源极驱动器及其偏置电流调节方法技术

本发明专利技术公开了设置在用于显示图像的显示装置中的源极驱动器及其偏置电流调节方法，并且偏离规定范围的偏置电流被调节以使得源极驱动器由规定范围内的偏置电流驱动。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体集成电路，更具体地涉及设置在用于显示图像的显示装置中的 。
技术介绍
随着通信技术的发展，显示装置的使用已迅速增加。显示装置主要用作为用于电 视中的大型屏幕或者用于便携式电话中的小型屏幕。 显示装置包括用于显示图像的显示面板和用于驱动显示面板的多个驱动器，其中 多个驱动器包括源极驱动器和栅极驱动器。源极驱动器和栅极驱动器作为半导体集成电路 被制造和封装，然后安装在显示装置中。以晶片级或封装级对源极驱动器的各参数进行测 试以检测因设计的原因或制造过程而发生的缺陷、或者评估操作特性。偏置电流为各参数 中的一个。偏置电流可提供至源极驱动器的内部输出缓冲器，从而对源极驱动器的模拟输 出造成影响。 显示面板包括多个源极驱动器，其中，对于每个源极驱动器可能存在偏置电流的 偏离。偏置电流的偏离可能因每个源极驱动器的半导体制造环境的差异而发生。当对于每 个源极驱动器的偏置电流的偏离大时，模糊现象可能因源极驱动器之间的输出偏离而发生 在显示面板中。 因此，源极驱动器应被制造成使得偏置电流的偏离不大。在测试过程中，偏置电流 偏离规定范围的源极驱动器可被确定为有缺陷，确定为有缺陷的源极驱动器可能被丢弃而 不应用至产品。 如上所述，由偏置电流导致的源极驱动器的缺陷降低了源极驱动器的产量并增加 了制造成本。
技术实现思路
本专利技术的多种实施方式涉及能够调节偏置电流以减少源极驱动器之间的偏执电 流差的。 此外，本专利技术的各实施方式涉及能过调节偏执电流以使得具有偏离规定范围的偏 置电流的源极驱动器符合规定范围的。 在实施方式中，源极驱动器包括偏置电流供给单元以及偏置电流调节信号生成单 元，其中偏置电流供给单元供给对应于偏置电流调节信号进行调节的偏置电流，偏置电流 调节信号生成单元通过使用从外部提供的数据对调整数据进行编程并提供与经过编程的 调整数据对应的偏置电流调节信号。 在实施方式中，源极驱动器包括调整部分和解码器，其中调整部分通过使用从外 部提供的数据执行调整数据的编程并提供经过编程的调整数据，解码器对调整数据进行解 码以输出偏置电流调节信号并且输出用于驱动输出电流的偏置电流调节信号。 在实施方式中，源极驱动器的偏置电流调节方法包括：执行测试模式，在该测试模 式中施加高电压至多个调整单元，并在多个调整单元中对调整数据进行编程，其中该高电 压对应于与用于调节偏置电流的范围对应的数据；以及执行读取模式，在该读取模式中读 取在多个调整单元中进行编程的调整数据并提供调整数据以调节偏置电流。 根据上述的本专利技术，可调节源极驱动器的偏置电流。由此，可减少对于每个源极驱 动器的偏置电流的偏离，并且可防止发生在显示面板中的块模糊现象。 此外，可调节偏离规定范围的源极驱动器的偏置电流，从而导致源极驱动器的缺 陷减少。因此，可提高源极驱动器的产量并可减少制造成本。 【附图说明】 图1是设置有配置为本专利技术实施方式的源极驱动器的显示装置的示意性框图； 图2是图1的源极驱动器的示意性框图； 图3是图2所示偏置块的框图； 图4是图3所示调整部分的框图； 图5是图4所示调整单元部的电路图； 图6是示出本专利技术的偏置电流调节方法的流程图； 图7是测试模式中信号的时序图；以及 图8是读取模式中信号的时序图。 【具体实施方式】 下面将参照附图对示例性实施方式进行更详细的描述。然而，本公开能够通过不 同的形式实施并且不应被解释成受限于本文中所记载的实施方式。相反，提供这些实施方 式以使本公开详尽且完整，并更全面地将本公开的范围传达给本领域的技术人员。在整个 公开中，相同的附图标记在全部附图中和本公开的实施方式中表示相同的部分。 图1是设置有根据本专利技术实施方式的源极驱动器的显示装置的示意性框图。参照 图1，显示装置101包括三个源极驱动器111至113以及显示面板121。为了驱动显示面板 121，需要栅极驱动器（未示出）和外围电路的配置。然而，为了方便起见，未示出栅极驱动 器和外围电路。 三个源极驱动器111至113从外部接收时钟信号CLK和图像数据DA，通过内部信 号处理过程生成三个源极驱动信号S1至S3,并且将三个源极驱动信号S1至S3输出至显 示面板121。也就是说，三个源极驱动器111至113通过与时钟信号CLK同步的内部信号 处理过程处理图像数据DA，从而输出所生成的源极驱动信号S1至S3。源极驱动信号S1至 S3被传输至显示面板121的多个数据线（未示出）。为了方便起见，图1示出了三个源极 驱动器111至113。然而，设置在显示装置101中的源极驱动器的数量可根据制造商的意图 进行各种设计。 显示面板121通过使用从三个源极驱动器111至113输出的三个源极驱动信号S1 至S3而显示图像。显示面板121可包括具有有机发光二极管（0LED，未示出）的单位像素， 并通过对应于三个源极驱动信号S1至S3的0LED的操作来显示图像。在根据本专利技术的实施 方式的显示面板121中，像素实现为0LED ;然而，本专利技术并不限于此，并且显示面板121可 包括液晶显示（LCD)显示器、发光二极管（LED)显示器、有源矩阵有机发光二极管（AM0LED) 等。 图2是图1的源极驱动器111的示意性框图。图2所示的源极驱动器111是图1 所示三个源极驱动器111至113中的第一源极驱动器111。其他源极驱动器112和113也 可具有与源极驱动器111的配置基本相同的配置。 图2的源极驱动器111配置为半导体集成电路，并且其中可包括偏置块211和缓 冲块240。偏置块211可生成驱动源极驱动器111所需的偏置电流SIDD，并且将偏置电流 SIDD供给至内部电路。在图2的实施方式中，偏置电流SIDD供给至缓冲块240。 上述的源极驱动器111可在半导体制造过程后在晶片级或封装级进行测试，并且 可通过测试确定源极驱动器111的偏置电流SIDD是否包括在规定范围中。当偏置电流SIDD 包括在规定范围中时，源极驱动器111被确定为良好产品。然而，当偏置电流SIDD偏离规 定范围时，源极驱动器111被确定为有缺陷。被确定为良好产品的源极驱动器111可用作 显示装置的一部分，但是被确定为有缺陷的源极驱动器111可能被丢弃而不用作显示装置 的一部分。 根据本专利技术的实施方式，当偏置块211的偏置电流SIDD偏离规定范围时，能够将 偏置电流SIDD调节成包括在规定范围中。 本专利技术的实施方式具有能够将可能因偏置电流SIDD偏离规定范围而被确定为有 缺陷的源极驱动器恢复至良好状态的功能。由此，可提高源极驱动器的产量，并且可降低源 极驱动器的制造成本。 此外，为了克服因源极驱动器中输出电流的偏离导致的显示面板的块模糊现象 (block dim phenomenon),可将源极驱动器的偏置电流SIDD的偏离从约±30%减少至约 ±5%。 如上所述，偏置电流SIDD的调节可通过偏置块211执行，稍后将参照图3描述偏 置块211。 缓冲块240接收偏置电流SIDD，缓冲通过源极驱动器111的内部信号处理过程生 成的两个源极驱动信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
源极驱动器，包括：偏置电流供给单元，供给对应于偏置电流调节信号进行调节的偏置电流；以及偏置电流调节信号生成单元，通过使用从外部提供的数据对调整数据进行编程，并且提供与经过编程的所述调整数据对应的所述偏置电流调节信号。

【技术特征摘要】
2013.07.18 KR 10-2013-00848691. 源极驱动器，包括： 偏置电流供给单元，供给对应于偏置电流调节信号进行调节的偏置电流；以及 偏置电流调节信号生成单元，通过使用从外部提供的数据对调整数据进行编程，并且 提供与经过编程的所述调整数据对应的所述偏置电流调节信号。2. 根据权利要求1所述的源极驱动器，其中，所述偏置电流供给单元配置成将所述偏 置电流提供至输出缓冲器，所述输出缓冲器用于输出源极驱动信号。3. 根据权利要求1所述的源极驱动器，其中，所述偏置电流调节信号生成单元包括： 调整部分，通过使用所述数据执行所述调整数据的编程并提供经过编程的所述调整数 据；以及 解码器，对所述调整数据进行解码并输出所述偏置电流调节信号。4. 根据权利要求3所述的源极驱动器，其中，所述调整部分包括： 测试模式控制器，对应于测试模式提供测试模式信号； 读取模式控制器，对应于读取模式提供读取模式信号； 多路复用器，对应于所述测试模式和所述读取模式选择所述测试模式信号和所述读取 模式信号之一，并输出模式信号；以及 调整单元部，包括多个调整单元，通过使用与所述测试模式信号对应的所述模式信号 在所述多个调整单元中对与所述数据对应的所述调整数据进行编程，并且通过使用与所述 读取模式信号对应的所述模式信号输出在所述多个调整单元中经过编程的所述调整数据。5. 根据权利要求4所述的源极驱动器，其中，所述调整单元包括彼此串联连接的调整 晶体管和MOS晶体管，所述MOS晶体管对应于所述模式信号进行操作，以及在所述模式信号 已被使能的状态下，执行用于所述调整电容器的所述调整数据的编程或在所述调整电容器 中经过编程的所述调整数据的读取。6. 根据权利要求5所述的源极驱动器，其中，所述调整数据的所述编程是通过施加与 所述数据的值对应的高电压、选择性地破坏所述调整电容器的输入端的栅极氧化物、以及 根据所述栅极氧化物的破坏或未破坏通过所述调整电容器选择性地形成电流路径来执行。7. 根据权利要求4所述的源极驱动器，其中，所述调整部分还包括： 电平移位器，所述电平移位器接收所述数据，并向所述调整单元部提供高电压，以进行 所述调整数据的编程，其中所述高电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相珉，刘犉乾，洪朱杓，
申请(专利权)人：硅工厂股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR