一种频率不随温度变化的压控振荡器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，该电路包含：第一交叉耦合管，与第一交叉耦合管的两输出端并联连接的LC振荡电路，与LC振荡电路并联连接的第二交叉耦合管，镜像电流源电路，设置在第一交叉耦合管与镜像电流源电路的输出端之间的分压电阻，与镜像电流源电路的输出端连接的滤波电容。通过在LC振荡电路设有一对可变电容，并在镜像电流源电路输入具有斜率的负温度系数电流，使得本发明专利技术在不增加电路复杂度及电路功耗且实现高性能的前提下，避免第一交叉耦合管、第二交叉耦合管的工作状态发生变化从而导致VCO电路信号输出端的振荡频率发生变化，最终能够有效解决或者抵消温度变化所引起的频率漂移。

【技术实现步骤摘要】
一种频率不随温度变化的压控振荡器电路
本专利技术涉及导航通讯领域中的控制电路，具体涉及一种频率不随温度变化的压控 振荡器电路。
技术介绍
锁相环频率合成器在现阶段的无线通信、多模导航等射频收发芯片系统架构中不 可或缺的部分。而压控振荡器（Voltage Controlled Oscillator，简称VC0)是锁相环频率 合成器的核心部件，频率合成器的输出频率就是由压控振荡器产生的，频率合成器的其他 部件都是为压控振荡器服务的。而现代无线射频通信对相位噪声的苛刻要求，为了满足这 -要求一般都得采用LC振荡器。LC振荡器有相位噪声好，频率稳定度高、电源电压影响小 等的优点。但是随着工艺特征尺寸的不断缩小，电源电压也不断减小，加上现代无线通信对 压控振荡器有更宽的频率可调范围及更低相位噪声的苛刻要求，温度变化所引起的频率漂 移对于整个射频收发芯片更加严重。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，通过设置第一 交叉耦合管、 LC振荡电路、第二交叉耦合管、镜像电流源电路等，特别是在LC振荡电路设有 一对可变电容，并在镜像电流源电路输入具有斜率的负温度系数电流，使得本专利技术在不增 加电路复杂度及电路功耗且实现高性能的前提下，避免第一交叉耦合管、第二交叉耦合管 的工作状态发生变化从而导致VC0电路信号输出端的振荡频率发生变化，最终能够有效解 决或者抵消温度变化所引起的频率漂移。 为了达到上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现： 一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特点是，该电路包含： 第一交叉耦合管，其输入端连接外部电源； LC振荡电路，两输出端分别与所述第一交叉耦合管的两输出端并联连接； 第二交叉耦合管，两输入端分别与所述LC振荡电路两输出端并联连接； 镜像电流源电路，所述镜像电流源电路的输入端输入具有斜率的负温度系数电流；所 述镜像电流源电路与所述LC振荡电路连接； 分压电阻，所述分压电阻的一端与所述第一交叉稱合管的输入端连接，该分压电阻的 另一端与所述镜像电流源电路的输出端连接； 滤波电容，所述滤波电容的一端与所述镜像电流源电路的输出端连接，该滤波电容的 另一端接地。 优选地，所述第一交叉耦合管包含：第一 PM0S管、第二PM0S管交叉耦合连接； 所述第一 PM0S管的栅极与所述第二PM0S管的漏极连接，该第二PM0S管的栅极与该第 一 PM0S管的漏极连接； 该第一 PM0S管的漏极、第二PM0S管的漏极分别为该第一交叉耦合管的输出端； 所述第一 PMOS管的源极、第二PMOS管的源极分别接外部电源。 优选地，所述第二交叉耦合管包含：第一 NM0S管、第二NM0S管交叉耦合连接； 该第一 NM〇S管的栅极与该第二NM0S管的漏极连接，该第二NM0S管的栅极与该第一 NM0S管的漏极连接； 该第一 NM0S管的漏极、第二NM0S管的漏极分别为所述第二交叉耦合管的输入端； 所述第一 NM〇S管的源极、第二NM〇S管的源极分别接地。 优选地，所述镜像电流源电路包含：第一 NM0S管、第二NM0S管； 所述第一 NM〇S管的源极、第二NM0S管的源极分别接地，该第一 NM0S管的栅极与第二 NM0S管的栅极连接； 该第一 NM0S管的漏极为所述镜像电流源电路的输入端，该第二NM0S管的漏极为所述 镜像电流源电路的输出端；具有斜率的负温度系数电流信号分别输入至该第一 NM〇S管的 栅极、第二NM0S管的栅极。 优选地，所述LC振荡电路包含： 压控振荡电路信号输入端， 一对可变电容，分别对称连接设置所述压控振荡电路信号输入端两侧； 一对固定电容总成，分别对称连接设置在所述一对可变电容两侧，形成电容串联电 路； 所述电容串联电路的两端分别为压控振荡电路信号输出端； 电感，所述电感两端分别与所述电容串联电路两输出端连接。 优选地，所述镜像电流源电路的输出端分别连接在所述固定电容总成与所述可变 电容之间。 优选地，每个所述固定电容总成包含多个固定电容，两个所述固定电容总成的总 电容值相等。 本专利技术与现有技术相比具有以下优点： 本专利技术提供一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，在工作温度升高或降低时，能 够分别补偿由于温度升高或降低引起的压控振荡器输出频率的变化，最终使得压控振荡器 输出频率保持不变；从而实现在使用中锁相环频率合成器工作正常，使得使用该压控振荡 器的通信电路或导航电路不受工作温度的影响。 【附图说明】 图1为本专利技术一种频率不随温度变化的压控振荡器电路的电路示意图。 图2为本专利技术一种频率不随温度变化的压控振荡器电路的实施例示意图之一。 图3为本专利技术一种频率不随温度变化的压控振荡器电路的实施例示意图之二。 【具体实施方式】 以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本专利技术做进一步阐述。 如图1所示,一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，该电路包含：第一交叉耦 合管10、LC振荡电路20、第二交叉耦合管30、镜像电流源电路40、分压电阻50及滤波电容 60 〇 LC振荡电路20的两输出端与第一交叉耦合管10的两输出端并联连接；第二交叉 耦合管3〇的两输入端分别与LC振荡电路2〇并联连接；镜像电流源电路40的输入端输入 具有斜率的负温度系数电流；分压电阻 5〇的一端与第一交叉耦合管1〇的电源输入端连接， 该分压电阻5〇的另一端与镜像电流源电路的输出端连接；滤波电容60的一端与镜像电流 源电路的输出端连接，该滤波电容60的另一端接地。 LC振荡电路2〇包含：压控振荡电路信号输入端25、一对固定电容总成21 -对可 变电容22及电感24。一对可变电容22分别对称连接设置所述压控振荡电路信号输入端 25两侧，一对固定电容总成21分别对称连接设置在一对可变电容22两侧，形成电容串联电 路23。该电各串联电路23的两i而分别为压控振荡电路彳目号输出端及LC振荡电路20的输 出端。 镜像电流源电路40的输出端分别设置在固定电容总成21与可变电容22之间。电 感24两端分别与电容串联电路23两输出端、第一交叉耦合管1〇两输出端、第二交叉耦合 管30两输入端并联连接。 如图1所示，本实施例中采用一对固定电容作为固定电容总成21与一对可变电容 22串联连接。其中，一对固定电容的典型取值分别为2PF，滤波电容60的典型取值为200pF. 一对可变电容 22的典型取值分别为〇· 5pF ;电感24为螺旋电感，其典型取值为2nH ;分压电 阻50典型取值为15ΚΩ。 第一交叉耦合管10包含：第一 PM0S管11、第二PM0S管12交叉耦合连接。第一 PMOS管11的栅极与第二PM0S管12的漏极连接，该第二PM0S管 12的栅极与该第一 PM0S 管11的漏极连接。该第一 PMOS管11的漏极、第二PMOS管12的漏极分别为该第一交叉耦 合管10的输出端。第一 PM0S管11、第二PM0S管12的源极分别接电源输入端。 第二交叉耦合管30包含：第一 NM0S管31、第二NM0S管32交叉耦合连接。该第 一 NMOS管31的栅极与该第二NM〇s管32的漏极连接，该第二nM〇S管32的栅极与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，该电路包含：第一交叉耦合管（10），其输入端连接外部电源；LC振荡电路（20），两输出端分别与所述第一交叉耦合管（10）的两输出端并联连接；第二交叉耦合管（30），两输入端分别与所述LC振荡电路（20）两输出端并联连接；镜像电流源电路（40），所述镜像电流源电路（40）的输入端输入具有斜率的负温度系数电流；所述镜像电流源电路（40）与所述LC振荡电路（20）连接；分压电阻（50），所述分压电阻（50）的一端与所述第一交叉耦合管（10）的输入端连接，该分压电阻（50）的另一端与所述镜像电流源电路（40）的输出端连接；滤波电容（60），所述滤波电容（60）的一端与所述镜像电流源电路（40）的输出端连接，该滤波电容（60）的另一端接地。

【技术特征摘要】
1. 一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，该电路包含： 第一交叉耦合管（10)，其输入端连接外部电源； LC振荡电路（20)，两输出端分别与所述第一交叉耦合管（10)的两输出端并联连接； 第二交叉耦合管（30 )，两输入端分别与所述LC振荡电路（20 )两输出端并联连接； 镜像电流源电路（40)，所述镜像电流源电路（40)的输入端输入具有斜率的负温度系 数电流；所述镜像电流源电路（40 )与所述LC振荡电路（20 )连接； 分压电阻（50)，所述分压电阻（50)的一端与所述第一交叉耦合管（10)的输入端连接， 该分压电阻（50)的另一端与所述镜像电流源电路（40)的输出端连接； 滤波电容（60)，所述滤波电容（60)的一端与所述镜像电流源电路（40)的输出端连接， 该滤波电容（60)的另一端接地。2. 如权利要求1所述的频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，所述第一 交叉耦合管（10)包含：第一 PMOS管（11)、第二PMOS管（12)交叉耦合连接； 所述第一PMOS管（11)的栅极与所述第二PMOS管（12)的漏极连接，该第二PMOS管（12) 的栅极与该第一 PMOS管（11)的漏极连接； 该第一 PMOS管（11)的漏极、第二PMOS管（12)的漏极分别为该第一交叉耦合管（10) 的输出端； 所述第一 PMOS管（11)的源极、第二PMOS管（12)的源极分别接外部电源。3. 如权利要求1所述的频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，所述第二 交叉耦合管（30)包含：第一 NM0S管（31)、第二NM0S管（32)交叉耦合连接； 该第一 NM0S管（31)的栅极与该第二NM0S管（32)的漏极连接，该第二NM0S管（32)的 栅极与该第一 NM0S管（31)的漏极连接； 该...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩业奇，倪文海，徐文华，
申请(专利权)人：杭州迦美信芯通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33