电容式触摸屏制造技术

技术编号:10929348 阅读:78 留言:0更新日期:2015-01-21 10:58
本申请提供了一种电容式触摸屏。该电容式触摸屏包括基板、感应层,该感应层包括:衬底,设置在基板上;边框引线,设置在衬底上;导电图形层,设置在衬底上,与边框引线连接,导电图形层包括:第一ITO导电层,设置在衬底上;第一抗氧化层,设置在第一ITO导电层的表面上;金属层,设置在第一抗氧化层的远离第一ITO导电层的表面上;第二抗氧化层,设置在金属层的远离第一抗氧化层的表面上;第二ITO导电层,设置在第二抗氧化层的远离金属层的表面上,边框引线与第一ITO导电层、第一抗氧化层、金属层、第二抗氧化层和第二ITO导电层中的任意一层或多层连接。该电容式触摸屏的灵敏度高、驱动难度小,并具有良好的亮度与清晰度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触摸屏领域,具体而言,涉及一种电容式触摸屏
技术介绍
大尺寸电容式触摸屏是利用人体电流感应进行工作的,随着电子产品的快速更新,广泛应用于手机、GPS、平板电脑等电子产品的大尺寸电容式触摸屏正朝着大尺寸、高透明及低制造成本方向发展。电容触摸屏由上至下一般包括四层:基板、感应层、OCA胶层、显示屏,其中感应层包括导电图形层与外部引线,目前,大尺寸电容式触摸屏导电图形层多为ITO(掺锡氧化铟)透明导电层,其在大尺寸电容式触摸屏的发展也正遭遇一些技术开发的瓶颈。第一,大尺寸电容式触摸屏尺寸增大时,ITO导电膜容易出现末端信号衰变,边缘感应的灵敏度下降;第二,在做大尺寸时,导电材料的覆盖面积增大必然会增加整个触摸屏的电阻,给扫描驱动带来困难,影响扫描灵敏度;第三,现有以ITO材料为导电图形层的大尺寸电容式触摸屏,导电图形的线路均采用线阻,为降低电阻导线宽度尽可能窄。这是为了降低触摸屏的扫面驱动压力,但极细的导线难以保证ITO导电膜的操作强度,给后期贴合增加了难度。针对上述的问题,现有技术中,可采取的解决方案有三种:一是在边缘信号衰弱的地方以高导电的银浆等导电油墨代替透明导电材料ITO引线,以减小电阻增加信号灵敏度;二是寻找一种ITO替代材料,克服电容式触摸屏在向中大尺寸拓展时所存在的透明导电层图案的线阻过大且透过率较低的问题,常用的替代材料包括金属网格、石墨烯、碳纳米管等。如专利201310347003.8提供一种GF结构的大尺寸电容式触摸屏,其导电图形层是一层表面印有低线阻、低电阻Metal Mesh的PET薄膜,可应用于中大尺寸的大尺寸电容式触摸屏。这些方案为电容式触摸屏的大尺寸化发展提供了较好的解决方案,但也存在一定的弊端:(一)ITO导电膜的方阻值大,扫描驱动难度大,灵敏度下降。随着触控屏尺寸变大,ITO导电膜的整体电阻会增加,增加了驱动难度;(二)工艺复杂,良率低,成本居高不下。现在导电图案多采用线阻,当触控屏尺寸变大时,必须在感应单元边缘印刷银浆等高导电率油墨来克服ITO导线长增加带来的高电阻问题,但是由于银浆不透明,为了外观的美观设计,印刷银浆导线的部位需要加设边框,增加了工艺难度,良率与成本都难以控制;(三)随大尺寸电容式触摸屏尺寸变大,电极数及边框布线面积会增加,可视面积相应减少;(四)替代材料如Metal mesh等尚处开发阶段,解决开发初期存在的如摩尔纹效应、量产难度大等技术问题还需一定的开发周期。目前,ITO导电膜的方阻值大使得电容式触摸屏的扫描驱动难度大,灵敏度下降。随着电容式触控屏尺寸的变大,ITO导电膜的整体电阻会增加导致电容式触摸屏的驱动难度大大增加、灵敏度大大降低,最终导致电容式触摸屏的工作效率较低。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种电容式触摸屏,以解决现有技术中电容式触摸屏方阻值大、透光率低的问题。为了实现上述目的,根据本专利技术的一个方面,提供了一种电容式触摸屏,包括基板、感应层,上述感应层包括:衬底,设置在上述基板上;边框引线,设置在上述衬底上;导电图形层,设置在上述衬底上,与边框引线连接,其特征在于,上述导电图形层包括:第一ITO导电层,设置在上述衬底上;第一抗氧化层,设置在上述第一ITO导电层的表面上;金属层,设置在上述第一抗氧化层的远离上述第一ITO导电层的表面上;第二抗氧化层,设置在上述金属层的远离上述第一抗氧化层的表面上;第二ITO导电层,设置在上述第二抗氧化层的远离上述金属层的表面上,上述边框引线与上述第一ITO导电层、第一抗氧化层、金属层、第二抗氧化层和第二ITO导电层中的任意一层或多层连接。进一步地,形成上述第一抗氧化层和上述第二抗氧化层的材料为抗氧化金属材料,优选上述抗氧化金属材料为锌或钛,上述第一抗氧化层和上述第二抗氧化层的材料相同或不同。进一步地,上述第一抗氧化层与上述第二抗氧化层的厚度相同,上述厚度在1nm~10nm之间,优选在1nm~5nm之间。进一步地,上述金属层为金层或银层,优选上述金属层的厚度为6nm~12nm。进一步地,上述第一ITO导电层与上述第二ITO导电层的光学厚度相等,上述第一ITO导电层与上述第二ITO导电层的光学厚度的总和为0.8~2.0个光学单位。进一步地,上述第一ITO导电层与上述第二ITO导电层的折射率均大于2。进一步地,上述衬底为柔性透明基材层,优选为PET材料层。进一步地,上述导电图形层的图形为多边形。进一步地,上述多边形最大宽度大于3.5μm,小于10μm;上述多边形的最小宽度大于0μm,小于3.5μm。进一步地,上述多边形为六边形。进一步地,上述边框引线的材料与上述导电图形层的材料相同。进一步地,上述电容式触摸屏的尺寸在32寸~110寸之间。进一步地,上述基板的可见光透过率为87%~91%,优选上述基板的厚度为1.0mm~4.0mm。应用本专利技术的技术方案,上述导电图形层的第一ITO导电层、第一抗氧化层、金属层、第二抗氧化层与第二ITO导电层实现间隙掺杂,金属层间隙掺杂到第一ITO导电层与第二ITO导电层,使感应层的电阻率减小、方阻值减小,使得感应层的导电性能提高,进而使得电容式触摸屏的灵敏度提高、驱动难度减小;另外,由于在相同厚度时,本申请中多层膜结构的导电图形层的电阻率较小,导电率较大,透光率也得到提高;而且本领域技术人员可以通过调节导电图形层厚度,使导电图形层对光的反射率降到最低,进而使得导电图形层的透光率达到最大,进而提高了电容式触摸屏的亮度与清晰度。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1示出了本申请一种优选的感应层的结构剖面图;图2示出了本申请一种优选的导电图形层的结构剖面图;以及图3示出了本申请一种优选的六边形导电图形层。具体实施方式应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用属于“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。需要说明的是,本申请的说明书本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电容式触摸屏,包括基板、感应层,所述感应层包括:衬底,设置在所述基板上;边框引线,设置在所述衬底上;导电图形层,设置在所述衬底上,与所述边框引线连接,其特征在于,所述导电图形层包括:第一ITO导电层,设置在所述衬底上;第一抗氧化层,设置在所述第一ITO导电层的表面上;金属层,设置在所述第一抗氧化层的远离所述第一ITO导电层的表面上;第二抗氧化层,设置在所述金属层的远离所述第一抗氧化层的表面上;第二ITO导电层,设置在所述第二抗氧化层的远离所述金属层的表面上,所述边框引线与所述第一ITO导电层、第一抗氧化层、金属层、第二抗氧化层和第二ITO导电层中的任意一层或多层连接。

【技术特征摘要】
1.一种电容式触摸屏,包括基板、感应层,所述感应层包括:
衬底,设置在所述基板上;
边框引线,设置在所述衬底上;
导电图形层,设置在所述衬底上,与所述边框引线连接,其特征在于,所述导电图
形层包括:
第一ITO导电层,设置在所述衬底上;
第一抗氧化层,设置在所述第一ITO导电层的表面上;
金属层,设置在所述第一抗氧化层的远离所述第一ITO导电层的表面上;
第二抗氧化层,设置在所述金属层的远离所述第一抗氧化层的表面上;
第二ITO导电层,设置在所述第二抗氧化层的远离所述金属层的表面上,
所述边框引线与所述第一ITO导电层、第一抗氧化层、金属层、第二抗氧化层和第
二ITO导电层中的任意一层或多层连接。
2.根据权利要求1所述的电容式触摸屏,其特征在于,形成所述第一抗氧化层和所述第二
抗氧化层的材料为抗氧化金属材料,优选所述抗氧化金属材料为锌或钛,所述第一抗氧
化层和所述第二抗氧化层的材料相同或不同。
3.根据权利要求2所述的电容式触摸屏,其特征在于,所述第一抗氧化层与所述第二抗氧
化层的厚度相同,所述厚度在1nm~10nm之间,优选在1nm~5nm之间。
4.根据权利要求1所述的电容式触摸屏,其特征在于,所述金属层为金层或银层,优选所
述金属层的厚度为6nm~...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈西宝于甄解金库王道翠曹星星
申请(专利权)人:张家港康得新光电材料有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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