产生变换误差，所以，也很难进行高精度的视觉灵敏度补正。 本专利技术是鉴于上述课题而提出的，其目的在于，提供一种可进行高精度的视觉灵 敏度补正的光传感器用半导体集成电路。 [用于解决上述课题的手段] 根据本专利技术的实施方式，提供一种光传感器用半导体集成电路（1)，其介由使可视 光衰减并使红外光透过的盖部（3)和集光透镜（2)接受环境光，并根据受光量进行视觉灵 敏度补正，以对所述环境光的照度进行检测。所述光传感器用半导体集成电路（1)包括：第 1受光元件（21)，包括第1分光特性；第2受光元件（22)，包括第2分光特性；及视觉灵敏 度补正单元（30)，根据所述第1受光元件（21)和所述第2受光元件（22)的输出进行视觉 灵敏度补正。所述视觉灵敏度补正单元（30)包括：AD变换部（313)，对所述第1受光元件 (21)的输出和所述第2受光元件（22)的输出以时分方式进行AD变换；及运算部（318)，对 所述AD变换部（313)所变换的各数字信号进行减法运算。 这里需要说明的是，上述括弧内的参照符号是为了容易地进行理解而附加的，仅 是一个例子，本专利技术并不限定于图中所示的形态。 在所述光传感器用半导体集成电路中，所述第1分光特性由使可视光透过的一第 1滤波器所获得，所述第2分光特性由使红外光透过的一第2滤波器所获得。 在所述光传感器用半导体集成电路中，所述视觉灵敏度补正单元更包括：一乘法 运算器，将与所述第2受光元件的输出相对应的所述数字信号乘以一补正系数；及一补正 系数设定单元，对所述补正系数进行设定。 本专利技术更提供一种光传感器用半导体集成电路，接受一环境光，并根据受光量进 行视觉灵敏度补正，以对所述环境光的照度进行检测，其特征在于，所述光传感器用半导体 集成电路包括：一接近传感器；一第1受光元件，包括一第1分光特性，所述第1分光特性于 一第1波长有一第1最大灵敏度；一第2受光元件，包括一第2分光特性，所述第2分光特 性于一第2波长有一第2最大灵敏度，其中所述第1波长与所述第2波长不同；以及一视觉 灵敏度补正单元，根据所述第1受光元件和所述第2受光元件的输出进行视觉灵敏度补正。 其中，所述视觉灵敏度补正单元包括：一 AD变换部，对所述第1受光元件的输出和 所述第2受光元件的输出以一时分方式进行AD变换；及一运算部，对所述AD变换部所变换 的各数字信号进行减法运算。 此外，所述视觉灵敏度补正单元包括：一乘法运算器，将与所述第2受光元件的输 出相对应的所述数字信号乘以一补正系数；及一补正系数设定单元，对所述补正系数进行 设定。 所述第1分光特性由使一具有所述第1波长之第1光线透过的一第1滤波器所获 得，所述第2分光特性由使一具有所述第2波长之第2光线透过的一第2滤波器所获得。 另外，所述第1分光特性由使一具有所述第1波长之可视光透过的一第1滤波器 所获得，所述第2分光特性由使一具有所述第2波长之非可视光透过的一第2滤波器所获 得。 [本专利技术的效果] 根据本专利技术的实施方式，能够提供一种可进行高精度的视觉灵敏度补正的光传感 器用半导体集成电路。 【附图说明】 [图1]对光入射至实施方式的光传感器用半导体集成电路的情形的一个例子进 行模式显示的图。 [图2]对实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一个例子进行显示的 图。 [图3]对实施方式的受光元件的电压和暗电流的关系的一个例子进行显示的图。 [图4]对实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一个例子进行显示的 图。 [图5]对实施方式的受光元件的波长和相对灵敏度的关系的一个例子进行显示 的图。 [图6]实施方式的AD转换器的时机图的一个例子。 [图7]实施方式的AD转换器的时机图的其他例子。 [图8]对分光特性的一个例子进行显示的图。 [符号说明] 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光传感器用半导体集成电路，介由使可视光衰减并使红外光透过的一盖部和一集光透镜，接受一环境光，并根据受光量进行视觉灵敏度补正，以对所述环境光的照度进行检测，其特征在于，所述光传感器用半导体集成电路包括：一第1受光元件，包括一第1分光特性；一第2受光元件，包括一第2分光特性；以及一视觉灵敏度补正单元，根据所述第1受光元件和所述第2受光元件的输出进行视觉灵敏度补正，其中，所述视觉灵敏度补正单元包括：一AD变换部，对所述第1受光元件的输出和所述第2受光元件的输出以一时分方式进行AD变换；及一运算部，对所述AD变换部所变换的各数字信号进行减法运算。

【技术特征摘要】
2013.07.31 JP 2013-1584121. 一种光传感器用半导体集成电路，介由使可视光衰减并使红外光透过的一盖部和一 集光透镜，接受一环境光，并根据受光量进行视觉灵敏度补正，W对所述环境光的照度进行 检测，其特征在于，所述光传感器用半导体集成电路包括： 一第1受光元件，包括一第1分光特性； 一第2受光元件，包括一第2分光特性；W及 一视觉灵敏度补正单元，根据所述第1受光元件和所述第2受光元件的输出进行视觉 灵敏度补正， 其中，所述视觉灵敏度补正单元包括： 一 AD变换部，对所述第1受光元件的输出和所述第2受光元件的输出W-时分方式进 行AD变换；及 一运算部，对所述AD变换部所变换的各数字信号进行减法运算。2. 如权利要求1所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于， 所述第1分光特性由使可视光透过的一第1滤波器所获得， 所述第2分光特性由使红外光透过的一第2滤波器所获得。3. 如权利要求2所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于， 所述视觉灵敏度补正单元更包括： 一乘法运算器，将与所述第2受光元件的输出相对应的所述数字信号乘W-补正系 数；及 一补正系数设定单元，对所述补正系数进行设定。4. 如权利要求1所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于，所述视觉灵敏度补 正单元更包括： 一乘法运算器，将与所述第2受光元件的输出相对应的所述数字信号乘W-补正系 数；及 一补正系数设定单元，对所述补正系数进行设定。5. 如权利要求1所述的光传感器用半导体集成电路，其特征在于，更包括一接近传感 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：川崎祐也，M·奥贝拉谢尔，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP