本发明提供了基于单控制器的精简射频开关和装置，包括：公共端、双掷端口、端口串行电路、端口并行电路和控制器，双掷端口包括第一双掷端口和第二双掷端口，端口串行电路包括第一串行电路和第二串行电路，端口并行电路包括第一并行电路和第二并行电路；公...

本实用新型公开了一种宽带功率放大器的有源匹配电路，该有源匹配电路包含：晶体管，其基极电路连接宽带功率放大器的射频输入端，集电极电路连接功率放大器的驱动级放大器，发射极通过发射极电阻接地；串联连接的隔直电容和串联电阻，其电路连接在晶体管基...

本实用新型涉及一种压力传感器及β型PVDF薄膜的高压极化设备。所述压力传感器中，在SiC衬底层上生长的外延层，包含GaN沟道层及该GAN沟道层上的AlGaN帽层，所述AlGaN帽层与GAN沟道层之间形成2DEG沟道；在所述AlGaN帽层...

本发明公开了一种用于5GHz WiFi通信带bypass通道低噪声放大器统一匹配系统，包含：输入匹配网络，用于实现接收不同强度信号情况下输入阻抗匹配；低噪声放大器，其输入端连接输入匹配网络输出端，用于对接收的第一强度信号低噪声放大处理；...

本发明涉及一种低功耗低成本高线性的电压模式无源混频器，设置在射频接收机的信号通路上，作为射频接收机中的第二混频器，通过电路连接设置在第一混频器与低通滤波器之间，包含两个结构相同的混频电路，由第一混频器输出的射频信号分别与本振信号在各个混...

本发明公开了一种射频地和模拟地之间具有静电释放防护功能的电路及封装结构，该电路包含：第一二极管、第二二极管和焊盘；第一二极管负极和第二二极管正极连接于模拟地，且第一二极管正极和第二二极管负极连接于焊盘；焊盘还连接于射频地。本发明射频地和...

一种ESD电路的RC型静电钳位电路，包含：RC电路、反相器组和晶体管组件，晶体管组件包含叠加的P型晶体管MP和N型晶体管MN，合理选择晶体管的导通时间，并合理选择电容、电阻和反相器，以产生极大的漏电流优势。本发明在应用于高工作电压时，在...

本发明涉及一种压力传感器及其制作方法，在碳化硅SiC的衬底层上生长的外延层，包含GaN沟道层及该GAN沟道层上的AlGaN帽层，所述AlGaN帽层与GAN沟道层之间形成2DEG沟道；在所述AlGaN帽层上分别形成有源极、漏极；在所述Al...

本发明公开了一种宽带功率放大器的有源匹配电路，该有源匹配电路包含：晶体管，其基极电路连接宽带功率放大器的射频输入端，集电极电路连接功率放大器的驱动级放大器，发射极通过发射极电阻接地；串联连接的隔直电容和串联电阻，其电路连接在晶体管基极与...

本实用新型公开了一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，该电路包含：第一交叉耦合管，与第一交叉耦合管的两输出端并联连接的LC振荡电路，与LC振荡电路并联连接的第二交叉耦合管，镜像电流源电路，设置在第一交叉耦合管与镜像电流源电路的输出端之间...

本发明公开了一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，该电路包含：第一交叉耦合管，与第一交叉耦合管的两输出端并联连接的LC振荡电路，与LC振荡电路并联连接的第二交叉耦合管，镜像电流源电路，设置在第一交叉耦合管与镜像电流源电路的输出端之间的分...