清洗方法和清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供清洗方法和清洗装置。在施加处理液来清洗被清洗物的清洗方法中，具有：第1步骤(S3)，对所述被清洗物施加包含微纳气泡或纳气泡等较小尺寸的气泡的第1处理液；以及第2步骤(S4)，在该第1步骤后，对附着有所述第1处理液的状态下的所述被清洗物施加第2处理液，该第2处理液包含比所述第1处理液所包含的气泡的尺寸大的微气泡等气泡，在利用第1处理液进行清洗后，利用包含比该第1处理液所包含的气泡的尺寸大的气泡的第2处理液进行清洗，所以，能够在使用利用了较小气泡的优良性质的第1处理液进行清洗后，使用利用了较大气泡的优良性质的第2处理液进行清洗。

【技术实现步骤摘要】
清洗方法和清洗装置本申请是原案申请号为201110138689.0的专利技术专利申请(申请日:2011年5月26日，专利技术名称:清洗方法和清洗装置)的分案申请。
本专利技术涉及对半导体基板等被清洗物施加处理液来清洗该被清洗物的清洗方法和清洗装置。
技术介绍
以往，提出了对半导体晶片等板状基板的表面施加含有微细气泡的处理液来清洗该基板的基板处理装置(基板处理方法)(参照专利文献I和专利文献2)。在专利文献I所公开的基板处理装置中，对基板表面喷吹包含微气泡的微气泡水(处理液)来清洗该基板表面。在这种基板处理装置中，利用微气泡水所包含的微气泡(微细气泡)的物理性的冲击、发散能、电吸附性等性质,能够更加良好地清洗基板表面。 并且，在专利文献2所公开的基板处理装置中，还能够根据将从基板去除的颗粒的大小，来调整微气泡水所包含的微气泡(微细气泡)的大小。根据这种基板处理装置，能够在大尺寸颗粒较多的工序中，较大地设定微气泡的尺寸，另一方面，在小尺寸颗粒较多的工序中，较小地设定微气泡的尺寸。 【专利文献I】日本特开2008-93577号公报 【专利文献2】日本特开2008-80230号公报 但是，关于专利文献I或专利文献2所记载的微气泡水(处理液)所包含的微气泡(微细气泡)的物理性的冲击、发散能、电吸附性等有利于清洗的多个性质，并不是只要是微细气泡就一律发挥相同程度的作用。某个尺寸的微细气泡的例如与物理性的冲击有关的性质特别优良，但是，其他性质例如与电吸附性有关的性质并不特别优良，或者，相反，另一个尺寸的微细气泡的例如与电吸附性有关的性质特别优良，但是，其他性质例如与物理性的冲击有关的性质并不特别优良。 但是，在专利文献I和/或专利文献2所公开的基板处理装置中，具有对微气泡水(处理液)所包含的微气泡的尺寸进行调整的功能，但是，在以去除某个尺寸的颗粒为目的的清洗中，微气泡的尺寸是已被确定的，所以，尽管该已确定的尺寸的微气泡的某个性质特别优良，但是，该尺寸的微气泡的其他性质并不一定特别优良。 这样，在现有的基板处理装置(清洗装置)中，未必能够有效利用微细气泡的利于清洗的多个性质。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这种情况而完成的，提供能够利用微细气泡的更多有利于清洗的性质进行有效清洗的清洗方法和清洗装置。 本专利技术的清洗方法通过施加处理液来清洗被清洗物，其中，该清洗方法具有:第I步骤，对所述被清洗物施加包含气泡的第I处理液；以及第2步骤，在该第I步骤后，对附着有所述第I处理液的状态下的所述被清洗物施加第2处理液，该第2处理液包含比所述第I处理液所包含的气泡的尺寸大的气泡。并且，所述被清洗物在输送路径上被输送。与所述第I步骤相比在输送方向的下游侧进行所述第2步骤。 根据这种结构，针对被清洗物，在利用包含气泡的第I处理液进行清洗后，利用包含比该第I处理液所包含的气泡的尺寸大的气泡的第2处理液进行清洗，所以，能够在使用利用了较小气泡的特别有利于清洗的性质的第I处理液进行清洗后，使用利用了较大气泡的特别优良的性质的第2处理液进行清洗。 例如，当第I处理液所包含的气泡为微纳气泡或纳气泡这种尺寸极小的气泡时，通过该极小气泡压破(消失)时产生的自由基反应，能够有效地从被清洗物表面去除有机残渣(极小气泡的对清洗有效的性质)，并且，极小气泡带有负电位，所以，通过附着于颗粒表面的该极小气泡的电位相斥，能够从被清洗物分离该颗粒(极小气泡的对清洗有效的性质)。而且，当第2处理液所包含的气泡为微气泡等比所述微纳气泡或纳气泡的尺寸大的气泡时，如上所述，通过附着于从被清洗物表面分离出的颗粒上的该较大气泡，能够使该颗粒比较快地浮起到处理液表面(较大气泡的对清洗有效的性质)。 并且，由于构成为，在输送路径上输送所述被清洗物，相比所述第I步骤在输送方向的下游侧进行所述第2步骤，因此，在输送路径上输送被清洗物的过程中，针对该被清洗物，能够在利用包含气泡的第I处理液进行清洗后，利用包含比该第I处理液所包含的气泡的尺寸大的气泡的第2处理液进行清洗。 另外，在本专利技术的清洗方法中，能够构成为，所述第I处理液所包含的气泡的气体和所述第2处理液所包含的气泡的气体不同。 根据这种结构，通过第I处理液所包含的气泡的气体和第2处理液所包含的气泡的气体，能够期待不同的清洗效果。 特别地，所述第I处理液所包含的气体可以是氧或臭氧中的任一方。该情况下，根据第I处理液所包含的较小气泡压破时产生的氧或臭氧的自由基，能够期待氧化作用。 另外，在本专利技术的清洗方法中，能够构成为，在所述第2步骤后，具有在即将对所述被清洗物进行干燥之前对该被清洗物施加包含气泡的第3处理液的第3步骤。 根据这种结构，在利用第I处理液和第2处理液的清洗结束后，在即将对被清洗物进行干燥之前对被清洗物施加包含气泡的第3处理液,所以，能够利用第3处理液均匀地覆盖该被清洗物。当利用第3处理液均匀地覆盖被清洗物时，通过此后的干燥，能够均匀地对被清洗物进行干燥。并且，在第3处理液中包含气泡，所以，第3处理液所包含的液体成分比较少，能够进行更高效的干燥。 另外，在本专利技术的清洗方法中，能够构成为，所述第3处理液所包含的气泡的尺寸比所述第2处理液所包含的气泡的尺寸大。 根据这种结构，第3处理液中的气泡的尺寸更大，所以，覆盖被清洗物的第3处理液所包含的液体成分更少，能够进行更高效的干燥。 另外，在本专利技术的清洗方法中，能够构成为，在输送路径上输送所述被清洗物，在所述第2步骤的输送方向的下游侧进行所述第3步骤。 根据这种结构，在输送路径上输送被清洗物的过程中，针对该被清洗物，在利用包含气泡的第I处理液进行清洗后，利用包含比该第I处理液所包含的气泡的尺寸大的气泡的第2处理液进行清洗，然后，施加包含气泡的第3处理液，对由该第3处理液覆盖的被清洗物进行干燥。 本专利技术的清洗装置对被清洗物施加处理液来进行清洗，其中，该清洗装置具有:第I清洗机构，其对所述被清洗物施加包含气泡的第I处理液；第2清洗机构，其对附着有被所述第I清洗机构施加的第I处理液的状态下的所述被清洗物施加第2处理液，该第2处理液包含比所述第I处理液所包含的气泡的尺寸大的气泡；以及输送路径，所述被清洗物在该输送路径上被输送。所述第2清洗机构相比所述第I清洗机构配置在输送方向的下游侧。 根据这种结构，针对被清洗物，在第I清洗机构利用包含气泡的第I处理液进行清洗后，通过第2清洗机构利用包含比所述第I处理液所包含的气泡尺寸大的气泡的第2处理液进行清洗，所以，能够在使用利用了较小气泡的优良性质的第I处理液进行清洗后，使用利用了较大气泡的优良性质的第2处理液进行清洗。 并且，由于构成为:该清洗装置具有输送所述被清洗物的输送路径，所述第2清洗机构相比所述第I清洗机构配置在输送方向的下游侧，因此，在输送路径上输送被清洗物的过程中，针对该被清洗物，通过第I清洗机构和第2清洗机构依次进行利用第I处理液的清洗和利用第2处理液的清洗。 另外，在本专利技术的清洗装置中，能够构成为，该清洗装置具有干燥前处理机构，该干燥前处理机构在即将对从所述第2清洗机构施加所述第2处理液后的所述被清洗物进行干燥之前，对该被清洗物施加包含气泡的第3处理液。 根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种施加处理液来清洗被清洗物的清洗方法，其中，该清洗方法具有：第1步骤，对所述被清洗物施加包含气泡的第1处理液；以及第2步骤，在该第1步骤后，对附着有所述第1处理液的状态下的所述被清洗物施加第2处理液，该第2处理液包含比所述第1处理液所包含的气泡的尺寸大的气泡，所述被清洗物在输送路径上被输送，与所述第1步骤相比在输送方向的下游侧进行所述第2步骤。

【技术特征摘要】
2010.06.17 JP 2010-1378861.一种施加处理液来清洗被清洗物的清洗方法，其中，该清洗方法具有: 第1步骤，对所述被清洗物施加包含气泡的第1处理液；以及 第2步骤，在该第1步骤后，对附着有所述第1处理液的状态下的所述被清洗物施加第2处理液，该第2处理液包含比所述第1处理液所包含的气泡的尺寸大的气泡， 所述被清洗物在输送路径上被输送， 与所述第1步骤相比在输送方向的下游侧进行所述第2步骤。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中， 该清洗方法还具有第3步骤，该第3步骤在所述第2步骤后，在即将对所述被清洗物进行干燥之前对该被清洗物施加包含气泡的第3处理液， 与所述第2步骤相比在输送方向的下游侧进行所述第3步骤。3.根据权利要求2所述的清洗方法，其中， 所述第3处理液所包含的气泡的尺寸比所述第2处理液所包含的气泡的尺寸大...

【专利技术属性】
技术研发人员：广瀬治道，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP